基本半导体重磅发布汽车级全碳化硅功率模块和第三代碳化硅肖特基二极管，尤其适用于新能源汽车

时间： 2021-11-29 来源：基本半导体

技术问答

新基建和“双碳”战略目标推动下，第三代半导体产业正在开启发展加速度，有望成为绿色经济的中流砥柱，引领新一轮产业革命。

“创新为基，创芯为本”，11月27日，2021基本创新日活动在深圳盛大启幕。基本半导体总经理和巍巍博士在会上发布了汽车级全碳化硅模块、第三代碳化硅肖特基二极管、混合碳化硅分立器件三大系列碳化硅新品，至此基本半导体产品布局进一步完善，产品竞争力再度提升，将助力国内第三代半导体产业进一步发展，受到了现场来自汽车、工业、消费等领域以及第三代半导体产业生态圈的业内人士高度关注。

汽车级全碳化硅功率模块

后疫情时代下，全球汽车产业普遍面临“缺芯”难题，而以碳化硅为代表的第三代半导体是支撑新能源汽车发展的关键技术之一，在电机控制器、车载充电器、DC/DC变换器等关键部件中发挥重要的作用。

发布会上，基本半导体汽车级全碳化硅MOSFET功率模块家族成员首次正式整体亮相，包括半桥MOSFET模块 Pcore™2、三相全桥MOSFET模块 Pcore™6、塑封单面散热半桥MOSFET模块 Pcell™等。该系列产品采用银烧结技术，相较于传统硅基IGBT功率模块具有更高功率密度、更高可靠性、更高工作结温、更低寄生电感、更低热阻等特性，综合性能达到国际先进水平，特别适合应用于新能源汽车。

汽车级全碳化硅功率模块家族成员具体介绍如下：

三相全桥MOSFET模块：Pcore™6

Pcore™6系列模块是一款非常紧凑的功率模块，专为混合动力和电动汽车提升效率应用而设计，使用氮化硅AMB绝缘基板、用于直接流体的铜基PinFin基板、多信号监控的感应端子（焊接、压接兼容）设计，具有低损耗、高阻断电压、低导通电阻、高电流密度、高可靠性（高于AQG-324参考标准）等特点。

塑封单面散热半桥MOSFET模块：Pcell™

Pcell™系列模块采用基本半导体设计的独有封装形式，采用银烧结和DTS技术，大大提升了模块的功率密度，让碳化硅材料特性得以充分发挥，使得产品具有高功率密度、低杂散电感(小于5μH)、高阻断电压、低导通电阻（小于2mΩ）、结温高达175℃等特点，非常适合于高效、高功率密度应用领域。

半桥MOSFET模块：Pcore™2

Pcore™2系列模块具有低开关损耗、可高速开关、降低温度依赖性、高可靠性（高于AQG-324参考标准）等特点，结温可达175℃，与传统硅基模块具有相同的封装尺寸，可在一定程度上代替相同封装的IGBT模块，从而有效缩短用户产品开发周期，提高工作效率。

第三代碳化硅肖特基二极管

追求更低损耗、更高可靠性、更高性价比是碳化硅功率器件行业的共同目标。为不断提升产品核心竞争力，基本半导体成功研发第三代650V、1200V系列碳化硅肖特基二极管，这是基本半导体系列标准封装碳化硅肖特基二极管家族中的新成员。相较于前两代二极管，基本半导体第三代碳化硅肖特基二极管在延用6英寸晶圆工艺基础上，实现了更高的电流密度、更小的元胞尺寸、更强的浪涌能力。

最新款碳化硅肖特基二极管的亮点表现：

更高电流密度、更低QC：第三代二极管具有更高电流密度、更低QC，使其在真实应用环境中开关损耗更低。

更强浪涌能力：通过工艺及设计迭代优化，第三代二极管实现了更高的浪涌能力。

更低成本：更高的电流密度带来更小的芯片面积，使得器件成本较前两代二极管进一步降低。

更高产量：使用6英寸晶圆平台，单片晶圆产出提升至4英寸平台产出2倍以上。

混合碳化硅分立器件

现代尖端电力电子设备性能升级需要提升系统功率密度、使用更高的主开关频率。而现有硅基IGBT配合硅基FRD性能已无法完全满足要求，需要高性能与性价比兼具的主开关器件。

为此，基本半导体首次正式发布一款新品：混合碳化硅分立器件。不同于全硅基IGBT+FRD，这款产品在以硅基IGBT作为核心开关器件的单管器件中，将器件中的续流二极管从硅基FRD换成了碳化硅肖特基二极管。

由于肖特基二极管没有双极型硅基高压FRD的反向恢复行为，Hybrid SiC Discrete Device的开关损耗获得了极大地降低。根据测试数据显示，这款混合碳化硅分立器件的开通损耗比硅基IGBT的开通损耗降低约32.9%，总开关损耗比硅基IGBT的开关损耗降低约22.4%。

