【产品】UnitedSiC推出新的UF4C/SC系列1200V第四代SiC FET 非常适合主流的800V总线结构
2022年5月11日 –移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo®(纳斯达克代码:QRVO)今日宣布推出新一代1200V碳化硅(SiC)场效应晶体管(FET)系列,这些产品在导通电阻方面具备业界出众的性能表征。新的UF4C/SC系列1200V第四代SiC FET非常适合主流的800V总线结构,这种结构常见于电动车车载充电器、工业电池充电器、工业电源、直流太阳能逆变器、焊机、不间断电源和感应加热应用。
UnitedSiC(即Qorvo)功率器件总工程师Anup Bhalla称:“性能较高的第四代产品扩充了我们的1200V产品系列,让我们能更好地服务于将总线设计电压提高到800V的工程师。在电动车中,这种电压升高不可避免,而这些新器件有四个不同RDS(on)等级,有助于设计师们为每个设计选择最适合的SiC产品。”
新UF4C/SC系列的亮点就在于下表中出色的SiC FET性能表征:
所有RDS(on)产品(23、30、53和70毫欧)都采用行业标准4引脚开尔文源极TO-247封装,在较高的性能等级下提供更清洁的开关。53和70毫欧器件还采用TO-247 3引脚封装。该系列零件在控制得当的热性能基础上实现了出色的可靠性,这种热性能是先进的银烧结晶粒连接方式和先进的晶圆减薄工艺带来的结果。
新1200V第四代SiC FET的定价(1000件起,FOBUSA)从$5.71(UF4C120070K3S)到$14.14(UF4SC120023K4S)不等。所有器件都由授权经销商销售。
UnitedSiC的碳化硅和功率管理产品可以为多种工业、商业和消费品应用提供充电、供电和控制功能。
关于FET-Jet CalculatorTM
FET-Jet CalculatorTM是一种免费的在线设计工具,包含了所有的1200V SiC FET,可以立即评估各种交直流和隔离/非隔离直流转换器拓扑中所用器件的能效、组件损耗和结温上升。它可以在用户指定的散热条件下比较单个器件和并联的器件,从而得到最优解决方案。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 1
本文由扶摇转载自UnitedSiC,原文标题为:UnitedSiC(现名Qorvo)宣布推出具有业界出众品质因数的1200V第四代SiC FET,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。
相关推荐
【产品】1200V碳化硅场效应晶体管UF3SC120009K4S/16K3S/16K4S,导通电阻8.6mΩ/16mΩ
UF3SC120009K4S、UF3SC120016K3S、UF3SC120016K4S是UnitedSic公司推出的三款碳化硅场效应晶体管。这种SiC FET器件基于独特的“共源共栅”电路配置,其中常开SiC JFET与Si MOSFET共封装,制造出常关SiC FET器件。 该器件的标准栅极驱动特性允许对Si IGBTs、Si FET、SiC MOSFET或Si超结器件进行真正的“替代”。
【产品】1200V/80mΩ的SiC FET UF3C120080K3S,最高工作温度175℃
UnitedSiC的SiC FET(碳化硅场效应晶体管)采用了独特的共源共栅(cascode)电路配置,将常开型SiC JFET与Si MOSFET共同封装在一起,从而构建出常关型SiC FET器件。UF3C120080K3S是一款1200V的SiC FET。
【产品】750V/58mΩ的第四代SiC FET UJ4C075060K4S,TO-247-4L封装
UJ4C075060K4S是一款750V、58mΩ的碳化硅场效应晶体管(SiC FET),是UnitedSiC推出的第4代SiC FET产品,采用了独特的“共源共栅(cascode)”电路配置,将常开型SiC JFET与Si MOSFET共同封装在一起。
【经验】SiC FET关断时VDS尖峰和振荡问题的解决方法
UnitedSiC的SiC FET能直接替代Si MOSFET,但其高开关速度也可能会使关断VDS电压产生尖峰和震荡,使系统的EMI变差。关断时的VDS尖峰和振荡产生的根本原因是高速开关过程中di/dt在杂散电感上产生了较高的感应电压。本文将给出并对比几种解决方案。
UnitedSiC SiC FET/SiC JFET/SiC肖特基二极管选型指南
目录- Product introduction SiC FETs SiC JFETs SiC Schottky Diodes
