【产品】-30V/-12A P沟道增强型场效应晶体管YJS4407A，封装为SOP-8
扬杰科技推出的P沟道增强型场效应晶体管YJS4407A，采用SOP-8的封装设计，漏源电压为-30V，漏极电流为-12A，采用沟槽栅低压功率MOSFET技术和低RDS(ON)的高密度单元设计。其产品图如图1。
产品概述：
● VDS= -30V
● ID= -12A
● RDS(ON)( at VGS=-20V) ＜10.5 mohm
● RDS(ON)( at VGS=-10V) ＜12.5 mohm
● RDS(ON)( at VGS=-4.5V) ＜25 mohm
产品特点：
•沟槽栅低压功率MOSFET技术
•低RDS(ON)的高密度单元设计
•高速切换
产品应用：
●电池保护
●负荷开关
●电源管理
图1 产品图和内部电路图
表1 最大额定值
表2 电气特性
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品牌：扬杰科技
品类：P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
价格：￥0.1200
现货： 3,065
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