基本半导体混合碳化硅分立器件可应用于对功率密度提升有需求，同时更强调性价比的电源应用领域，如车载电源、车载空调控制器以及其他高效电源等。

新品发布会后，基本半导体技术专家分别介绍了公司在碳化硅MOSFET、碳化硅功率模块、碳化硅驱动以及功率半导体可靠性测试关键项目的领先技术和经验。

此外，为深化碳中和愿景下的中欧科研创新协同合作，推动我国第三代半导体产业深入发展，此次2021基本创新日还同期举办了第五届中欧第三代半导体高峰论坛。

此论坛是由中国科学技术协会与深圳市人民政府共同主办的“2021中欧科技创新合作发展论坛”的专业论坛之一。深圳市科学技术协会党组成员孙楠，英国皇家工程院院士、剑桥大学Gehan Amaratunga教授，深圳大学微电子研究院院长、半导体制造研究院院长王序进院士出席论坛并致辞，来自剑桥大学、南京大学、天津工业大学、法国Yole Développement、比利时微电子研究中心、采埃孚、天科合达、汉磊科技、古瑞瓦特、基本半导体等中欧知名大学、科研机构、创新企业的专家学者分别作了精彩演讲，共同探讨中欧第三代半导体行业最新技术和发展前景。

2021基本创新日活动得到嘉宾的高度支持，反响热烈。未来，基本半导体将继续通过技术研讨会、产品发布会、行业论坛等形式举办创新活动，敬请期待！

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 112
| 转发至：

本文由翊翊所思转载自基本半导体，原文标题为:2021基本创新日盛大开启碳化硅系列新品重磅发布，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。

全部评论（112）

y Lv6. 高级专家 2022-04-07

学习
用户20865221 Lv5. 技术专家 2022-03-28

学习
文定 Lv5. 技术专家 2022-03-17

学习
用户71904310 Lv9. 科学家 2022-02-14

学习
EmmaChen Lv6. 高级专家 2022-01-26

学习

shakencity Lv7. 资深专家 2022-01-26

学习
otsuka Lv9. 科学家 2022-01-23

学习
用户_0414 Lv3 2022-01-22

2
小小马2020 Lv6. 高级专家 2022-01-18

666
小阁楼 Lv6. 高级专家 2022-01-17

学习

展开更多评论

阿基米德半导体携光储及车用IGBT模块实力亮相上海第十七届SNEC展会！

6月13至15日，阿基米德半导体在十七届全球SNEC展会璀璨亮相，阿基米德半导体展示了SiC MOSFET/IGBT单管，半桥IGBT模块，三电平IGBT模块, SiC模块等众多产品。这些产品广泛应用于直流快充/超充，工业电源，感应加热，光伏逆变器，储能PCS，新能源汽车等领域，为行业实现了更高的可靠性和能源转化效率。

原厂动态发布时间 : 2024-06-22

阿基米德半导体携光储及车用IGBT模块亮相深圳国际电子展，共襄科技盛宴！

日前，阿基米德半导体参加了在深圳会展中心举办的elexcon2024深圳国家电子展。展示了SiC MOSFET/IGBT单管，半桥IGBT模块，三电平IGBT模块, SiC模块等众多产品。广泛应用于直流快充/超充，工业电源，感应加热，光伏逆变器，储能PCS，新能源汽车等领域。

原厂动态发布时间 : 2024-09-04

爱仕特获国家级专精特新“小巨人”企业称号，以卓越性能和创新方案推动碳化硅行业发展

2024年9月2日，深圳市中小企业服务局官方发布了工业和信息化部认定的第六批专精特新“小巨人”企业公示名单，爱仕特被认定为国家级专精特新“小巨人”企业。爱仕特在经济效益、专业化、创新和管理等方面表现突出，特别是在自主品牌和市场占有率等关键指标上成绩显著，获评了“小巨人”称号，得到了国家层面的高度认可。

原厂动态发布时间 : 2024-09-11

华润微电子（CRM ICBG）功率器件选型指南

描述- 华润微电子功率器件事业群（Power Device Business Group，简称PDBG）是华润微电子旗下全面负责功率器件设计、研发、制造与销售服务的业务单元。其下设有中低压MOS产品线，高压MOS产品线，IGBT产品线，特种器件产品线和模块产品线。拥有CRMICRO、华晶和IPS三个功率器件自主品牌。

