1200V、80/160毫欧 SiC MOSFET，可现货替代CREE C2M008/160120D
相比于Si器件，SiC 器件具有宽禁带，高电场和高热导率特性。基于车载的DC/DC、OBC、充电桩和光伏MPPT等应用对高功率密度、高开关频率、低损耗的要求日益提高，LITTELFUSE（力特）推出规格为1200V/80mΩ和160mΩ的SiC Mosfet。
● 它们拥有比竞争对手cree同规格产品更大的优势：开关损耗更低36%、导通电流能力最多高22%！
● 在封装上，也是市场主流的兼容封装TO-247-3，可以pin2pin替换选用，设计方便！
● 平台提供大量现货、免费样品，100%原厂正品，同时保证最具竞争力的代理商价格！
【选型】力特1200V/80、160mΩ SiC MOSFET完美替代CREE C2M008/160120D
从封装、性能、参数方面，详细解答您的选型疑惑。
● N通道1200 V碳化硅MOSFET，专为高频、高效应用
● 最新超低导通电阻1200V碳化硅MOSFET，可超越硅MOSFET和IGBT在电源转换系统中实现超快切换
● 两款全新1200V碳化硅MOSFET助力光伏逆变器设计，具有超低导通电阻80/160毫欧姆
LSIC1MO120E0160在感应加热应用中的逆变器电路设计和参数计算
● 高阻断电压碳化硅MOSFET LSIC1MO120E0080，LSIC1MO120E0160在高频感应加热的应用
● 力特SIC MOS帮助高频逆变电焊机效率提升至80%、体积减小15%
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LSIC1MO120E0160 1200 V N-channel, Enhancement-mode SiC MOSFET 数据手册
LSIC1MO120E0080 1200 V N-channel, Enhancement-mode SiC MOSFET 数据手册
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描述- 该方案针对30~80kW的组串式光伏逆变器，采用多路BOOST升压电路，减少光伏电池组件最佳工作点与逆变器不匹配的情况，最大程度增加发电量。逆变侧采用T型三电平拓扑，开关频率支持16kHz（最佳频率点），效率最高可达98.54%。辅助电源采用1700V耐压SiC MOSFET，单端反激电源可直接应用在1000V母线系统。同时，在BOOST升压电路和逆变电路中均采用IGBT模块设计，集成度更高。
型号- MKS4J022202D00MSSD,10-FZ12NMA080NS03-M260F,0505025.MX52LEP,TFLEX HD300,BGM111,C2M1000170D,EFR32MG13P732F512GM48-C,RBN75H125S1GP4-A0,10-FY12NMA160SH01-M820F18,KT05,PS9402,SGM6022,MLX91208,28R1101-000,28R0610-000,30-FT12NMA160SH-M669F28,PS9031,LSIC2SD120E30CC,30-FT12NMA200SH-M660F08,LXXXX 15.00/05/90 4.5SN GR,28R1476-100,92ML,LX 15.00/05/90 4.5SN GR BX,MKS4J033305D00KSSD,TPCM780,RC12-6-01LS,SMBJ18CA,28R1953-000,PS9531L3,SI86XX,28B0141-000,WDU50N,SGM6032,WGM110,R5F56514FDLJ,C4D30120D,WDU70N,RBN40H125S1GPQ-A0,C2M0080120D,V23990-P629-L43,SGM2019,LSIC1MO120E0080,SID11X2K,SI8261BCD-C-IS
【IC】Littelfuse用于SiC MOSFET和高功率IGBT的创新低侧栅极驱动器IX4352NE
Littelfuse宣布推出IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器。这款创新的驱动器专门设计用于驱动工业应用中的碳化硅（SiC）MOSFET和高功率绝缘栅双极晶体管（IGBT）。IX4352NE通过一种新型9A拉/灌电流驱动器扩展了我们广泛的低侧栅极驱动器系列，简化了SiC MOSFET所需的栅极驱动电路。
Littelfuse电动汽车无线充电解决方案
电动汽车（EV）无线充电正日益接近现实。只需将车停在充电板上，车辆就会自动充电，而无需插电。本文介绍了Littelfuse如何帮助新型无线电动汽车充电站设计实现安全、高效和可靠。
【方案】125kW（1500VDC系统）光伏逆变器优选器件方案
描述- 本方案基于 1500VDC 系统，提出了在 BOOST 电路采用高集成度对称式 BOOST 模块，内置全 SiC MOS 和二极管，以提高开关频率和减小升压电感体积。在逆变电路采用 NPC 拓扑结构，耐压高达 2400V，在满足1500V 系统耐压需求的基础上，采用了低耐压的 IGBT，实现了较高的开关频率，有利于光伏逆变器实现更高的效率和更小的体积。
型号- TFLEX HD300,C3M0065090D,C2M1000170D,10-F124NID150SH03-LG18F98,10-F124NIE150SH03-LG28F98,RA-8565SA,PS9402,MLX91208,10-F124NIX150SH03-LGX8F98,28R1101-000,28R0610-000,LSIC2SD120E30CC,28R1476-100,92ML,TPCM780,RC12-6-01LS,SMBJ18CA,KT05-1A-BV88622,28R1953-000,28B0141-000,WGM110,R5F56514FDLJ,WM 4C,C4D30120D,10-FY09S2A065ME-L869L08,SID1152K,SI8621BD-B-IS,SI8261BCD-C-IS,SID11X2K
