1200V、80/160毫欧 SiC MOSFET，可现货替代CREE C2M008/160120D

时间： 2020-09-02 来源：世强

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SiC Mosfet,LSIC1MO120E0160,LSIC1MO120E0080,Littelfuse

相比于Si器件，SiC 器件具有宽禁带，高电场和高热导率特性。基于车载的DC/DC、OBC、充电桩和光伏MPPT等应用对高功率密度、高开关频率、低损耗的要求日益提高，LITTELFUSE（力特）推出规格为1200V/80mΩ和160mΩ的SiC Mosfet。

● 它们拥有比竞争对手cree同规格产品更大的优势：开关损耗更低36%、导通电流能力最多高22%！

● 在封装上，也是市场主流的兼容封装TO-247-3，可以pin2pin替换选用，设计方便！

● 平台提供大量现货、免费样品，100%原厂正品，同时保证最具竞争力的代理商价格！

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产品应用经验参考

● N通道1200 V碳化硅MOSFET，专为高频、高效应用

● 两款全新1200V碳化硅MOSFET助力光伏逆变器设计，具有超低导通电阻80/160毫欧姆

LSIC1MO120E0160在感应加热应用中的逆变器电路设计和参数计算

● 高阻断电压碳化硅MOSFET LSIC1MO120E0080，LSIC1MO120E0160在高频感应加热的应用

● 力特SIC MOS帮助高频逆变电焊机效率提升至80%、体积减小15%

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LSIC1MO120E0160 1200 V N-channel, Enhancement-mode SiC MOSFET 数据手册

LSIC1MO120E0080 1200 V N-channel, Enhancement-mode SiC MOSFET 数据手册

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全部评论（687）

刘一分 Lv6 高级专家 2020-11-17

立特管子市场占有率多大？
- 周鑫回复：相对来说贵一些，在某些要求高点的邻域有一定的市场占有率
  查看全部5条回复
DY Lv4. 资深工程师 2021-02-17

这个消息比较有用
Eyang Lv3. 高级工程师 2021-01-23

SiC产品品牌越来越多了
angelar Lv7. 资深专家 2020-12-04

力特保险用的多，mosfet来学习学习
lcch81 Lv7. 资深专家 2020-12-03

一直用的都是Littelfuse的保护器件

没有强创造强 Lv7. 资深专家 2020-11-30

这个消息比较有用，先收藏先
茉莉莱恩 Lv7. 资深专家 2020-11-23

这个消息比较有用，先收藏先
进了城的农村人 Lv6. 高级专家 2020-11-05

？？？
- 世小强回复：请勿在评论灌水，重复评论已做删除处理
用户63147486 Lv4. 资深工程师 2023-12-21

学习
Timm Lv9. 科学家 2022-11-09

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【方案】30~80kW组串式光伏逆变器优选器件方案

描述- 该方案针对30~80kW的组串式光伏逆变器，采用多路BOOST升压电路，减少光伏电池组件最佳工作点与逆变器不匹配的情况，最大程度增加发电量。逆变侧采用T型三电平拓扑，开关频率支持16kHz（最佳频率点），效率最高可达98.54%。辅助电源采用1700V耐压SiC MOSFET，单端反激电源可直接应用在1000V母线系统。同时，在BOOST升压电路和逆变电路中均采用IGBT模块设计，集成度更高。

型号- MKS4J022202D00MSSD,10-FZ12NMA080NS03-M260F,0505025.MX52LEP,TFLEX HD300,BGM111,C2M1000170D,EFR32MG13P732F512GM48-C,RBN75H125S1GP4-A0,10-FY12NMA160SH01-M820F18,KT05,PS9402,SGM6022,MLX91208,28R1101-000,28R0610-000,30-FT12NMA160SH-M669F28,PS9031,LSIC2SD120E30CC,30-FT12NMA200SH-M660F08,LXXXX 15.00/05/90 4.5SN GR,28R1476-100,92ML,LX 15.00/05/90 4.5SN GR BX,MKS4J033305D00KSSD,TPCM780,RC12-6-01LS,SMBJ18CA,28R1953-000,PS9531L3,SI86XX,28B0141-000,WDU50N,SGM6032,WGM110,R5F56514FDLJ,C4D30120D,WDU70N,RBN40H125S1GPQ-A0,C2M0080120D,V23990-P629-L43,SGM2019,LSIC1MO120E0080,SID11X2K,SI8261BCD-C-IS

