瞻芯电子为高可靠性而设计的碳化硅二极管，超过工规级JEDEC要求
碳化硅二极管产品系列主要应用于工业开关电源和新能源汽车电子领域，因此产品在严苛应用条件下的鲁棒性和可靠性，是产品设计和制造的重中之重。上海瞻芯电子的技术开发团队，从设计阶段开始，就将鲁棒性和可靠性作为最核心的开发目标之一，并始终贯穿于产品的整个开发及量产过程。本文以1200V 10A的碳化硅二极管（IV1D12010T2）为例，简介瞻芯在开发过程中针对产品可靠性的设计考虑。
1.通过采用复合型终端结构设计，保障器件在过压工况下的鲁棒性：
垂直型高压功率器件需要有效的终端结构（Termination），来缓解芯片边缘区域的高电场，防止器件提前击穿。瞻芯的碳化硅二极管采用了不同于传统场限环（FLR）或扩展结（JTE）的复合型终端结构设计，使得器件雪崩击穿电压达到1600V以上，并且在6英寸晶圆上实现了>90%的合格率及优良的参数一致性。在自搭的burn-in老化系统上，经过1000h的长时间运行（Vbus=1000V，开关频率20kHz，结温100℃），击穿电压依然稳定无退化。
2.通过采用新型三维元胞结构，实现业界领先的低漏电水平：
瞻芯的碳化硅二极管采用三维元胞结构，使器件能在不牺牲正向导通性能的前提下，实现极低的反向漏电。器件在常温下漏电流IR典型值约5uA@1200V；在200℃的极限高温下，漏电流IR也仅有约50uA@1200V。这意味着即使在200℃的极限高温下，二极管关断时给系统带来的损耗也不会超过60mW。如此之低的漏电水平，即使和国际大厂相比，也具有领先优势。
除此之外，高温下维持低漏电，也是器件能够长期在高温高压高湿等恶劣条件下可靠运行的重要保障。根据某著名光伏逆变器客户的要求，瞻芯碳化硅二极管顺利通过了1000小时的HV-H3TRB测试（85℃/85%RH/960V），漏电稳定无退化，实现了More Than JEDEC的可靠性保障。
3.可靠的元胞设计和终端设计，使器件具有优秀的耐雪崩能力：
瞻芯的碳化硅二极管的极限雪崩耐量Eas高达250mJ，能够承受>30A的雪崩电流（测试电感L=0.5mH），这使得器件能够承受电源模块在开关机瞬间的过压过流工况。并且通过巧妙的元胞设计和终端设计，使雪崩击穿发生器件有源区，这意味着安培级的雪崩电流会均匀地流过整个芯片面积，这使得器件具有优秀的承受重复雪崩冲击的能力。
目前，瞻芯电子的碳化硅二极管已通过下表所列的全部可靠性测试项目，其中包括超过工规级JEDEC要求的HV-H3TRB。除此之外，我司的1200V/20A碳化硅二极管已经在北汽新能源的新能源汽车上连续运行了6000公里高寒适应性测试无故障，高温适应性测试也在进行中。瞻芯电子扎实的器件设计、稳定的工艺制程和严格的品质管控，将全方位地为每一颗碳化硅二极管产品可靠性保驾护航！
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 1
本文由天安云谷门面担当转载自瞻芯电子，原文标题为:More Than JEDEC—为高可靠性而设计的碳化硅二极管，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。
相关推荐
蓉矽半导体亮相上海慕尼黑电子展，重点展示碳化硅MOSFET、二极管及光伏逆变器、新能源汽车等应用解决方案
2024年7月8日，上海慕尼黑电子展在新国际博览中心开幕。蓉矽半导体在E3馆3646号展位，重点展示了碳化硅MOSFET/二极管EJBSTM，以及光伏逆变器、新型储能方案、直流充电桩和新能源汽车等领域应用解决方案。
蓉矽半导体携碳化硅MOSFET/二极管EJBS™产品以及解决方案，亮相2024年慕尼黑上海电子展
7月10日，2024年慕尼黑上海电子展在新国际博览中心落下帷幕。蓉矽半导体携碳化硅MOSFET/二极管EJBS™以及光伏逆变器、新型储能方案、直流充电桩和新能源汽车等领域应用解决方案亮相展会，吸引了一众行业人士驻足交流。
蓉矽半导体邀您参加慕尼黑上海电子展！