型号- CRSM076N04N2Z,CRXB10D065G2,CRTD080N02U2-G,CRMV0318D,CRTT048N08N,CRG75T60AK3SD,CRTS030N04L,CS4N90FA9HD,CRJL99N65G2,CS630FA9H,CRTS025N04L2-G,CRXQ40D065G2,CS4N80ARHD-G,CS630FA9R,CR7N60A4K,CS55N10AQ3-G,3DG3001A1-H,CS16N06AE-G,CS45N06A3,CRMM4976C,CRTK055N03L2P,CS45N06A4,CRTS150N15N,CS5N20A4,CS5N20A3,CS7N70A4R-G,CRGMF800T120DS1AH,CRJW125N60G2F,CRGMF50T120FSC,CS12N70FA9H,CRG30T65A05SDZ,CS50N20ANR,CRJT99N65G2,2CR60K60AND,CRXQF60M065G1,CRTD370P10L,CRSS056N07N,CR7N60A3K,CS460FA9H,CRGMP40T120DV2A3,CRG75T60AK3H,CRJQ30N60G2F,CRJF550N65G2,D92-02,CRTD055N03L,CS24N60ANR,CRM50TD04R1,CRMM4978C,CRTT056N06N,CS5N60A3H,CS4N65A3R,CRST113N20N,2CR15K120A8C,CRG75T65BK5HD,CRXB20D120G2,CRTT019N03L2-G,CRM50TA04E1,CRTH105N06L,CR2N60A4K,CS10N40A8R,CRMR0410D,CRG MA450T65DSP2A5,CRSY030N04L2Q,HGQ01N04A-G,CRXBD20D065G2,CRSM055N04N2Z,CRTD028N03L2-G,CRJT74N60G2BF,CRST100N06L2,CR16N60FA9K,CS4N65A4R,CRXI12D065G2,HPA800R750PD-G,HPA700R320PC-G,2CR106A8C,CRJT380N65G2,CS4N65A4D,CS21N06A3,CS6N120FA9R-G,CRMM4953D,CRG08T60A93L,CS14N25A4R,CS21N06A4,CRTM025N03L,HPF800R300PD-G,CR2N60A3K,CRRT20L60A,HPD800R1K4PD-G,CR4N60FA9K,CRJQ41N65GCFQ,CS10N045AE-G,CS14N25A8R,CRSS020N08N3Z,CS2837AND,CS8N70FA9RD,CRG40T65AN5H,CRM15QN600S,CS4N80A3HD,CRTT039N08N,CRNT080C65,CRRS40L100A,CRNT200C65AX,CRJF1K2N70G2,HGE055NE4A,CRSZ020N08NZ,CS240N06A0,CS60N12A8,CS240N06A8,CRG25T120BK3SD,CS9N20FA9R,CRSS049N07N,CRSD090N12N,CRTS084NE6N,CRJD1K2N65G2,CRST052N07N,CRG75T65AK5SCD,CRST020N06N2,CRJF74N60G2F,CR6N70FA9K,CRJQ60N65G2BF,CRG75T65AQF5HD,2CR086AC,CS6N90ARH-G,CS10N50A8R,CRXQF160M120G2Z,CS13N50FA9R,CRG50T60AK3HD,2CR108A8C,CS6N40A3R,CRTD080N02S2-G,CS13N50FA9H,CRRT30L45A,CRXMF450P120PDG2AQ,CRXX40M120G2Z,CS2N60FA9H,CRG75T65AK5HC,CRM50TD06R1,CRG75T65AK5HD,CS18N50FA9R,CRJF850N65GC,CRXF08D065G2,CRG15T60A83L,CRSM038N10N4,CRSM120N10L2,CRXU10D120G2,CRJD650N65G2,CS2N60FA9R,CRJB1K4N70G2E,HGQ024N04A,CS17N10A3,CS17N10A4,CS6N40A4R,CRG40T120CK3LDQ,CRSM033N08N4,CRSM105N15N3,HPP800R300PD-G,CRG15T120BNR3S,CRM50TA06E1,CRM60GH15E4,CS5N50FA9R,2CR40K120ABC,CRTD360N10L,3DD4520A3,CRXQ60M065G1,3DD4520A4,CS10N40A4R,CS7N80FA9RZ-G,3DD4520A6,HGQ014N04A-G,CRJL99N65G2F,CRJD900N70G2E,CRST072N12N,CRJQ41N65G2BF,CRJF340N65G2,CRSM058N08N3,CR4N50FA9K,CRRS40L45A,CRSM080N10L2,CRMM4840D,CS5N90A8R,CRST073N15N,CRTS032N06N,CRTE080P03L2P,CS10N50FA9R,CRRT20L120A,CRXI20D065G2,CRJS190N65GCF,CRGMF600T120DVDAH,CRJD650N65GC,CS10N40A3R,CRXI08D065G2,HPF800R450PD-G,CS730A3RD,CR12N60A8K,2CZ20100A8S,CRXU20D065G2,CRTD10DN10L,CS/CRX(XX)NX(XX)(F)AX(X)(D)(Y)□,CRSM046N04N2Z,CS100N03A4-G,CS25