WEIDMUELLER,LITTELFUSE,LAIRD,SILICON LABS,WIMA,RENESAS,VINCOTECH,STANDEX-MEDER,II-VI MARLOW,WOLFSPEED,PI,ROGERS,MELEXIS,SGMICRO - 优选器件方案 - V2.1

【IC】Littelfuse用于SiC MOSFET和高功率IGBT的创新低侧栅极驱动器IX4352NE

Littelfuse宣布推出IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器。这款创新的驱动器专门设计用于驱动工业应用中的碳化硅（SiC）MOSFET和高功率绝缘栅双极晶体管（IGBT）。IX4352NE通过一种新型9A拉/灌电流驱动器扩展了我们广泛的低侧栅极驱动器系列，简化了SiC MOSFET所需的栅极驱动电路。

2024-05-25 - 产品代理服务技术支持采购服务

利用SMFA系列非对称TVS二极管实现高效SiC MOSFET栅极保护应用说明

描述- 本文介绍了Littelfuse公司推出的SMFA系列非对称TVS二极管，用于保护SiC MOSFET栅极免受正向和负向过电压浪涌的影响。该系列二极管具有不同的击穿电压和钳位电压，适用于不同栅极额定电压的SiC MOSFET。SMFA二极管采用SOD-123FL扁平封装，可减少寄生效应和PCB面积，提高电路的稳健性和可靠性。

型号- SMFA1905CA,SMFA,SMFA1505CA,SMFA1805CA,SMFA系列,SMFA2005CA

2024/9/26 - LITTELFUSE - 用户指南代理服务技术支持采购服务

【经验】基于栅极驱动器BM6104FV-C与IXDD609的SiC MOSFET驱动电路设计

SiC MOSFET对驱动要求高，主要体现在驱动电压和驱动速度。SiC MOSFET标称驱动电压范围一般为-6~22V，其开启电压一般很低，并随温度上升而降低，但只有达到18-20V时，才能完全开通。硅器件的驱动电压最高一般为15V，所以驱动不能直接用于驱动SiC MOSFET。笔者针对应用要求，在实际设计中选用ROHM BM6104FV-C栅极驱动器并在后级添加力特的IXDD609进行功率放大。

2019-11-05 - 设计经验

【选型】力特1700V SiC MOSFET助力光伏逆变器1500V系统辅助电源高效稳定运行

现在光伏逆变器电压等级提升到1500V，如果选用单端反激拓扑，单管MOS耐压值需要超过3000V，因此建议采用双管反激方案，推荐Littelfuse的SiC MOSFET LSIC1MO170E1000，1700V高耐压，同时采用常用的TO247封装，可直接替换Si MOS使用。

2020-12-29 - 器件选型代理服务技术支持采购服务

用于SiC MOSFET栅极保护的SMFA系列非对称TVS二极管产品简介

描述- SMFA系列不对称TVS二极管专为SiC MOSFET栅极保护设计，提供单组件解决方案，有效降低寄生效应和PCB面积，适用于快速切换的SiC应用。

型号- SMFA,SMFA SERIES

2024/8/28 - LITTELFUSE - 数据手册代理服务技术支持采购服务

力特（Littelfuse）全新发布驱动电流高达30A的SiC驱动方案——世强硬创沙龙2019

描述- 该资料主要介绍了Littelfuse公司的产品和服务，包括保护、控制和传感技术。重点介绍了门驱动IC、SiC产品、熔断器、PTC、小型断路器、 Reed开关、TVS二极管、LED保护器等。此外，还详细介绍了IXD600系列门驱动IC的特点、优势和应用，包括汽车级门驱动器、SiC MOSFET门驱动器等。资料还对比了SiC器件与Si MOSFET和二极管的性能差异，强调了SiC器件在提高功率密度、降低开关损耗和提升系统性能方面的优势。

