【产品】UnitedSiC推出新的UF4C/SC系列1200V第四代SiC FET 非常适合主流的800V总线结构
2022年5月11日 –移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo®(纳斯达克代码:QRVO)今日宣布推出新一代1200V碳化硅(SiC)场效应晶体管(FET)系列,这些产品在导通电阻方面具备业界出众的性能表征。新的UF4C/SC系列1200V第四代SiC FET非常适合主流的800V总线结构,这种结构常见于电动车车载充电器、工业电池充电器、工业电源、直流太阳能逆变器、焊机、不间断电源和感应加热应用。
UnitedSiC(即Qorvo)功率器件总工程师Anup Bhalla称:“性能较高的第四代产品扩充了我们的1200V产品系列,让我们能更好地服务于将总线设计电压提高到800V的工程师。在电动车中,这种电压升高不可避免,而这些新器件有四个不同RDS(on)等级,有助于设计师们为每个设计选择最适合的SiC产品。”
新UF4C/SC系列的亮点就在于下表中出色的SiC FET性能表征:
所有RDS(on)产品(23、30、53和70毫欧)都采用行业标准4引脚开尔文源极TO-247封装,在较高的性能等级下提供更清洁的开关。53和70毫欧器件还采用TO-247 3引脚封装。该系列零件在控制得当的热性能基础上实现了出色的可靠性,这种热性能是先进的银烧结晶粒连接方式和先进的晶圆减薄工艺带来的结果。
新1200V第四代SiC FET的定价(1000件起,FOBUSA)从$5.71(UF4C120070K3S)到$14.14(UF4SC120023K4S)不等。所有器件都由授权经销商销售。
UnitedSiC的碳化硅和功率管理产品可以为多种工业、商业和消费品应用提供充电、供电和控制功能。
关于FET-Jet CalculatorTM
FET-Jet CalculatorTM是一种免费的在线设计工具,包含了所有的1200V SiC FET,可以立即评估各种交直流和隔离/非隔离直流转换器拓扑中所用器件的能效、组件损耗和结温上升。它可以在用户指定的散热条件下比较单个器件和并联的器件,从而得到最优解决方案。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 1
本文由扶摇转载自UnitedSiC,原文标题为:UnitedSiC(现名Qorvo)宣布推出具有业界出众品质因数的1200V第四代SiC FET,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。
相关推荐
【产品】1200V碳化硅场效应晶体管UF3SC120009K4S/16K3S/16K4S,导通电阻8.6mΩ/16mΩ
UF3SC120009K4S、UF3SC120016K3S、UF3SC120016K4S是UnitedSic公司推出的三款碳化硅场效应晶体管。这种SiC FET器件基于独特的“共源共栅”电路配置,其中常开SiC JFET与Si MOSFET共封装,制造出常关SiC FET器件。 该器件的标准栅极驱动特性允许对Si IGBTs、Si FET、SiC MOSFET或Si超结器件进行真正的“替代”。
新产品 发布时间 : 2019-12-06
【产品】1200V/80mΩ的SiC FET UF3C120080K3S,最高工作温度175℃
UnitedSiC的SiC FET(碳化硅场效应晶体管)采用了独特的共源共栅(cascode)电路配置,将常开型SiC JFET与Si MOSFET共同封装在一起,从而构建出常关型SiC FET器件。UF3C120080K3S是一款1200V的SiC FET。
新产品 发布时间 : 2020-12-12
【产品】750V/58mΩ的第四代SiC FET UJ4C075060K4S,TO-247-4L封装
UJ4C075060K4S是一款750V、58mΩ的碳化硅场效应晶体管(SiC FET),是UnitedSiC推出的第4代SiC FET产品,采用了独特的“共源共栅(cascode)”电路配置,将常开型SiC JFET与Si MOSFET共同封装在一起。
新产品 发布时间 : 2020-12-04
【经验】SiC FET关断时VDS尖峰和振荡问题的解决方法
UnitedSiC的SiC FET能直接替代Si MOSFET,但其高开关速度也可能会使关断VDS电压产生尖峰和震荡,使系统的EMI变差。关断时的VDS尖峰和振荡产生的根本原因是高速开关过程中di/dt在杂散电感上产生了较高的感应电压。本文将给出并对比几种解决方案。
设计经验 发布时间 : 2020-11-02
UnitedSiC SiC FET/SiC JFET/SiC肖特基二极管选型指南
目录- Product introduction SiC FETs SiC JFETs SiC Schottky Diodes