慕尼黑上海电子展(electronica China)将于2024年7月8-10日在上海新国际博览中心举办。展会聚焦新能源汽车、储能、第三代半导体等应用领域，紧跟行业重点，汇聚了国内外优质电子企业加入。蓉矽半导体将在E3馆3646号展示第二代1200V/20mΩ SiC MOSFET以及光伏逆变器、新型储能方案、直流充电桩和新能源汽车等领域应用解决方案，诚邀您莅临交流。
瞻芯电子（InventChip）碳化硅（SiC）功率器件/驱动与控制芯片选型指南
目录- 公司介绍 产品应用 产品概览 SiC Devices 产品概览 驱动与控制芯片 碳化硅（SiC）MOSFET 产品目录 碳化硅金属氧化物场效应晶体管系列产品 碳化硅（SiC）肖特基二极管产品目录 碳化硅肖特基二极管系列产品 碳化硅功率模块系列产品 栅极驱动芯片系列产品 图腾柱 PFC 控制芯片系列产品 产品可靠性测试规范
型号- IV2Q12040BD,IV1B12009HA2L,IV1D12030BD,IV2Q07014T4Z,IV1Q12050D7Z,IVST12017MA1L,IV2Q12100BD,IV1Q12017T4ZG,IV1Q12160T4Z,IVST12080DA1L,IVCR2405DR,IV2Q12040T4Z,IV1D06020BD,IVCR1412SR,IV2Q12013T6Z,IV2Q06060BD,IV1Q12080T3Z,IV2Q171R0BD,IVCO1A01DQR,IV1Q12750T3,IV2Q12030D7Z,IV1D12015BD,IV2Q07014BA,IV2Q07014BD,IV2Q12160T4Z,IV1D06006F5,IVCO1A01DR,IV1B12013HA1L,IVSM12040HA2Z,IVSM07060HA2Z,IV2Q12200T4Z,IV2Q06060L1,IV1D06010O2,IVCO1A02DWR,IV1Q12030BDG,IV1Q12080T4Z,IV1Q12750BD,IV2Q171R0T3,IVCC1102DR,IV1Q06060BDG,IV2Q12040K1Z,IV1D06020T2,IV3D12060U3,IV1Q12050T3,IV1D12020T2,IV1Q12050T4,IV1Q12080BD,IVST12050SA1L,IVCR2504DR,IV1Q12017BDG,IV1D06006BD,IV1D06004O2,IV1D12020T3,IV1Q06060D7G,IV2Q12160BD,IVCR2402DR,IV2Q12160D7Z,IV2Q06040BD,IV2Q12017BD,IV1D12040U3Z,IV2B12003HA2L,IVCO1A02DWQR,IVCR1801ASR,IV1D06020U3Z,IV1Q06040T4Z,IV2Q12017BA,IV3D12030U3,IV1Q06060T4ZG,IV2Q12013BD,IV2Q12013BA,IV1D12010O2,IVCC1102F4AR,IVCO1412DDWQR,IVST12040DA1L,IV1D06010T2,IVCR1401DR,IV1Q12080T3,IV1D12020BD,IV1D12040U3,IV1D06004P3,IV1Q12080T4,IV3D12015T2,IV2Q12080D7Z,IVCR2404MPQR,IV2Q06025BD,IVTM12080TA1Z,IV2Q06040L1,IV2Q17020T4Z,IV2Q20045BD,IV3B20023BA2,IV3D12030T2,IV2D12002BD,IVCO1A02DQR,IV1D12005BD,IVCC1104F4AR,IV2Q06025T4Z,IV2Q06040T4Z,IV2Q06060O3Z,IV1Q06060T4G,IV1D12040T2,IV2Q12100D7Z,IV2Q171R0D7Z,IV2Q06025L1,IVST12050MA1L,IVST12160DA1L,IVCR2403DR,IV1Q06040BD,IV1Q12160T3,IV1Q12160T4,IV1B12025HC1L,IV1Q12017BAG,IV2Q12200D7Z,IV2Q20045T4,IV2D12020T2,IV2Q12200BD,IV