型号- UJ3D06506TS,UJ3D1220KSD,UF3C065040T3S,UF3C120080K3S,UF3C065040B3,UJ4C075023K3S,UJ3D1210KS,UF3N090350,UF3C SERIES,UJ3C065080B3,UJ3C120040K3S,UJ3N1701K2,UF3N SERIES,UJ3N065025K3S,UJ3N065080K3S,UF3SC120016K3S,UF3C065080K3S,UJ4SC,UF3N170400,UF3C065030K4S,UF3N120140,UF3N065600,UF3N170400B7S,UJ3D06510TS,UJ3D06560KSD,SC SERIES,UJ3C065030B3,UJ3D1210K2,UF3SC065007K4S,UF3C120400K3S,UJ4SC SERIES,UF4C120053K4S,UJ3C120150K3S,UJ4C075060K4S,UJ3D1202TS,UF3C065080B7S,UJ3D1220K2,SC,UF3C065080T3S,UF3C065040K3S,UJ3C120080K3S,UF3SC,UF4C120053K3S,UF3C120080K4S,UF3N090800,UJ4C075018K3S,UJ3D1210TS,UF3SC065030B7S,UJ4C075023K4S,UJ3D06530TS,UJ4C075060K3S,UJ3N SERIES,UJ3N120035,UF4C120070K3S,UF3SC120040B7S,UF3SC120016K4S,UJ4C SERIES,UJ4C075018K4S,UJ3C065080T3S,UF4SC120030K4S,UJ3N120035K3S,UJ3D06504TS,UJ3C065030K3S,UJ3D1205TS,UF3C065080B3,UJ3N065080,UJ4SC075009K4S,UJ3N120070K3S,UJ4C075033K3S,UF3SC SERIES,UF4C120070K4S,UF3C065030T3S,UJ3D06508TS,UJ3D1210KSD,UJ3D06516TS,UJ3D06512TS,UJ3D1250K2,UJ4SC075006K4S,UF3C120040K4S,UF3C065030B3,UF3C120150B7S,UJ3C SERIES,UF3C065040K4S,UJ4C075044K3S,UJ3C065030T3S,UJ4C,UJ3C120070K3S,UF3C065030K3S,UF4C,UJ3D1250K,UJ3D06520TS,UF3SC120009K4S,UF4C SERIES,UJ3N065025,UF3C120080B7S,UF3C120040K3S,UF3C120150K4S,UJ3C065080K3S,UJ3D1725K2,UJ3N120065K3S,UJ3D,UJ4C075044K4S,UJ3C,UJ3D06520KSD,UF3N065300,UF3C,UF3N,UJ3N120070,UJ4SC075011K4S,UJ4C075033K4S,UJ3N,UF3C170400K3S,UF4SC120023K4S,UJ3D SERIES,UF3SC065040B7S,UF3C065080K4S
1200V第4代SiC FET具有业界最佳性能,为高压市场提供最佳SiC电源解决方案
描述- **1200V Gen 4 SiC FETs性能卓越,助力高压市场发展** 本文介绍了UnitedSiC(现Qorvo)推出的1200V Gen 4碳化硅场效应晶体管(SiC FET),该产品家族扩展至更高电压应用。新推出的六款产品,包括23毫欧姆至70毫欧姆的UF4C/SC系列,提供TO247-4L(kelvin连接)封装的1200V/53毫欧姆和70毫欧姆SiC FET,以及TO247-3L封装的70毫欧姆SiC FET。这些SiC FET在性能上具有优势,适用于电动汽车市场向800V车载充电器(OBC)和DC/DC转换器的发展。新FET采用先进的垂直沟槽器件结构,提供行业最佳性能,包括最低的RDS(on) x Area、RDS(on) x Eoss、RDS(on) x Coss、(tr)和RDS(on) x Qg。此外,这些SiC FET还提供优异的热性能,有助于提高功率处理能力和降低开关损耗。