型号- UJ3D06506TS,UJ3D1220KSD,UF3C065040T3S,UF3C120080K3S,UF3C065040B3,UJ4C075023K3S,UJ3D1210KS,UF3N090350,UF3C SERIES,UJ3C065080B3,UJ3C120040K3S,UJ3N1701K2,UF3N SERIES,UJ3N065025K3S,UJ3N065080K3S,UF3SC120016K3S,UF3C065080K3S,UJ4SC,UF3N170400,UF3C065030K4S,UF3N120140,UF3N065600,UF3N170400B7S,UJ3D06510TS,UJ3D06560KSD,SC SERIES,UJ3C065030B3,UJ3D1210K2,UF3SC065007K4S,UF3C120400K3S,UJ4SC SERIES,UF4C120053K4S,UJ3C120150K3S,UJ4C075060K4S,UJ3D1202TS,UF3C065080B7S,UJ3D1220K2,SC,UF3C065080T3S,UF3C065040K3S,UJ3C120080K3S,UF3SC,UF4C120053K3S,UF3C120080K4S,UF3N090800,UJ4C075018K3S,UJ3D1210TS,UF3SC065030B7S,UJ4C075023K4S,UJ3D06530TS,UJ4C075060K3S,UJ3N SERIES,UJ3N120035,UF4C120070K3S,UF3SC120040B7S,UF3SC120016K4S,UJ4C SERIES,UJ4C075018K4S,UJ3C065080T3S,UF4SC120030K4S,UJ3N120035K3S,UJ3D06504TS,UJ3C065030K3S,UJ3D1205TS,UF3C065080B3,UJ3N065080,UJ4SC075009K4S,UJ3N120070K3S,UJ4C075033K3S,UF3SC SERIES,UF4C120070K4S,UF3C065030T3S,UJ3D06508TS,UJ3D1210KSD,UJ3D06516TS,UJ3D06512TS,UJ3D1250K2,UJ4SC075006K4S,UF3C120040K4S,UF3C065030B3,UF3C120150B7S,UJ3C SERIES,UF3C065040K4S,UJ4C075044K3S,UJ3C065030T3S,UJ4C,UJ3C120070K3S,UF3C065030K3S,UF4C,UJ3D1250K,UJ3D06520TS,UF3SC120009K4S,UF4C SERIES,UJ3N065025,UF3C120080B7S,UF3C120040K3S,UF3C120150K4S,UJ3C065080K3S,UJ3D1725K2,UJ3N120065K3S,UJ3D,UJ4C075044K4S,UJ3C,UJ3D06520KSD,UF3N065300,UF3C,UF3N,UJ3N120070,UJ4SC075011K4S,UJ4C075033K4S,UJ3N,UF3C170400K3S,UF4SC120023K4S,UJ3D SERIES,UF3SC065040B7S,UF3C065080K4S
1200V Gen 4 SiC FETs with industry-best performance deliveroptimal SiC power solutions to high-voltage markets
型号- UF4SC120030K4S,UF4C120053K3S,UF4C120030K4S,UF4SC SERIES,UF3C120040K4S,UF4C SERIES,UF4C120070K3S,UF4C,UF4C120070K4S,UF4C120053K4S,UF4SC120023K4S,UF4SC
SiC FET User Guide
型号- UJ3C065080T3S,UJ4C075018K4S,UF4SC120030K4S,UF3C065040T3S,UF3C120080K3S,UJ3C065030K3S,UF3C065040B3,UF3C065080B3,UJ4C075023K3S,UF4SC120053K4S,UJ4SC075009K4S,UJ4C075033K3S,UJ3C065080B3,UJ3C120040K3S,UF3C065030T3S,UF4SC,UF3SC120016K3S,UF3C065080K3S,UJ4SC,UF3C065030K4S,UJ3C065030B3,UF3CXXXYYYK3S,UJ4SC075006K4S,UF3SC065007K4S,UF3C120040K4S,UF3C065030B3,UF3C120400K3S,UJ4CXXXK3S,UF3C120150B7S,UF3C065040K4S,UJ4C075044K3S,UJ3C065030T3S,UJ4C,UJ3C120070K3S,UF3C065030K3S,UF4C,UJ3C120150K3S,UJ4C075060K4S,UF3C065080B7S,UF3C170400B7S,UF4SC120070K4S,UF3CXXXYYYK4S,UF3SC120009K4S,UF3C120080B7S,UF3C065080T3S,UF3C120040K3S,UF3C120150K4S,UF3C065040K3S,UJ3C120080K3S,UJ3C065080K3S,UF3SC,UF3C120080K4S,UJ4C075044K4S,UJ3C,UJ4C075018K3S,UF3C,UF3SC065030B7S,UJ4C075023K4S,UJ4C075060K3S,UJ3CXXXYYYK3S,UF4SC120053K3S,UF4SC120070K3S,UF SERIES,UJ4SC075011K4S,UJ4C075033K4S,UF3C120150K3S,UF3C170400K3S,UF4SC120023K4S,UF3SC120040B7S,UF3SC065040B7S,UF3SC120016K4S,UF3C065080K4S