型号- IXDN609SI,IX4340UE,C3M0075120J,MEJ2D1209SC,IXD_604,CGD15SG00D2,IXD_609,IXDD604SIATR,SI8261BCD,IXD_602,IXD_600,IXD_614SI,CRD-001,IX4427N,IX4340NE,IX4427M,IX4340N,IX4340,C2M0040120D,IRS4428,IRS4426,IX4426,IRS4427,MIC4426,IXD_630,IXD_614,IXD_609SI,IX4427,MIC4427,IX4428,MIC4428,600 SERIES,IXD_604SI,IX4351NE,IX4426N,IX4428N

LITTELFUSE - 培训文档-商品应用及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

60W辅助电源应用说明

描述- 本资料介绍了基于1700V SiC MOSFET的60W辅助电源设计，采用单开关反激拓扑，适用于工业应用。设计特点包括单开关反激拓扑、闭环控制输出电压调节、高功率转换效率、宽输入电压范围（300V~1000V）。主要应用于电机驱动、光伏逆变器、UPS系统和模块化多电平转换器。资料详细讨论了电路设计、变压器设计、RCD钳位电路、电流感应参数和闭环控制参数等。

型号- 1N4148W-TP,P6SMB20ALFCT-ND,TL431AIDBZ,PHE450RD6220JR06L2,72913-2,BZT52C10-7-F,MMBT3904-TP,LSIC1MO170E1000,MMSZ5248B-TP,EEE-1VA220SP,MMBT2222A,DSA30C150PB,STP03D200,RS1M-13-F,B32672L1622,EGXF350ELL152MK25S,EEE-FK1E680P,PBSS4240T,FOD817A3SD,STTH1R02,2220Y2K00104KXTWS2,MMBT2907A-7-F,MKP1848C61060JK2,MMSZ5250B-7-F,UCC28C44DR

2020/12/9 - LITTELFUSE - 应用笔记或设计指南 - Rev 20.11a 代理服务技术支持采购服务

Littelfuse电动汽车无线充电解决方案

电动汽车（EV）无线充电正日益接近现实。只需将车停在充电板上，车辆就会自动充电，而无需插电。本文介绍了Littelfuse如何帮助新型无线电动汽车充电站设计实现安全、高效和可靠。

2024-10-27 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

【应用】1200V/160mΩ的SiC MOSFET助力双向OBC小型化设计，可实现300KHz开关频率

本文推荐Littelfuse的SiC MOSFET LSIC1MO120E0160，耐压1200V，导通电阻160mΩ，助力双向OBC设计。可实现300KHz的开关频率，设计时可减小变压器体积，实现OBC小型化需求，此外产品本身具有高可靠性。

2021-01-14 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

【元件】LITTELFUSE推出业界首款用于SiC MOSFET栅极保护的非对称瞬态抑制二极管系列

LITTELFUSE是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司近日宣布推出SMFA非对称系列表面贴装瞬态抑制二极管，这是市场上首款非对称瞬态抑制解决方案，专为保护碳化硅（SiC）MOSFET栅极免受过压事件影响而设计。

2024-10-12 - 产品代理服务技术支持采购服务

ISOPLUS-SMPD™和ISOPLUS™I4-PAC™填补模块和分立器件之间的空白产品简介

描述- ISOPLUS-SMPDTM 和 ISOPLUS™ i4-PACTM 产品系列是针对电动汽车充电基础设施、医疗和工业应用而设计的封装解决方案，旨在连接模块和离散元件，提供一系列优势和价值。这些产品采用直接铜键合（DCB）隔离技术，提供高可靠性，并支持多种技术和电压等级，同时优化了功率密度和热管理。

型号- MCB60P1200TLB,LSIC1MO120G0025,MCBB60P1200TLB,ITF40PF1200DHGTLB,DCG20BB650LB,DPG60BB600LB

2022/10/12 - LITTELFUSE - 数据手册代理服务技术支持采购服务