N50ANR,CRSQ23N10N4Z,CRXU15D120G2,CR6N70A3K,CRG25T120BKR3S,CRG25T120AK3SD,CRNQ050C65,CRJF600N70G2,CS640FA9H,CS7N80FA9R,3DD4540A9,CRM10QT500S,CRMM6602C,CS30N25A8R,CS40N25FA9R,CRTD052N02S2-G,2CZ20100A8,3DD4518A3D,CRTD028N04L2-G,3DD4540A3,CRTK060P02S2P,CRJD440N70G2,CRXF16D065G2,CRMB0301C,CRSS109N20N,HPD700R320PC-G,CS150N03D8,3DD4540A7,CRST033N08N,CRRA10L100B□,CRTM021N04L2-G,CR6N70A4K,CRXU30D120G2,CRSM080N10N4,CS6N120AKR-G,CRXSP1KM170G1,HPU800R750PD-G,CS830A4RD,CRXQ17M120G1,CRJT065N60G3F-G,HPA600R600PC-G,CRXQF40M120G2Z,CRTT095N12N,CRSG022N10N4Q,CS6N90ARR,CRJF190N65GCF,CRXQF40M120G2Q,CRSG022N10N4Z,CRRT30L100B,CRXQ16D065G2,CRRT30L100A,CRXQ160M120G2Z,CRTD045N03L,CRTT067N10N,CRMM9926,CRJF065N60G3F-G,CRJS750N70G2,CRJH750N70G2,CRSZ025N10NZ,CS4N10AE-1,CRNF300C65,CRRF10L150A,CRTR550N06L,CRXI05D120G2,CRST041N08N,CRMV0604D,CRMD1002D,CS65N03AQ4-G,CS5N90A3R,CRRT20L45A,CRSM010N04L2,CRSS046N08N,CRJD360N70G2,CS10N80AND,CRST060N08N3,CS5N90A4R,CRRT20L100A,CRSM088N12N,CS150N03A8,CRJF99N65G2F,CRRT20L100B,CRTJ200N02U2-G,CS7N65ARD,CRJD900N70G2,2CR30K60A8C,2CR20K60A8C,CRSS109N20NZ,CRSS087N12N,CS5N65A7H,HPA800R1K4PD-G,CS7N10AQ2-1,CRTT088N10N,CS19N10A8,CRSD090N10N4Z,CRSM650N20N3,CRMM3907C,CRSQ027N10NZ,CS2R60A4RP-G,CS7N65ARR,CRTM084NE6N,CR7N60FA9K,CRSZ028N12N3Z,CRNF125C65,CRXI04D065G2,CRJD2KN70G2,CS3N150AHR,CRJS200N70G2,CRSS057N08N3,CRSM067N07N,CRSM072N10N2,CRJF99N65G2BF,CS5N65A8H,CRSS050N10N,CRJQ80N65F,CRME0308D,CS5N65A8R,2CR25K60A8C,CRGMS75T120DV3AH,HPD600R600PC-G,CS7N70B31R-G,CRXQ32D065G2,CRST053N10N,CS2N60A23H,CS3R50A4RP-G,CRG08T60A03L,CRTD125P06LQ,CS8N65A3R -G,CS60N03AQ4-G,CR20N60A8K,CS5N10AE-G-1,HPA800R900PD-G,CRSZ020N08N,CS32N045A4-G,CS6N65FA9,CRXQF17M120G1,CS5N20FA9,CRSY035N04N2Z,CRG75T65AQF5SD,CS8N25FA9R,CRG40T60AK3SDQ,CRTB550P06N2-G,2CR30K60AN,CS2N65A4HY,CRSS053N07N,CRSQ113N20N,CRTD039N04L2-G,CS10N80A8HD,CRJT125N60G2F,2CZ20100A9S,CS12N65A0R,CRST047N12N,CRMV0406D,HPD800R1K2PD-G,CS4N80A3R-G,CRJL190N65GC,CRXD06D065G2,CRM60XX05EAX-BD,HPA650R420PC-G,CRJL190N65G2,CS250N04A8,CS35N04A3-G,CRMB0322D,CRM60GJ15E4,CRJT390N65GC,CS3N90FA9R,CS90N03A3,CRSM054N04N2DZ,CS90N03A4,CS45N25FA9R,CRML0202D,CRSS052N08N3,2CZ20100A0S,CRXQ20D065G2,CS3N150AKR,CRJQ190N65GCF,CS40N25A8R,CRG75T65AK5SD,CRTM030N04L,CS20N60FA9H,CRSE120N10L2,CS3N90FA9H,2CR20K120A8C,CS3N30B23H,CRXQ45M065G1,CRMM3903C,CRXI02D120G2,CS20N60FA9R,CRSE095N06L2,CS24N04A4-G,CRXI15D120G2,CS2N60A3H-G,CRG40T65AK5SD,CRXB08D065G2,CS28N50ANR,CS6N120A8R-G,CRJQ41N65G2,CRTD680P10LQ,CRSE095N06L2A,CRXQ160M120G1,CRTE120N06L,CRJQ41N65GC,CS35N04A4-G,CRXQ3

