【应用】美浦森推出230W碳化硅+氮化镓LLC电源方案，完美解决游戏本对于快充电源需求
对于传统笔电本电脑的适配器而言，大块头是多年来一直无法摆脱的梦魇，尤其是游戏本电源。直到氮化镓技术正式商用，这种现象才逐渐得以改善，让小体积、大功率成为可能。
近日，业内知名碳化硅器件原厂美浦森推出了一套230W的碳化硅+氮化镓电源参考设计，其功率密度达到了1.47W/cm3，相较于传统电源而言，体积缩小一半。为大功率游戏本电源提供了更加轻巧、便携快充充电器方案。
一、美浦森230W碳化硅+氮化镓电源方案外观
美浦森230W碳化硅+氮化镓电源方案基于单块PCB板开发，并且预留了折叠插脚的空间。正面结构清晰，主要分布着电容、电感、整流桥、变压器等插件元器件，其中高压滤波电解电容横向放置，降低整套方案的厚度，另有一根接地导线横跨初级和次级。
次级侧元器件布局相对较少，输出采用了四颗固态电容以及一颗电感滤波。
该套电源方案基于PFC+LLC高性能电源架构开发，在其中的PFC升压部分，采用了一颗美浦森的碳化硅二极管，用于升压后的整流。此外还采用了四颗氮化镓功率器件，分别用于PFC升压和LLC半桥。
尺寸方面，实测整套方案的PCB板的长度约为97.86mm。
宽度约为67.82mm。
厚度约为23.5mm。经计算该方案的体积约为155.82cm3，功率密度1.47W/cm3。
二、美浦森230W碳化硅+氮化镓电源方案核心器件
美浦森230W碳化硅+氮化镓电源方案采用了一颗LLC+PFC合封控制芯，该芯片内置数字架构控制，简化了设计的同时减少外围元件数量，同时也内置多重完善的保护功能。
两颗英诺赛科INN650D02氮化镓功率器件，用作PFC升压开关管。该器件额定耐压为650V，峰值耐压750V，导阻低至0.2Ω，符合JEDEC标准的工业应用要求，支持ESD保护，支持开尔文源极，最高工作温度150℃。
PFC升压整流管为美浦森MSM06065G1碳化硅二极管，采用DFN5*6封装，超薄封装节省体积，适用于高功率密度的大功率氮化镓适配器中。
美浦森MSM06065G1碳化硅二极管耐压650V，150℃连续正向电流6A，工作温度范围-55到175℃，正向压降1.3V，并具有正温度系数特性，可直接并联使用。可应用于开关电源，功率因数校正，马达驱动和PD电源应用。
另外还采用了两颗英诺赛科INN650DA260A，在此方案中作为LLC半桥。这是英诺赛科第二代氮化镓功率器件，同时也是一款高性价比、耐压650V的氮化镓高压单管，瞬态耐压750V，得益于工艺改进，相比英诺赛科之前的氮化镓器件，性能有明显的提升，适用于65-120W的反激架构，120-200W的LLC架构。
总结
得益于碳化硅和氮化镓技术在消费类电源市场的迅速应用，百瓦以内的USB PD快充电源，在产品体积和输出功率方面做到了极致的均衡，目前也有众多手机和笔电厂商推出了百瓦碳化硅+氮化镓快充电源，便携性和效率大幅提升。
在适用于游戏本充电的200W、300W大功率领域，目前成熟的方案相对较少，美浦森这套230W碳化硅+氮化镓电源方案完美解决了游戏本对于电源的困扰。
据了解，除了该方案应用到的碳化硅二极管外，美浦森还有TO252、DFN8*8等封装的碳化硅二极管器件，以及100V/120V应用于同步整流、30V应用于Vbus等中低压产品，以满足不同厂商的选型需求，并已经在各大厂商百瓦充电头已经广泛应用，如：绿联100W氮化镓四口桌面充、摩米士100W 2A2C氮化镓快充、REMAX 100W四口氮化镓快充 、安述240W氮化镓+碳化硅适配器、SPRUCE 140W 3C1A无线充二合一充电座等。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由董慧转载自美浦森，原文标题为:美浦森推出230W碳化硅+氮化镓LLC电源方案，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。
相关研发服务和供应服务
相关推荐
绿联160W 3C1A四口氮化镓快充充电器运用沃尔德整流桥WRLSB80M，选用LSB封装，拥有良好的散热特性
绿联新推出了一款总输出功率为160W的PD3.1充电器，两颗整流桥来自深圳市沃尔德实业有限公司，型号WRLSB80M；PFC整流管来自美浦森，型号为MSM06065G1；同步降压开关管来自锐骏半导体，型号RUH4040；用于USB-C3和USB-A口的VBUS开关管来自锐骏半导体，型号RU30D20。
碳化硅二极管与大功率PD快充：利用SiC和GaN等材料，提高充电功率，满足市场对轻薄热的需求