具有业界出众性能的1200V第四代SiC FET为高压市场提供优秀SiC功率解决方案
UnitedSiC扩充了1200V产品系列,将突破性的第四代SiC FET技术推广到电压更高的应用中。新UF4C/SC系列中的六款新产品的规格从23毫欧到70毫欧,现以TO247-4L(开尔文连接)封装提供,而1200V的53毫欧和70毫欧SiC FET还以TO247-3L封装提供。
原厂动态 发布时间 : 2022-06-29
SiC FET的起源和发展—与SiC MOS及其他替代技术的性能比较
使用宽带隙半导体作为高频开关为实现更高的功率转换效率提供了有力支持。一个示例是,碳化硅开关可以实施为SiC MOSFET或以共源共栅结构实施为SiC FET。本文追溯了SiC FET的起源和发展,直至最新一代产品,并将其性能与替代技术进行了比较。
原厂动态 发布时间 : 2022-06-21
全球唯一一家拥有同时兼容SiC和Si驱动的SiC FET制造商——UnitedSiC(联合碳化硅)
UnitedSiC(联合碳化硅)开发出各种创新的碳化硅场效应晶体管(FET)、碳化硅结型场效应晶体管(JFET)和碳化硅肖特基二极管(Schottky Diode)等功率半导体器件,且可定制,为电动汽车充电器,DC-DC转换器,牵引变流器等。
品牌简介 发布时间 : 2019-11-22
UnitedSiC SiC FET User Guide
型号- UJ3C065080T3S,UJ4C075018K4S,UF3C065040T3S,UF3C120080K3S,UF3SC065040D8S,UJ3C065030K3S,UF3SC065030D8S,C1808C681JGGAC7800,UF3C065040B3,UF3C065080B3,UJ4C075023K3S,UJ4SC075009K4S,CRCW201010R0JNEFHP,UJ4C075033K3S,UJ3C065080B3,UJ3C120040K3S,UF3C065030T3S,UF3SC120016K3S,UF3C065080K3S,UJ4SC,UF3C065030K4S,CRCW25124R70JNEGHP,UJ3C065030B3,UF3CXXXYYYK3S,UJ4SC075006K4S,C1206C680JGGAC7800,UF3SC065007K4S,UF3C120040K4S,UF3C065030B3,UF3C120400K3S,UJ4CXXXK3S,UF3C120150B7S,UF3C065040K4S,UJ4C075044K3S,C1206C151JGGAC7800,UJ3C065030T3S,UJ4C,UF3C065030K3S,UJ3C120150K3S,UF3C120400B7S,UJ4C075060K4S,CRCW20104R70JNEFHP,UF3C065080B7S,UF3C170400B7S,UF3CXXXYYYK4S,202R18N101JV4E,SR1206FR-7W4R7L,UF3SC120009K4S,UF3C120080B7S,KTR18EZPF10R0,UF3C065080T3S,UF3C120040K3S,UF3C120150K4S,UF3C065040K3S,UJ3C120080K3S,UJ3C065080K3S,UF3SC,KTR18EZPF4R70,UF3C120080K4S,UJ4C075044K4S,CRCW251210R0JNEGHP,UJ3C,UJ4C075018K3S,UF3C,UF3SC065030B7S,C1206C221JGGAC7800,C1210C331JGGACTU,SR1206FR-7W10RL,UJ4C075023K4S,UJ4C075060K3S,UJ3CXXXYYYK3S,UJ4C075033K4S,UJ4SC075011K4S,UF3C120150K3S,UF3C170400K3S,UF3SC120040B7S,UF3SC065040B7S,UF3SC120016K4S,UF3C065080K4S,202R18N470JV4E
【经验】SiC FET让图腾柱功率因数校正电路发挥最大优势
图腾柱功率因数校正电路一直停留在想法阶段,人们不断寻找它的有效实施技术。图腾柱PFC电路中的SiC FET不仅能实现潜在的效率增益,还容易实施。现在,人们发现,SiC FET是能让该拓扑发挥最大优势的理想开关。
设计经验 发布时间 : 2022-02-27
UnitedSiC新推第四代SiC FET UJ4C系列,750V额定电压,具有同类最佳的性能指标
UnitedSiC推出新的第四代UJ4C系列SiC FET具有突破性的性能水平,旨在加速汽车和工业充电、电信整流器、数据中心PFC DC-DC转换以及可再生能源和储能应用中的功率性能提升。
原厂动态 发布时间 : 2020-12-25
电子商城
现货市场
服务
提供全面表征产品器件耗电特征及功耗波形、快速瞬态效应、电源优化、表征和仿真测试服务,使用直流电源分析仪测量精度达50µV,8nA,波形发生器带宽100kHz,输出功率300W,示波器200kHz,512 kpts
实验室地址: 深圳/苏州 提交需求>
可烧录IC封装SOP/MSOP/SSOP/TSOP/TSSOP/PLCC/QFP/QFN/MLP/MLF/BGA/CSP/SOT/DFN;IC包装Tray/Tube/Tape;IC厂商不限,交期1-3天。支持IC测试(FT/SLT),管装、托盘装、卷带装包装转换,IC打印标记加工。
最小起订量: 1pcs 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论