选型指南 - 华润微电子 - 2024/3/11 PDF 中文下载

中电国基南方（CETC）SiC电力电子器件选型指南

描述- 中电国基南方是国内最早从事SiC电力电子器件研发和生产的企业。在SiC为代表的第三代功率半导体领域承担了国家科技重大专项、“863”、“973”、国家重点研发计划等超过80项国家级课题；申请发明专利超过200多项，其中PCT10项，已授权67项。产品系列电压覆盖650V-6500V，电流覆盖2A-150A，产品性能和可靠性满足多种应用需求，已广泛应用于新能源汽车及充电设备、轨道交通、新能源发电、电网传输、家用电子设备等领域。

型号- WS4A020120A,WS4A050065D,WMH075M120A1A,WS4A050065B,WS4A020120B-V,WS4A020120B,WS4A020120D,WS4A040120K,WMIT075M120B1A,WS4A040120D,WM2HA020065Y,WS4A040120B,WMT075M120B1A,WMH020M065A1A,WS4A030065D,WS4A020120J,WS4A040120B-V,WS4A020120K,WS4A030065J,WS4A025170B,WS4A025170D,WS4A030065B,WM2A030065L,WM2A030065K,WS4A030065K,WS4A050170B-V,WMD075M120B1A,WM2HV020170L,WS4A006065F,WM2HV020170K,WS4A006065E,WS4A004065A0,WS4A006065B,WS4A006065A,WS4A010065E,WS4A015065J,WS4A010065F,WS4A010065A,WS4A015065F,WS4A010065B,WM2A080170N,WM2A080170L,WM2A080170K,WM2HV140120N,WM2HV140120L,WM2HV040065L,WM2HV040065K,WM2HA040120N,WM2HA040120L,WM2HA040120K,WM2A060065N,WM2A060065K,WM2HV040065N,WM2A060065L,WS4A050170B,WM2A060065Y,WM2HA030120N,WM2HA030120K,WS4A050170D,WM2HA030120L,WM2HA020120K,WM2HV140120K,WS4A005120E,WM2HA020120L,WM2A040120L,WM2HV020120N,WM2HA020120N,WM2HV020120K,WM2HV020120L,WM2A040120K,WS4A010065J,WS4A015120J,WS4A015120D,WM2V080170K,WS4A050065B-V,WS4A005120A,WS4A005120B,WMH016M120A1A,WM2V080170L,WM2HA040065N,WM2V080170N,WM2HA040065L,WM2HA040065K,WS4A020065A,WS4A020065D,WS4A020065B,WM2HV030120K,WS4A020065B-V,WM2HA040065Y,WS4A020065F,WS4A015120A,WM2V040120L,WM2V040120K,WS4A015120B,WMH060M120A1A,WM2HA011075K,WM2HA011075L,WM2HA04006Y,WM2HV030120N,WS4A060120D,WS4A020065K,WM2HV030120L,WS4A020065J,WM2HA024200LP,WS4A060120K,WM2V040170L,WM2V040170N,WS4A025170B-V,WM2V040170K,WMH080M170A1A,WS4A030120K,WS4A030120B-V,WM2HV060120L,WM2HV060120K,WM2HV060120N,WMIT040M120B1A,WM2HV011075L,WM2HV011075K,WS4A200120T,WMT040M120B1A,WM2HA240120N,WS4A010120E,WS4A004065F0,WS4A010120D,WS4A010120B,WS4A010120A,WM2A050330L,WM2HA240120E,WS4A008065B,WM2HV040120L,WS4A060065K,WS4A008065A,WMD040M120B1A,WS4A008065F,WS4A008065E,WM2HA140120L,WSXAXXXXXX0,WM2HA140120K,WM2HA140120N,WS4A050120D,WS4A050120B,WMH040M120A1A,WM2HV016120L,WM2HV016120K,WM2HA020170L,WS4A010120J,WM2HA020170K,WS4A040065K,WS4A050120B-V,WMH060M075A1A,WS4A015065A,WS4A015065B,WM1A650170N,WM1A650170K,WM2A075120K,WM2A075120L,WM2A075120N,WM2V020065N,WM2V020065K,WM2V020065L,WS4A004065B0,WS4A004065E0,WMXAXXXXXX0,WM2V075120N,WM2HA060120K,WM2V075120K,WM2HA060120L,WM2V075120L,WM1A080120K1,WM2HA060120N,WM2HV075120L,WM2HA020065K,WS4A030065B-V,WM2HA020065L,WM2A040170K,WM2A040170L,WM2A040170N,WM2HA016120L,WM2HA016120K,WM2HA020065N,WM2HA016120T,WM2A060090N,WMH020M120A1A,WM2A060090K,WM1A080120L1,WM2A060090L,WM2A100200LP,WM1A01K170K,WS4A030120D,WM2A050200LP,WM2A020065L,WM2A020065K,WM2A020065N,WM1A01K170N,WS4A030120B

选型指南 - 中电国基南方 - 2024/7/30 PDF 中文下载

研讨会2024功率器件新技术研讨会

描述- 11月21日在线直播，带来低导通电阻的功率MOS、集成驱动的GaN IC、IGBT新技术、用于电机驱动/BMS/移动储能的SGT MOS、高压车规SiC功率MOS、国产车规IGBT模块等功率器件新产品新技术，点击了解报名

活动发布时间 : 2024-10-12

【元件】基本半导体推出工业级Pcore™2 E2B碳化硅MOSFET半桥模块BMF240R12E2G3

BMF240R12E2G3是基本半导体为更好满足工业客户对高效和高功率密度需求而开发的一款1200V 240A大功率碳化硅MOSFET半桥模块，该模块采用了Press-Fit压接工艺、带NTC温度检测以及高封装可靠性的氮化硅（Si3N4）AMB陶瓷基板等技术。