随着业界对电源功率密度和整机效率的追求，主动式PFC需要提高工作频率来减小磁芯体积，这为碳化硅 (SiC) 二极管在PFC上的应用创造了有利条件。
【应用】泰高技术半桥氮化镓功率器件赋能LLC架构谐振电路，实现高功率、高密度的电源设计
泰高技术的半桥氮化镓芯片简化了氮化镓器件在电压系统中的应用，可以便捷搭配多种控制器，实现不同功能，提升效率。本次推出的三款半桥氮化镓芯片是为了满足更多市场应用需求和提高半桥氮化镓芯片的普及。使得工程师更加便捷设计，为产品更高效、更小、更可靠的全新解决方案带来更多可能。
美浦森半导体 超结MOSFET/高压MOSFET/VD MOSFET/碳化硅二极管/碳化硅MOSFET选型表
目录- SJ MOSFET HV MOSFET VD MOSFET SIC Diode SIC MOSFET
型号- SLF8N60C,SLF12N70S,SLF16N60S,MSD02120G1,SLFT0R360S3,SLD80N04T,MSH080120M1,MSP540S,SLP300N10T,MSH16120G1,SLB130N10G,SLF8N60S,MSNP06065G1,SLF60R099E7,SLF60R180E7D,SLF80R380SJ,SLH60R070E7,SLD100N03T,SLD70R310S3,SLD5N50S2,SLF10N70S,SLM100N03T,SLF65R380E7,SLD70R600S3,SLS30L03T,SLF10N65C,SLF10N65A,SLD2N65S,SLF80R240SJ,SLD65R280E7,SLF14N60S,SLN30N03T,SLF18N50S,SLF12N65S,SLF3101,MSH060065M1,SLF70R500S3,SLF10N65S,SLN40N04G,SLM65R380E7,SLF18N50A,SLF18N50C,SLF12N65C,SLF12N65A,SLW24N50C,MSNP08065G1,SLW9N90C,SLD20N06T,SLF16N50S,SLF70R360S3,SLD80N06T,MS2H20120G1,MSD05120G1,SLF65R565SS,MSD02065G1,SLF20N60S,SLF5N60S,MS2TH60065G1,SLF16N50C,SLF60R380E7,SLD60N04T,MSP08065G1,SLD20N10T,SLP150N06T,MSH20120G1,SLP80N08T,SLF5N60C,SLF18N60S,MSP02065G1,SLF70R310S3,SLF60R070E7,MSK040120M1,SLFT0R600S3,SLL65R170E7,MS2H32120G1,MSK060065M1,MSM06065G1,SLD80R500SJ,SLD840U,MSP04065G1,MS2H40120G1,MSD10120G1,MSF10120G1,SLP32N20C,SLD50N06T,SLF20N50S,SLF18N65S,SLD65R565SS,MSP20065G1,SLD65R380E7,SLF20N50A,SLD70R500S3,SLF20N50C,SLP150N04T,SLF2N60S,SLW60R099E7,SLF8N65C,SLM80N10G,SLP3103,SLF65R280E7,SLF7N70S,MSD06065G1,SLF8N65S,MS2H40065G1,SLF70R600S3,MSP10120G1,MSP06065G1,SLD840UZ,SLD70R360S3,SLP3205T,SLP3710T,SLF5N65C,SLF10N60C,SLF730S,SLP50N06T,MS2H32065G1,SLF14N65S,SLM90N06G,MSP10065G1,SLM180N04G,MSP16065G1,SLF10N60S,MSK025120M1,SLF12N60C,SLF840C,SLF65R170E7,SLD90N02T,MSNP10065G1,MSK080120M1,SLH65R070E7,SLF16N65S,SLF13N50C,SLD5N50S,SLF20N65S,SLF13N50A,MSD04065G1,SLF60R280E7,SLB120N08G,SLD80N03T,SLP150N03T,SLD80R850SJ,SLF5N65S,SLD80R600SJ,SLF13N50S,SLM20L10T,SLF7N80C,SLD150N03T,SLM60N10G
美禄科技授权世强硬创代理氮化镓功率器件、平面/超结MOS等产品
