【产品】适用于大电流应用中的CP390-CDM4-600LR增强型N沟道MOSFET，反向击穿电压高达600V
CP390-CDM4-600LR是美国Central Semiconductor公司推出的一个经典款增强型N沟道MOSFET，它是一款MOSFET裸片产品，可根据客户的实际需求进行定制生产。灵活的定制方式，高品质的产品，使其一经推出便在市场上收获了良好的口碑，拥有了相当的市场占有率。该款MOSFET管芯主要是针对大电流需求的应用电路而设计生产，其特点鲜明，优点突出，器件使用效果完全符合其设计目的。
图1 CP390-CDM4-600LR增强型N沟道MOSFET的管芯结构示意图
CP390-CDM4-600LR增强型N沟道MOSFET的漏极持续电流ID值与源极持续电流IS（作为体二极管时）值同为4.0A，相比类似产品的几百毫安数据，其的确符合大电流适用的特性。而与这两个数据相匹配的最大脉冲电流耐受值IDM和ISM也同为13.5A，可见其耐浪涌电流冲击性较强，电气可靠性得到保障。CP390-CDM4-600LR增强型N沟道MOSFET的漏源反向击穿电压VDS高达600V，其截断性能优秀，耐受压能力极强。同时，源极短路时的漏极电流IDSS仅有0.065~1.0μA，也能说明其穿透性差，单向导通的效果好。在栅源电压耐受方面，由于其大电流工作的特性，VGS必然相对较低，为30V，但在此条件下漏源短路时的栅极正反向电流IGSSF和IGSSR仅仅100nA，其正反向的阻断特性都十分优秀，可保证器件的工作性能稳定。
图2 CP390-CDM4-600LR增强型N沟道MOSFET的重要参数曲线图
CP390-CDM4-600LR增强型N沟道MOSFET的栅源触发电压VGS(th)为2.0~4.0V，其寄生二极管的导通压降VSD更低为0.86~1.4V，其导通损耗极低。而其静态漏源开启电阻rDS(ON)只有0.65~0.95Ω，其导通工作时的功耗也必然极低，当为毫瓦级别，由此该器件可称得上是节能型产品。该器件的反向转移电容Crss（即栅漏电容）值极低，仅为1.31pF，这就使另一关键参数栅漏电量Qgd也仅有6.09nC。由此，CP390-CDM4-600LR增强型N沟道MOSFET的栅极总电量Qg(tot)在一个极低的水平，为11.59nC。这些出色的数据，最终将器件的响应时间数据降低到了极为理想的数值。开启延迟时间td(on)为8.0ns，关断延迟时间td(off)为33ns，上升时间tr为24ns，下降时间tf为24ns。最后其综合为该器件响应频率的关键数据，反向恢复时间trr值为211ns，反向恢复电荷Qrr为1.7μC。可出色的应用在快速且高响应频率的电路应用中。最后，CP390-CDM4-600LR增强型N沟道MOSFET的温度特性也相当不错，其单脉冲雪崩能量最大值EAS为197mJ，说明器件内部可承受较大的发热量，而不影响其正常工作的稳定性。其工作温度范围从-55°C~+150°C，耐低温、耐高温工作能力强。
CP390-CDM4-600LR增强型N沟道MOSFET的主要特点：
• 一款增强型N沟MOSFET
• 管芯编号，可定制生产
• 支持大电流工作，ID=IS=4.0A
• 耐浪涌电流冲击性较强，耐压性较好，电气可靠性较高
• 阻断性能优秀，工作稳定性好
• 响应速度快，响应频率高，trr值为211ns，Qrr为1.7μC
• 温度稳定性好，EAS值为197mJ
• 工作及存储结点温度范围：-55°C~+150°C
CP390-CDM4-600LR增强型N沟道MOSFET的典型应用：
• 绿色照明领域
• 交通运输领域
• 家用电器市场
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太皇太后有喜啦 Lv4. 资深工程师 2018-11-05学习了 -
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kofjlu Lv7. 资深专家 2018-11-05好产品 -
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周鑫 Lv8. 研究员 2018-11-05每天学习有进步 -
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加一 Lv7. 资深专家 2018-11-05学习了 -
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lcch81 Lv7. 资深专家 2018-11-05学习 -
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梅西 Lv6. 高级专家 2018-11-05学习了 -
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magic117 Lv6. 高级专家 2018-11-05不错
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型号- CP390-CDM4-600LR-WN,2N2222A TIN/LEAD,2N2222A PBFREE,CP390-CDM4-600LR-CT,CP390-CDM4-600LR,CP390-CDM4-600LR-WS,CP390-CDM4-600LR-WR,CP390-CDM4-600LR-CM
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