产品发布时间 : 2024-04-12

基本半导体（BASIC）碳化硅功率器件选型指南

描述- 深圳基本半导体有限公司是中国第三代半导体行业创新企业，专业从事碳化硅功率器件的研发与产业化。公司总部位于深圳，在北京、上海、无锡、香港以及日本名古屋设有研发中心和制造基地。公司拥有一支国际化的研发团队，核心成员包括二十余位来自清华大学、中国科学院、英国剑桥大学、德国亚琛工业大学、瑞士联邦理工学院等国内外知名高校及研究机构的博士。

型号- B2D05120E1,B2M1000170Z,B2M1000170R,BTD5350SBPR,BTL27523R,B2M080120Z,BMS600R12HLWC4_B01,B3D40120HC,B2D40065H1,BGH75N65HS1,BD2M040A120S1,B2M080120R,BGH75N65ZF1,B2D,B2D60120H1,BMS800R12HWC4_B02,BMS950R08HLWC4_B02,BTL27523B,B2M080120H,B2D16120HC1,B3D03120E,BGH40N120HS1,B2DM060065N1,BTD5350E,BTD5350SBWR,BTD5350EBPR,B3D系列,BTD21520M,BTL27524R,B2D30120H1,BTD21520E,BTD5350MBPR,BD2D20A120S1,BD2D40A120S1,B3D,BTL27524BR,BTL27524B,B2D02120K1,BTD21520S,BMF800R12FC4,BTL2752X,AB2M040120Z,BD2D10A065S1,B2M040120H,BTD25350MMCWR,BTD21520系列,BTD3011R,BTD21520MBWR,B2D10120E1,AB2M040120R,BTD5350SCPR,BMF240R12E2G3,BMF600R12FC4,BMS700R08HWC4_B01,BTD21520EBWR,B2D08065K1,B2M032120Y,BTD25350MECWR,BTD5350EBWR,B2D30120HC1,B2D40120HC1,BD2D04A065S1,B2D10065F1,B2M040120Z,B2M009120Y,BD2M065A120S1,BD2D02A120S1,BMF700R08FC4,B2D系列,B1D06065KS,B2D40120H1,B2M040120R,BMS950R08HWC4_B02,BGH50N65HS1,BGH50N65ZF1,B2D10065KF1,B2D04065E1,BTD5350,BTD5350SCWR,B3D40200H,BTD5350ECPR,BTD5350M,BTD5350MBWR,BTD21520MBPR,BTD5350S,B2D08065KS,BD2D30A120S1,BTD5350MCPR,B2D20065F1,BD2D08A120S1,B2M1000170H,BTL27523BR,BMS800R12HLWC4_B02,BD2D15A065S1,BD2D20A065S1,B2D20120H1,B2M160120Z,BTD25350MMBWR,B2D10120K1,BTD21520MAWR,B2D20065HC1,B2D30065HC1,BTD25350,B2M160120R,BTD21520EAWR,B2D40065HC1,BMS700R08HLWC4_B01,BTD5350ECWR,BTD25350MEBWR,B2D04065KF1,BGH75N65HF1,B2D10065KS,BTD21520EBPR,BMZ200R12TC4,BTD21520SBWR,B2D04065K1,B3D20120H,BMS600R12HWC4_B01,B2M160120H,BGH75N120HF1,B2M030120R,BD2D08A065S1,BTD25350系列,B2M011120HK,BTD21520SBPR,BTD3011R系列,BTD21520MAPR,B2M030120Z,B2M009120N,BTD5350MCWR,B2D06065K1,BTD5350系列,BMZ250R08TC4,B2M012120N,B3D50120H2,BTD25350MSCWR,BTL2752X系列,B2D20065H1,B2D10065E1,B2M030120H,BD2D30A065S1,B2D06065KF1,B2D05120K1,B2D02120E1,B2D06065E1,BMF950R08FC4,BD2D05A120S1,BGH50N65HF1,B2D20120F1,BD2D15A120S1,B2D20120HC1,B2D10120HC1,BTD21520EAPR,BTD25350ME,BTD21520SAWR,BTD21520,B2D20065K1,B2M018120Z,BTD25350MM,BTD25350MS,B2D16065HC1,AB2M080120R,B2D10120H1,B2M018120N,BD2D06A065S1,B2D30065H1,B2M065120Z,BTD21520SAPR,AB2M080120H,B2M065120R,B2M018120H,B2M065120H,BD2D10A120S1,BTL27523,B2D10065K1,AB2M080120Z,BTD25350MSBWR,B2M020120Y,BTL27524,B3D05120E,B2DM100120N1,BD2D40A065S1

选型指南 - 基本半导体 - 2024/5/16 PDF 中文下载

【元件】展会直击 | 2.5nH超低电感，爱仕特全新LPD碳化硅模块惊艳亮相PCIM

2024年8月28日，亚洲电力电子行业盛典——PCIM Asia 2024在深圳国际会展中心如期召开，爱仕特在展会现场发布新一代超低电感LPD系列碳化硅功率模块。该模块采用创新封装和三相全桥设计，内置1200V碳化硅MOSFET和热敏电阻，杂散电感低至2.5nH，工作安全稳定。工作电源电压可达900V-1000V，工作频率可达30kHz，输出功率可达300kW。