2Q06060T4Z,IV2Q12030T4Z,IV2Q12040D7Z,IV2D12020BD,IV1D12040BD,IV6212004HA2,IV1Q06060T3G,IVCR1407ASR,IV1Q12050BD,IV1Q12017T4G,IV1D12010T2,VSM12080HA2Z,IVCR1402DPQR,IV1D06004F5,IV2B12006HA1L,IVCO1411DDWQR,IV1Q06040T4,IV1Q06040T3,IV1D06010BD,IV1Q12160BD,IV1Q12750O3,IV1Q06040L1,IV1Q12160D7Z,IVCC1104DR,IV2Q12080BD,IV2Q175S0BD,IV2Q06025D7Z,IV6212004HB2,IVSM06025HA2Z,IVST12017SA1L,IV1D12030U3,IV1D20020T2,IV1D06004BD,IV1D06006O2,IV2D12020D2Z,IV2Q06040D7Z,IV2Q12017T4Z,IVCR2404DR,IV2Q06060D7Z,IVCO1A01DWR,IV1Q12030T4G,IV2Q17020BD,IV3D12020T2,IV1D12010BD,IV2D12002P2,IV2Q12030BD,IVST12120DA1L,IV2Q12080T4Z,IV1D06020U3,IVCO1A01DWQR,IV1D12030T2,IVHD122M1TA2Z,IVCO1A02DR,IV1D06006P3,IV1Q12050T4Z,IVCR2404MPR,IV1D12010P2Z,IV2Q12100T4Z,IVCR1401DPR,IV1Q06060L1G,IV2Q12080K1Z,IV1Q12080D7Z,IV2Q171S0BD,IV1D12015T2,IV1D20020BD,IV2D12002O2,IVSM12160HA2Z,IV1D12005O2,IV2Q171S0S1
瞻芯电子推出采用SOT-227封装的SiC模块产品，助力高效、大功率工业应用
近日，瞻芯电子推出了一系列采用SOT-227封装的碳化硅(SiC) MOSFET、碳化硅(SiC)二极管以及混合封装产品。采用SOT-227封装的产品具有模块体积小、热阻低、通流能力强的特点，同时，SOT-227为内绝缘封装，安装简便，也更安全。
时科Q-SSC20120-T碳化硅肖特基二极管全应用解析：光伏逆变器、开关电源和新能源汽车充电桩
碳化硅肖特基二极管（SiC Schottky Diode）在现代电子设备中扮演着重要角色，尤其在高功率、高频和高温应用中表现尤为突出。本文中小编将带你探讨时科Q-SSC20120-T碳化硅肖特基二极管在实际中的典型应用，包括光伏逆变器、开关电源和新能源汽车充电桩。
ROHM（罗姆） SiC（碳化硅）肖特基二极管选型指南（中文）
描述- SiC肖特基势垒二极管（SiC SBD）具有很小的总电荷（Qc），低开关损耗且高速开关工作。因此，它被广泛用于电源的PFC电路中。此外，与硅基快恢复二极管的trr（反向恢复时间）会随温度的升高而增加不同，碳化硅（SiC）器件可保持恒定的特性，从而改善了电路性能。制造商能够减小工业设备和消费类电子产品的尺寸，非常适合在功率因数校正电路和逆变器中使用。
型号- SCS208AG,SCS206AJ,SCS208AJHR,SCS220KE2,SCS206AG,SCS306AM,SCS304AM,SCS308AJ,SCS205KG,SCS220AE2,SCS308AM,SCS315AG,SCS220KG,SCS315AJ,SCS230KE2,SCS230AE2,SCS220KE2HR,SCS212AJ,SCS210AG,SCS212AG,SCS315AM,SCS210AJ,SCS210KE2HR,SCS320AM,SCS215KG,SCS210KE2,SCS220AE2HR,SCS320AJ,SCS215AJHR,SCS320AG,SCS240KE2HR,SCS240AE2HR,SCS220AJHR,SCS220AJ,SCS212AJHR,SCS220AG,SCS310AM,SCS312AJ,SCS310AJ,SCS312AM,SCS312AG,SCS310AG,SCS215AJ,SCS240KE2,SCS215AG,SCS230KE2HR,SCS240AE2,SCS230AE2HR,SCS304AG,SCS210AJHR,SCS308AG,SCS306AJ,SCS306AG,SCS210KG,SCS304AJ,SCS206AJHR,SCS208AJ