型号- UF4SC120030K4S,UF4C120053K3S,UF4C120030K4S,UF4SC SERIES,UF3C120040K4S,UF4C SERIES,UF4C120070K3S,UF4C,UF4C120070K4S,UF4C120053K4S,UF4SC120023K4S,UF4SC
SiC FET用户指南
描述- 本指南提供了使用RC阻尼器与快速切换SiC器件的实用解决方案和指导。通过实验双脉冲测试(DPT)验证了该解决方案。阻尼器损耗被精确测量,以帮助用户计算阻尼电阻的功率等级。分析了阻尼器在硬切换和软切换应用中的有益影响。指南还包括SiC FET的使用表格,提供了不同型号器件的栅极驱动电压和应用类型信息。
型号- UJ3C065080T3S,UJ4C075018K4S,UF4SC120030K4S,UF3C065040T3S,UF3C120080K3S,UJ3C065030K3S,UF3C065040B3,UF3C065080B3,UJ4C075023K3S,UF4SC120053K4S,UJ4SC075009K4S,UJ4C075033K3S,UJ3C065080B3,UJ3C120040K3S,UF3C065030T3S,UF4SC,UF3SC120016K3S,UF3C065080K3S,UJ4SC,UF3C065030K4S,UJ3C065030B3,UF3CXXXYYYK3S,UJ4SC075006K4S,UF3SC065007K4S,UF3C120040K4S,UF3C065030B3,UF3C120400K3S,UJ4CXXXK3S,UF3C120150B7S,UF3C065040K4S,UJ4C075044K3S,UJ3C065030T3S,UJ4C,UJ3C120070K3S,UF3C065030K3S,UF4C,UJ3C120150K3S,UJ4C075060K4S,UF3C065080B7S,UF3C170400B7S,UF4SC120070K4S,UF3CXXXYYYK4S,UF3SC120009K4S,UF3C120080B7S,UF3C065080T3S,UF3C120040K3S,UF3C120150K4S,UF3C065040K3S,UJ3C120080K3S,UJ3C065080K3S,UF3SC,UF3C120080K4S,UJ4C075044K4S,UJ3C,UJ4C075018K3S,UF3C,UF3SC065030B7S,UJ4C075023K4S,UJ4C075060K3S,UJ3CXXXYYYK3S,UF4SC120053K3S,UF4SC120070K3S,UF SERIES,UJ4SC075011K4S,UJ4C075033K4S,UF3C120150K3S,UF3C170400K3S,UF4SC120023K4S,UF3SC120040B7S,UF3SC065040B7S,UF3SC120016K4S,UF3C065080K4S
UnitedSiC FET用户指南
描述- 本指南提供了使用RC阻尼器与快速切换SiC器件的实用解决方案和指导。通过实验双脉冲测试(DPT)验证了该解决方案。阻尼器损耗被精确测量,以帮助用户计算阻尼电阻的功率等级。分析了阻尼器在硬切换和软切换应用中的有益影响。指南还包括SiC FET的使用表格,提供了不同型号器件的栅极驱动电压和应用类型信息。
型号- UJ3C065080T3S,UJ4C075018K4S,UF3C065040T3S,UF3C120080K3S,UF3SC065040D8S,UJ3C065030K3S,UF3SC065030D8S,C1808C681JGGAC7800,UF3C065040B3,UF3C065080B3,UJ4C075023K3S,UJ4SC075009K4S,CRCW201010R0JNEFHP,UJ4C075033K3S,UJ3C065080B3,UJ3C120040K3S,UF3C065030T3S,UF3SC120016K3S,UF3C065080K3S,UJ4SC,UF3C065030K4S,CRCW25124R70JNEGHP,UJ3C065030B3,UF3CXXXYYYK3S,UJ4SC075006K4S,C1206C680JGGAC7800,UF3SC065007K4S,UF3C120040K4S,UF3C065030B3,UF3C120400K3S,UJ4CXXXK3S,UF3C120150B7S,UF3C065040K4S,UJ4C075044K3S,C1206C151JGGAC7800,UJ3C065030T3S,UJ4C,UF3C065030K3S,UJ3C120150K3S,UF3C120400B7S,UJ4C075060K4S,CRCW20104R70JNEFHP,UF3C065080B7S,UF3C170400B7S,UF3CXXXYYYK4S,202R18N101JV4E,SR1206FR-7W4R7L,UF3SC120009K4S,UF3C120080B7S,KTR18EZPF10R0,UF3C065080T3S,UF3C120040K3S,UF3C120150K4S,UF3C065040K3S,UJ3C120080K3S,UJ3C065080K3S,UF3SC,KTR18EZPF4R70,UF3C120080K4S,UJ4C075044K4S,CRCW251210R0JNEGHP,UJ3C,UJ4C075018K3S,UF3C,UF3SC065030B7S,C1206C221JGGAC7800,C1210C331JGGACTU,SR1206FR-7W10RL,UJ4C075023K4S,UJ4C075060K3S,UJ3CXXXYYYK3S,UJ4C075033K4S,UJ4SC075011K4S,UF3C120150K3S,UF3C170400K3S,UF3SC120040B7S,UF3SC065040B7S,UF3SC120016K4S,UF3C065080K4S,202R18N470JV4E
具有业界出众性能的1200V第四代SiC FET为高压市场提供优秀SiC功率解决方案
UnitedSiC扩充了1200V产品系列,将突破性的第四代SiC FET技术推广到电压更高的应用中。新UF4C/SC系列中的六款新产品的规格从23毫欧到70毫欧,现以TO247-4L(开尔文连接)封装提供,而1200V的53毫欧和70毫欧SiC FET还以TO247-3L封装提供。
全球唯一一家拥有同时兼容SiC和Si驱动的SiC FET制造商——UnitedSiC(联合碳化硅)
UnitedSiC(联合碳化硅)开发出各种创新的碳化硅场效应晶体管(FET)、碳化硅结型场效应晶体管(JFET)和碳化硅肖特基二极管(Schottky Diode)等功率半导体器件,且可定制,为电动汽车充电器,DC-DC转换器,牵引变流器等。
SiC FET的起源和发展—与SiC MOS及其他替代技术的性能比较
使用宽带隙半导体作为高频开关为实现更高的功率转换效率提供了有力支持。一个示例是,碳化硅开关可以实施为SiC MOSFET或以共源共栅结构实施为SiC FET。本文追溯了SiC FET的起源和发展,直至最新一代产品,并将其性能与替代技术进行了比较。
可直接替换IGBT和Si MOS的第三代SiC FET,提供革命性的功率转换性能
现在已经出现了第三代SiC FET,这是一种Si-MOSFET和SiC JFET的共源共栅布置,处于宽带隙技术的前沿。作为IGBT和Si-MOSFET的直接替代品,SiC FET用于升级电动机驱动、UPS逆变器、焊机、大功率交直流和直流转换器等。
UJ3C065030B 3650V-27MW SiC FET规格书
描述- 本资料介绍了650V-27mW碳化硅场效应晶体管(SiC FET)的详细规格和应用信息。该器件采用独特的“级联”电路配置,结合了SiC JFET和Si MOSFET,实现低导通电阻、低栅极电荷和优异的反向恢复特性,适用于开关电感负载和标准栅极驱动应用。
型号- UJ3C065030B3
【经验】适用于SiC FET的简单RC缓冲电路,可解决电压过冲和振铃等问题
随着我们的产品接近边沿速率超快的理想半导体开关,电压过冲和振铃开始成为问题。适用于SiC FET的简单RC缓冲电路可以解决这些问题,并带来更高的效率增益。UnitedSiC将在本文中进行详细的分析。
【经验】在高速开关碳化硅场效应管(SiC FET)中接入RC缓冲电路,能有效解决高速开关损耗以及振铃效应
基于半桥结构这一典型应用,本文介绍了在开关速度快的SiC器件的漏极和源极之间接入RC缓冲吸收电路的优势,解决了如何抑制过多的电压冲击和振铃噪声的问题。此外本文还介绍了一种将RC缓冲吸收电路使用在高速碳化硅开关器件的实用方案——UnitedSiC推出的UF3C系列SiC FET,该方案通过了双脉冲测试的结果验证。
电子商城
现货市场
服务
提供CE测试服务,通过晶体回路匹配分析,给出测试报告。支持EPSON所有MHz无源晶体、32.768KHz晶体。支持到场/视频直播测试,资深专家全程指导。
实验室地址: 深圳/上海 提交需求>
测试范围:扬兴晶振全系列晶体,通过对晶体回路匹配分析,调整频率、驱动功率和起振能力,解决频偏、不起振、干扰、频率错误等问题。技术专家免费分析,测完如有问题,会进一步晶振烧录/修改电路。
实验室地址: 深圳 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论