产品发布时间 : 2024-08-29

芯际探索（XJTS）功率器件选型指南

描述- 公司以元器件可靠性为基础，在该领域纵向发展，自主研发了 IGBT 及模块、Si 基 /SiC 基 MOSFET及模块和 HVIC 高边开关系列产品。应用市场从以往传统的航空航天、商业航天领域拓展至当下炙手可热的新能源汽车、高铁、舰船、光伏等电子电力装置领域，满足多领域逆变器、UPS、变频器、电机驱动及大功率电源的应用需求。

型号- CSBW50N65EC,CSBW40N120E,CSSY60M190B,CSBP15N60B,CSCX3N65A,CSFP25R12FBF,CSSA70M200CFD,CSSX70M1K5,CSBC15N65B,CSVX13N50B,CSKX6N65AK,CSBA20N60BZ,CSFF150R12KB,CSVM02N50HA,CSKX20A120AK,CSBW50N65EH,CSSX65M210B,CSSA65M640B,CSKX20N65AK,CSTO5N60N,CSCK20N120A,CSKX8N65AK,CSSD100D120R3QN,CSTU15N30AK,CSSX80M670B,CSVP15N50AKH,CSBA10N65B,CSSX65M320B,CSSX65M550B,CSSX65M990,CSCE20N120A,CSSX70M190,CSVX7N60ECFD,CSFF200R12RB,CSVA10N65F,CSSA65M280CFD,CSVX10N65B,CSGU15R30BKH,CSKX10N65AK,CSSS150D065R3ON,CSSX60M900B,CSFP40R12FBF,CSFF50R12RB,CSSW60M041,CSSA65M1K5,CSSA65M1K8,CSBW30N120E,CSFF75R12RB,CSGU10R7,CSSS600D120R3MW,CSBQ50N120B,CSBQ75N120BF,CSTD50N60N,CSSW60M086CFD,CSCC10N120A,CSBW40N120ES,CSFF200R07RBF,CSFS150R12DBF,CSSX65M170,CSSX70M710B,LPHVIC2AB,CSSA60M240,CSSD050F120R3ON,CSSX70M300CFD,CSSW65M045B,CSFP100R12DBF,CSBD6N65EF,CSFP75R12TBF,CSFF820R08RBF,CSSX65M260,CSCC15N120AK,CSFP75R12DBF,CSVX10N60B,CSBW50N65E,CSCX120R80BKX,CSSX70M600B,CSCE30N120A,CSSW65M092CFD,CSVX14N50B,CSBP15N65B,CSSX70M430,CSVX20N50B,CSSV050D120R3ON,CSSX60M940,CSVX2N60B,CSFF450R12KBF,CSSX65M390,CSCK15N120A,CSCX15N65A,CSCX6N65A,CSTO2N10,CSSX65M110B,CSSD70M910B,CSSC600D120Z2MN,CSBW60N60CF,CSFP150R12DBF,CSVX2N65BK,CSBW50N65BH,CSSD100D170C6XN,CSSX60M350B,CSSW65M046CFD,CSSS300D120Z2MW,CSFP15R12CBF,CSBW40N120BF,CSFP50R12TBF,CSSS500D170C3MN,CSFP25R12EBF,CSSX70M900,CSSS380D170C3MN,CSVA12N65F,CSSX60M370,CSBM10N60BTB,CSBW40N65BF,CSFP50R12DBF,CSSA65M1150E,CSCX120R40BKX,CSGJ010R075,CSSX65M830B,CSTO4N85,CSSW65M030CCFD,CSSW60M115B,CSFF75R12RBF,CSSW65M065E,CSVX8N70,CSVX7N60B,CSGJ80R040,CSSS250D170C3MN,CSSX80M850B,CSVX4N65F,CSVX4N65B,CSCX10N65A,CSCX2N65A,CSSX65M810,CSFS200R12DBF,CSSX70M1K1B,CSGP10R033,CSFF200R12KBF,CSVX20N65F,CSSS200D120R3PN,CSVX20N65B,CSSS100D120R3ON,CSFP40R12CBF,CSHVIC25,CSSX60M190B,CSSW60M150B,CSSS100F120R3OW,CSSX65M165B,CSVX12N65B,CSSS100F120R3PN,CSSX70M360B,CSVX3N60BCFD,CSRC25U20AL,CSCZ120R30BKY,CSSX80M250B,LPHVIC75B,CSTD50N30R,CSFF150R12RB,CSVM03N60TA,CSVA8N65B,CSFF450R12MBF,CSSA70M180B,CSVM03N60TD,CSFF100R07RBF,CSFS100R12DBF,CSSX65M130B,CSTP80N60N,CSFF150R12KBF,CSCX120R30BKX,CSSC600D120R3MN,CSCX8N65A,CSFP25R12CBF,CSSX70M700,CSKP1N30AK,CSSX80M380B,CSCE1N40AKH,CSFF200R12KB,CSFP50R12FBF,CSSX65M1K0B,CSFF450R17MBF,CSTO3N60N,CSVX18N50B,CSVX4N70,CSCE40N120A,CSSX60M600,CSGJ06R030,CSSA65M180CFD,CSSS250D170G3MN,CSSX60M160,CSHVIC15,CSBW15N120BF,SSX65M450B,CSFF100R12RB,CSCX120R16BKX,CSSS050F120R3OW,CSBA15N65B,CSSD100F170C6XN,CSSC600D12R3MN,CSFB15R12WBF,CSSP65M600AKH,CSFF400R12KBF,CSVX7N65B,CSSA60M250CFD,CSFF150R12RBF,CSVM07N60TD,CSVX7N65F,CSSS300D120R3MW,CSBX20N60B,CSVM07N60TA,CSVA20N50F,CSSS300D170C3MN,CSBW40N60BF,CSFF600R12MBF,CSBL50N120B,CSBM15N60BTB,CSVX4N60B,CSSA70M230B,CSSD050D170C6XN,CSCK30N65A,CSRT80U40B,CSSS900D120R3TW,CSCX4N65A,CSFP40R12EBF,CSBA10N60E,CSFF300R17KBF,CSSD050F170C6XN,CSBX10N60B,CSVX6N70,CSBW25N60BF,CSSX65M380B,CSBC15N60B,CSVX5N50CCFD,CSSW60M043CFD,CSGJ10R7,CSBW25N120BF,CSHVIC75,CSVX12N60B,CSCC6N120A,CSVA11N70,CSTO3N60,CSBX10N65EF,CSFF300R12KBF,CSSX70M1K,CSVX2N65B,CSSX60M160CFD,CSSS600D120Z2MW,CSSD100D120Z2QN,CSVX4N150D,CSSS1000D170C3XN,CSSX70M420B,CSFB600R12DBF,CSBA15N60B,CSFF300R12KB,CSSX65M1K6,CSVA13N50F,CSBL75N120BF,CSSX60M760,CSSX60M082,CSFF100R12RBF,CSFP15R12WBF,CSFF150R07RBF,CSGC20R170,CSRT60U30B,CSSX65M650,CSSX70M290,LPHVIC2A