时科碳化硅肖特基二极管Q-SSC20120-T，光伏逆变器、开关电源和新能源汽车充电桩的最佳选择
在电子设备的设计和应用中，选择合适的碳化硅肖特基二极管是确保电路性能和可靠性的关键步骤。时科的碳化硅肖特基二极管又有什么优势呢？本文中时科小编将详细介绍Q-SSC20120-T碳化硅肖特基二极管及其性能优势，帮助工程师朋友更好地了解这款产品的卓越之处。
瞻芯电子SiC肖特基二极管（SBD）选型表
瞻芯电子提供以下参数选型：VRRM（V）：650V&1200V、IF（ TJ =150°C）（A）：2~40
|
产品型号
|
品类
|
Qualification
|
VRRM（V）
|
IF（ TJ =150°C）（A）
|
IFSM（ tp=10ms）（A）
|
VF（ TJ =25°C）（V）
|
VF（ TJ =175°C）（V）
|
IR（ TJ =25°C）（μA）
|
IR（ TJ =175°C）（μA）
|
QC（nC）
|
Package
|
|
IV1D06004BD
|
SiC肖特基二极管
|
工业级
|
650V
|
4A
|
32A
|
1.45V
|
1.85V
|
1.0μA
|
5.0μA
|
7.7nC
|
Bare Die
|
选型表 - 瞻芯电子 立即选型
瞻芯电子碳化硅二极管批量助力麦格米特充电模块制造
2019年底瞻芯电子的碳化硅二极管产品系列在深圳麦格米特电气股份有限公司认证通过并启动小批量验证试产。经过半年的生产实践，麦格米特同意瞻芯电子该产品系列在充电模块产品线上可逐步全方位替代进口器件，进入批量采购阶段。
二极管/整流桥/IGBT功率器件厂商美林电子授权世强硬创代理
美林电子IGBT模块包括650V系列、1200V系列、1700V系列等，产品性能可靠，使用寿命大于10万小时，超低开关损耗，节省更多的散热器体积和设备空间。
【产品】国产低反向漏电流的碳化硅肖特基二极管DD06500010J，适用于工业电源、数据中心
顶诺微推出的碳化硅肖特基二极管DD06500010J，重复反向峰值电压和冲击反向峰值电压均为650V，有低正向偏压（VF）、 正温度系数、 零正/反向恢复电流等特性，可应用于工业电源和开关电源等领域。
【元件】瞻芯电子新推1200V/30A碳化硅肖特基二极管IV3D12030T2，其开关特性不受温度影响
瞻芯电子新推出的碳化硅肖特基二极管IV3D12030T2，其反向重复峰值电压VRRM为1200V，最大结温为175℃，总存储电荷QC为19nC，具有高浪涌电流容量，极快反向恢复，开关特性不受温度影响等特点，可减少电路能量损耗。
【应用】时科肖特基二极管SK10U60AAP用于高频开关模式电源，反向耐压VRRM可达60V
在电源类产品中，提升效率和降低损耗一直是一个重要的挑战。特别是在开关电源中，为了降低开关损耗，我们需要选择低导通电阻的MOSFET和可快速恢复的二极管。时科作为全球工程师的优质战略合作伙伴，为此推出了Low VF肖特基二极管SK10U60AAP。
电子商城
现货市场
服务
可定制LAMP LED、 CHIP LED、 PLCC LED、 汽车用车规级LED、COB LED的尺寸/电压/电流等参数，电压1.5-37V，电流5-150mA，波长470-940nm。
最小起订量： 30000 提交需求>
可定制单色光灯珠、双色灯珠、全彩灯珠、发光二极管、贴片灯珠、贴片LED等产品，尺寸：0.6*0.3mm-3.2*2.7mm，波长：405-940nm，亮度：24-750mcd，电压：1.5-3.5V。
最小起订量： 3000 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论