瞻芯电子为高可靠性而设计的碳化硅二极管,超过工规级JEDEC要求
碳化硅二极管产品系列主要应用于工业开关电源和新能源汽车电子领域,因此产品在严苛应用条件下的鲁棒性和可靠性,是产品设计和制造的重中之重。上海瞻芯电子的技术开发团队,从设计阶段开始,就将鲁棒性和可靠性作为最核心的开发目标之一,并始终贯穿于产品的整个开发及量产过程。本文以1200V 10A的碳化硅二极管(IV1D12010T2)为例,简介瞻芯在开发过程中针对产品可靠性的设计考虑。
1.通过采用复合型终端结构设计,保障器件在过压工况下的鲁棒性:
垂直型高压功率器件需要有效的终端结构(Termination),来缓解芯片边缘区域的高电场,防止器件提前击穿。瞻芯的碳化硅二极管采用了不同于传统场限环(FLR)或扩展结(JTE)的复合型终端结构设计,使得器件雪崩击穿电压达到1600V以上,并且在6英寸晶圆上实现了>90%的合格率及优良的参数一致性。在自搭的burn-in老化系统上,经过1000h的长时间运行(Vbus=1000V,开关频率20kHz,结温100℃),击穿电压依然稳定无退化。
2.通过采用新型三维元胞结构,实现业界领先的低漏电水平:
瞻芯的碳化硅二极管采用三维元胞结构,使器件能在不牺牲正向导通性能的前提下,实现极低的反向漏电。器件在常温下漏电流IR典型值约5uA@1200V;在200℃的极限高温下,漏电流IR也仅有约50uA@1200V。这意味着即使在200℃的极限高温下,二极管关断时给系统带来的损耗也不会超过60mW。如此之低的漏电水平,即使和国际大厂相比,也具有领先优势。
除此之外,高温下维持低漏电,也是器件能够长期在高温高压高湿等恶劣条件下可靠运行的重要保障。根据某著名光伏逆变器客户的要求,瞻芯碳化硅二极管顺利通过了1000小时的HV-H3TRB测试(85℃/85%RH/960V),漏电稳定无退化,实现了More Than JEDEC的可靠性保障。
3.可靠的元胞设计和终端设计,使器件具有优秀的耐雪崩能力:
瞻芯的碳化硅二极管的极限雪崩耐量Eas高达250mJ,能够承受>30A的雪崩电流(测试电感L=0.5mH),这使得器件能够承受电源模块在开关机瞬间的过压过流工况。并且通过巧妙的元胞设计和终端设计,使雪崩击穿发生器件有源区,这意味着安培级的雪崩电流会均匀地流过整个芯片面积,这使得器件具有优秀的承受重复雪崩冲击的能力。
目前,瞻芯电子的碳化硅二极管已通过下表所列的全部可靠性测试项目,其中包括超过工规级JEDEC要求的HV-H3TRB。除此之外,我司的1200V/20A碳化硅二极管已经在北汽新能源的新能源汽车上连续运行了6000公里高寒适应性测试无故障,高温适应性测试也在进行中。瞻芯电子扎实的器件设计、稳定的工艺制程和严格的品质管控,将全方位地为每一颗碳化硅二极管产品可靠性保驾护航!
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
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型号- SCS208AG,SCS206AJ,SCS208AJHR,SCS220KE2,SCS206AG,SCS306AM,SCS304AM,SCS308AJ,SCS205KG,SCS220AE2,SCS308AM,SCS315AG,SCS220KG,SCS315AJ,SCS230KE2,SCS230AE2,SCS220KE2HR,SCS212AJ,SCS210AG,SCS212AG,SCS315AM,SCS210AJ,SCS210KE2HR,SCS320AM,SCS215KG,SCS210KE2,SCS220AE2HR,SCS320AJ,SCS215AJHR,SCS320AG,SCS240KE2HR,SCS240AE2HR,SCS220AJHR,SCS220AJ,SCS212AJHR,SCS220AG,SCS310AM,SCS312AJ,SCS310AJ,SCS312AM,SCS312AG,SCS310AG,SCS215AJ,SCS240KE2,SCS215AG,SCS230KE2HR,SCS240AE2,SCS230AE2HR,SCS304AG,SCS210AJHR,SCS308AG,SCS306AJ,SCS306AG,SCS210KG,SCS304AJ,SCS206AJHR,SCS208AJ
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在电子设备的设计和应用中,选择合适的碳化硅肖特基二极管是确保电路性能和可靠性的关键步骤。时科的碳化硅肖特基二极管又有什么优势呢?本文中时科小编将详细介绍Q-SSC20120-T碳化硅肖特基二极管及其性能优势,帮助工程师朋友更好地了解这款产品的卓越之处。
瞻芯电子SiC肖特基二极管(SBD)选型表
瞻芯电子提供以下参数选型:VRRM(V):650V&1200V、IF( TJ =150°C)(A):2~40
产品型号
|
品类
|
Qualification
|
VRRM(V)
|
IF( TJ =150°C)(A)
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IFSM( tp=10ms)(A)
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VF( TJ =25°C)(V)
|
VF( TJ =175°C)(V)
|
IR( TJ =25°C)(μA)
|
IR( TJ =175°C)(μA)
|
QC(nC)
|
Package
|
IV1D06004BD
|
SiC肖特基二极管
|
工业级
|
650V
|
4A
|
32A
|
1.45V
|
1.85V
|
1.0μA
|
5.0μA
|
7.7nC
|
Bare Die
|
选型表 - 瞻芯电子 立即选型
【产品】国产低反向漏电流的碳化硅肖特基二极管DD06500010J,适用于工业电源、数据中心
顶诺微推出的碳化硅肖特基二极管DD06500010J,重复反向峰值电压和冲击反向峰值电压均为650V,有低正向偏压(VF)、 正温度系数、 零正/反向恢复电流等特性,可应用于工业电源和开关电源等领域。
瞻芯电子碳化硅二极管批量助力麦格米特充电模块制造
2019年底瞻芯电子的碳化硅二极管产品系列在深圳麦格米特电气股份有限公司认证通过并启动小批量验证试产。经过半年的生产实践,麦格米特同意瞻芯电子该产品系列在充电模块产品线上可逐步全方位替代进口器件,进入批量采购阶段。
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美林电子IGBT模块包括650V系列、1200V系列、1700V系列等,产品性能可靠,使用寿命大于10万小时,超低开关损耗,节省更多的散热器体积和设备空间。
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瞻芯电子新推出的碳化硅肖特基二极管IV3D12030T2,其反向重复峰值电压VRRM为1200V,最大结温为175℃,总存储电荷QC为19nC,具有高浪涌电流容量,极快反向恢复,开关特性不受温度影响等特点,可减少电路能量损耗。
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