产品广泛应用于PD快充、户外电源、UPS、储能、逆变器、充电桩、数字服务器、马达驱动、PD快充、电源适配器、LED照明、通讯电源、白色家电、工业控制、光伏逆变、移动储能等领域。
必易微针对USB PD快充推出的两款合封氮化镓芯片，内置导阻氮化镓开关管，支持45W/100W功率输出
必易微副总裁、电源管理AC-DC产品线总经理张波先生发表了《必易微高性能、高可靠性氮化镓快充解决方案介绍》为主题的演讲，基于对氮化镓器件特性的分析，详细介绍了必易微在氮化镓直驱以及合封方案上的优势，着重突出了方案的可靠性。
【选型】美浦森（Maplesemi）高压MOSFET/超结MOSFET/碳化硅二极管/碳化硅MOSFET选型指南
目录- 高压MOSFET(VDMOS) 超结MOSFET(SJMOS) 碳化硅二极管(SiC DIODE)
型号- SLF8N60C,MSP08065V1,SLF11N50S,SLF740UZ,SIF8N60S,MSD02120G1,SLF32N20C,SLF10N70C,S4.F5NCOC,MSH080120M1,MSH180120M1,MSH16120G1,SLF8N60S,SLD80R1K3SJ,SIF12N70C,MS2H32120GI,MSNP06065G1,SIF11N50S,SLF12N70C,SIF8N60C,SLF80R380SJ,SLD5N50S2,SLF10N65C,SLF80R240SJ,SIF13N50C,SLF18N50S,SLF12N65S,SLD2N65UZ,SLF60R100S2,SLF10N65S,SIF13N50U,SLF60RW0S2,SLF730C,SLF60R380S2,SLH60R080SS,MSP10O65O1,SLF18N50C,SLF12N65C,SLD65R700S2,MSP10065V1,SLW24N50C,MSNP08065G1,SLW9N90C,SLH60R042SS,SLF16N50S,SLD2N65U2,MS2H20120G1,MSD05120G1,MSF10065G1,SIF16N50S,SLF5N60S,SLF70R900S2,SIF18N50S,SLF60R160S2,SLF70R420S2,SLF16N50C,SL080R600SJ,MSP08065G1,SL060R1K3SJ,MSH20120G1,SLF5N60C,SIF18N50C,SLF50R240SJ,MSP06065V1,SLFS0R140SJ,SLF60R190S2,SLF740C,MS2H32120G1,SLD80R500SJ,SLF60R280S2,MSP04065G1,MSP16065V1,MS2H40120G1,SLD65R420S2,MSD10120G1,MSP160Q5V1,MSF10120G1,S4.F5N60S,MSNP0606SG1,SIF8N65C,SLF20N50S,STF5N65C,MSP20065G1,SLF65R190S2D,SIF840C,SLD80R380SJ,SLF60R190S2D,SLF60R190SJ,SLF20N50C,SLD80R240SJ,SLF70R&O0S2,SLF8N65C,MSH040120M1,SI.F20N50S,SLF65R950S2,MS010120G1,SIF730C,SLF8N65S,SLF1DN60S,MS2H40065G1,SLF40N26C,MSP10120G1,MSP06065G1,SLF70R600S2,SIF8N65S,SLD840UZ,SLH50R060SJ,SLF7N70C,MSH160120M1,SLF5N65C,SLF10N60C,SLF12N60S,MS2H32065G1,SLF65R300S2,MSP10065G1,SL080R500SJ,MS2H32065O1,STD5N50S,MS0MCMJ5G1,SLH50R100SJ,SIF60R190S20,MSP16065G1,SLF10N60S,MSP04065V1,SLF12N60C,SLF840C,SLF60R650S2,MSNP10065G1,MSNP0606501,MSM20120G1,SLFS0R240SJ,SLF13N50C,SLD5N50S,SLF60R850S2,S10640UZ,SLF13N50A,MSD04065G1,SLF50R140SJ,SLD80R850SJ,SLF5N65S,SLD80R600SJ,SLF13N50U,$LDE5R420$2,SLF7N80C,SLF65R240S2
HI-SEMICON（深鸿盛）碳化硅肖特基二极管选型表
目录- 碳化硅肖特基二极管
