国际领先的射频功放器件和功率半导体器件供应商——华太(Watech)
产品亮点:
SIC SBD
175℃的工作温度,接近0的开关和反向恢复损耗,进一步提高电力电子装置的工作频率,减少设备体积
采用混合PN结肖特基结构,在保持低损耗条件下,又提高了鲁棒性。有650V/1200V 10A-75A 多个规格
IGBT
超结IGBT进一步降低通态损耗,可以在低导通压降的基础上,降低少子空穴注入量,加快关断速度,降低关断损耗
有650V/1200V 40A-75A多个规格
SIC MOS
175℃的工作温度,低开关损耗
有1200V 160mΩ/80mΩ/40mΩ, 1700V 1Ω多个规格
选型指南:
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古月工 Lv8. 研究员 2022-09-24学习
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珍珍 Lv7. 资深专家 2022-09-22学习
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桃梅 Lv7. 资深专家 2022-09-03学习
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志成 Lv7. 资深专家 2022-09-03学习
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型号- MKS4J022202D00MSSD,10-FZ12NMA080NS03-M260F,0505025.MX52LEP,TFLEX HD300,BGM111,C2M1000170D,EFR32MG13P732F512GM48-C,RBN75H125S1GP4-A0,10-FY12NMA160SH01-M820F18,KT05,PS9402,SGM6022,MLX91208,28R1101-000,28R0610-000,30-FT12NMA160SH-M669F28,PS9031,LSIC2SD120E30CC,30-FT12NMA200SH-M660F08,LXXXX 15.00/05/90 4.5SN GR,28R1476-100,92ML,LX 15.00/05/90 4.5SN GR BX,MKS4J033305D00KSSD,TPCM780,RC12-6-01LS,SMBJ18CA,28R1953-000,PS9531L3,SI86XX,28B0141-000,WDU50N,SGM6032,WGM110,R5F56514FDLJ,C4D30120D,WDU70N,RBN40H125S1GPQ-A0,C2M0080120D,V23990-P629-L43,SGM2019,LSIC1MO120E0080,SID11X2K,SI8261BCD-C-IS
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