选型指南 - 芯际探索 - 2023/10/13 PDF 中文下载

【产品】采用标准HPD封装的汽车级全碳化硅三相全桥MOSFET模块Pcore™6，提高系统输出电流能力10%

汽车级全碳化硅三相全桥MOSFET模块Pcore™6是基本半导体基于广大汽车厂商对核心牵引驱动器功率器件的高性能、高效率等需求设计并推出的产品。该产品采用标准HPD封装，并在功率模块内部引入了先进的有压型银烧结连接工艺，以及高密度铜线键合技术。

新产品发布时间 : 2022-09-17

爱仕特D21系列三相桥碳化硅模块，具有高效能、高功率密度和优秀的散热性能，引领车载空调压缩机发展

在2024年上海慕尼黑电子展上，爱仕特隆重推出了创新力作D21系列模块——1200V三相全桥碳化硅模块。这款模块采用紧凑型顶部散热塑封结构，以其高效能、高功率密度和优秀的散热性能，展现了碳化硅材料在高压、高频、低损耗方面的优势，为电动汽车空调压缩机、车载充电机及工业驱动系统等提供了创新解决方案，推动行业向更高效、更环保的方向迈进。

产品发布时间 : 2024-08-27

混合式IGBT可解决硅基FRD的Snappy现象限制IGBT的开通速度问题

基本半导体混合碳化硅分立器件将新型场截止IGBT技术和碳化硅肖特基二极管技术相结合，在部分应用中可以替代传统的IGBT，使IGBT的开关损耗大幅降低，适用于储能（ESS）、车载充电器（OBC）、不间断电源（UPS）、光伏组串逆变器等领域。

器件选型发布时间 : 2024-07-09

混合式IGBT——硅FRD的Snappy现象会限制IGBT的开通速度 ∣ 视频

基本半导体市场部总监魏炜老师将继续带来混合式IGBT话题第三讲，主要介绍硅基FRD反向恢复的Snappy现象对IGBT的开通速度的影响，以及用碳化硅肖特基二极管的替代解决办法，点击视频一探究竟！

技术探讨发布时间 : 2024-05-07

凶猛来袭！基本半导体领先碳化硅功率模块技术赋能埃安霸王龙，强悍超长续航引领绿色出行新风尚

2024年7月23日，埃安全球战略车型第二代AION V上市发布会正式启幕，第二代AION V以“纯电霸王龙”的姿态震撼登场，展现在外观、空间、续航、补能、舒适、智能和安全等方面的八大核心产品力。基本半导体以领先的碳化硅功率模块技术，赋能埃安霸王龙凶猛来袭，以强悍的超长续航、超高效能引领绿色出行新风尚！

产品发布时间 : 2024-07-31