型号- SC3D10065E,SC3D04065E,SC3D12065A,SC3D10065A,SC3D04065I,SC3D02065A,SC3D06065E,SC3D30065H,SC3D08065A,SC3D06065A,SC3D10065I,SC3D04065A,SC3D08065E,SC3D16065A,SC3D06065I,SC3D16065H,C3D02065I,SC3D20065D,SC3D50065H,SC3D20120D
MSM06065G1 650V碳化硅肖特基二极管
描述- 本资料介绍了MSM06065G1型650V碳化硅肖特基二极管。该器件具有高反向电压、快速恢复时间、高温稳定性等特点，适用于开关电源、功率因数校正、电机驱动等领域。
型号- MSM06065G1
EPC（宜普）增强型氮化镓功率晶体管技术简介（中文版）
描述- 本文介绍了eGaN® FET技术，一种增强型氮化镓功率晶体管技术。与硅MOSFET相比，eGaN FET在开关频率、效率、功率密度等方面具有显著优势。文章详细阐述了eGaN FET的应用优势，包括无线电源、射频放大器、马达驱动器等，并提供了选型指南和设计支持资源。
型号- EPC2014,EPC2016,EPC2015,EPC9203,EPC9049,EPC9046,EPC9201,EPC9047,EPC9124,EPC9048,EPC9041,EPC9040,EPC2102,EPC2024,EPC2104,EPC8009,EPC2103,EPC8008,EPC2029,EPC2106,EPC2105,EPC2108,EPC8002,EPC2021,EPC8007,EPC9057,EPC2020,EPC9014,EPC2023,EPC2100,EPC8005,EPC8004,EPC9055,EPC9050,EPC9051,EPC9509,EPC2035,EPC2014C,EPC2039,EPC9507,EPC9029,EPC2030,EPC9106,EPC9024,EPC2031,EPC9022,EPC9060,EPC9061,EPC9062,EPC2015C,EPC9038,EPC9115,EPC9039,EPC2007C,EPC9034,EPC9078,EPC9111,EPC9035,EPC9112,EPC9036,EPC2001,EPC9510,EPC9037,EPC9114,EPC9030,EPC9031,EPC9032,EPC9033
【产品】辰达行推出新款氮化镓PD快充专用贴片式软桥，实现更简洁、更高密度的快充电源方案
氮化镓快充的高频特性往往会带来EMI的问题，这导致了更多或者更大的EMI抑制器件的使用。为解决这一难题，辰达行针对性推出了贴片式软桥系列产品，帮助快充电源工程师实现更高的功率密度以及更好的EMI特性。
CX75GD015E：诚芯微65W合封氮化镓快充参考设计
这是一款65W氮化镓（1A1C） PD快充电源方案，该方案采用CX75GD015E+CX7539F ,通过方案的设计和 PCB板布线实现了更好的电源性能。该款65W集成GaN PD快充方案具有小体积低温升、高效率、支持多协议快充等优势，适用于充电器、电源适配器、笔记本电脑、扩展坞等数码产品中。
PCDD0865GB碳化硅肖特基势垒二极管
描述- 本资料介绍了PCDD0865GB碳化硅肖特基势垒二极管的产品规格和应用。该器件具有650伏重复峰值反向电压、8安培连续正向电流和1.3伏典型正向压降等特点，适用于功率因数校正（PFC）、不间断电源（UPS）、光伏逆变器、PD充电器和LED照明等领域。
型号- PCDD0865GB
【应用】DFN 8X8封装的国产SiC二极管B2D10065Q助力200W PD快充，实现更小体积
这里主要介绍国产基本半导体的碳化硅二极管B2D10065Q应用于200W PD多口快充电源PFC电路的优势：反向耐压650V；连续正向电流为10A@Tc=155℃，满载下快充的原边最大电流约2至3A；工作结温为-55℃~175℃，耐高温特性强。
电子商城
现货市场
服务
可定制LAMP LED、 CHIP LED、 PLCC LED、 汽车用车规级LED、COB LED的尺寸/电压/电流等参数，电压1.5-37V，电流5-150mA，波长470-940nm。
最小起订量： 30000 提交需求>
可定制单色光灯珠、双色灯珠、全彩灯珠、发光二极管、贴片灯珠、贴片LED等产品，尺寸：0.6*0.3mm-3.2*2.7mm，波长：405-940nm，亮度：24-750mcd，电压：1.5-3.5V。
最小起订量： 3000 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论