【选型】力特1700V SiC MOSFET助力光伏逆变器1500V系统辅助电源高效稳定运行
现在光伏逆变器电压等级提升到1500V，如果选用单端反激拓扑，单管MOS耐压值需要超过3000V，因此建议采用双管反激方案，推荐Littelfuse的SiC MOSFET LSIC1MO170E1000，1700V高耐压，同时采用常用的TO247封装，可直接替换Si MOS使用。
ISOPLUS-SMPD™ & ISOPLUS™ i4-PAC™ Bridging the Gap Between Modules and Discretes Product Brief
型号- MCB60P1200TLB,LSIC1MO120G0025,MCBB60P1200TLB,ITF40PF1200DHGTLB,DCG20BB650LB,DPG60BB600LB
【经验】基于栅极驱动器BM6104FV-C与IXDD609的SiC MOSFET驱动电路设计
SiC MOSFET对驱动要求高，主要体现在驱动电压和驱动速度。SiC MOSFET标称驱动电压范围一般为-6~22V，其开启电压一般很低，并随温度上升而降低，但只有达到18-20V时，才能完全开通。硅器件的驱动电压最高一般为15V，所以驱动不能直接用于驱动SiC MOSFET。笔者针对应用要求，在实际设计中选用ROHM BM6104FV-C栅极驱动器并在后级添加力特的IXDD609进行功率放大。
60W Auxiliary Power Supply Application Note
型号- 1N4148W-TP,P6SMB20ALFCT-ND,TL431AIDBZ,PHE450RD6220JR06L2,72913-2,BZT52C10-7-F,MMBT3904-TP,LSIC1MO170E1000,MMSZ5248B-TP,EEE-1VA220SP,MMBT2222A,DSA30C150PB,STP03D200,RS1M-13-F,B32672L1622,EGXF350ELL152MK25S,EEE-FK1E680P,PBSS4240T,FOD817A3SD,STTH1R02,2220Y2K00104KXTWS2,MMBT2907A-7-F,MKP1848C61060JK2,MMSZ5250B-7-F,UCC28C44DR
ISOPLUS-SMPD™ & ISOPLUS™ i4-PAC™ 跨越模块和分立元件之间的差距产品简介
型号- MCB60P1200TLB,LSIC1MO120G0025,MCBB60P1200TLB,ITF40PF1200DHGTLB,DCG20BB650LB,DPG60BB600LB
【应用】Littelfuse SiC MOSFET LSIC1MO120E0160助力有源电力滤波器大幅提升开关频率
传统的有源滤波器通常只能滤除25次及以下次谐波，通常采用IGBT作为主功率器件，开关频率低，滤波效果差。Littelfuse的SiC MOSFET LSIC1MO120E0160可将开关频率由20kHz提高至100kHz，实现滤波高达50次谐波的有源滤波器设计。
Low-Side Gate Driver ICs
型号- IXDN609SI,IXDI609SITR,IXDI604SIATR,IXD_604,IXDN604SI,IXDD614SI,IXD_609,IXDN604SITR,IXDF604SITR,IXDI604SITR,IXDI614SI,IXDD604SITR,IXDD604SIATR,IXDN604SIATR,IXD_602,IXDI609SI,IXD_600,IXD_614SI,IXD_604SIA,IXDN614SITR,IXDI604SI,IX4340,IXDD604SI,IXDF604SI,IXDD609SI,IXDN614SI,IX4426,IXD_630,IXDD604SIA,IXDD609SITR,IXDI614SITR,IXD_614,IXDI604SIA,IXD_609SI,IX4427,IX4428,IXD_604SI,IXDF604SIATR,IXDN609SITR,IXDN604SIA,IXDD614SITR,IXDF604SIA,LSIC1MO120E0080
【元件】LITTELFUSE推出业界首款用于SiC MOSFET栅极保护的非对称瞬态抑制二极管系列
LITTELFUSE是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司近日宣布推出SMFA非对称系列表面贴装瞬态抑制二极管，这是市场上首款非对称瞬态抑制解决方案，专为保护碳化硅（SiC）MOSFET栅极免受过压事件影响而设计。
【方案】4KW便携式高频逆变电焊机优选元器件方案
描述- 本方案采用Littlefuse SIC功率器件、Silicon labs电容隔离驱动、Renesas高压MOSFET和Shindengen片状整流桥等器件组成的高频逆变电路，可将机器工作频率提升到100KHz以上,效率提高到80%左右，同时机器体积可缩小近15%左右。解决了产品效率低、体积大、操作时电焊机移动不方便等问题。
型号- 2SK2225-80-E,LRMAP3920,D50XB80,TFLEX HD300,TPCM780,SMDTF03100QA00MQ00,R5F562TAADFP,LRMAP5930,1.5KE150CA,EKMW401VSN821MA40S,SI8273,SI827X,SGM6130,LSIC1M0120E0080,SI8620,D50JCB80,LSIC2SD120E20CC,250R145,2SK2225,LSIC1MO120E0080
【经验】Littelfuse SiC MOS管让光伏逆变器峰值效率高达99%
以10kW三相光伏逆变器为例，在逆变电路中采用littelfuse 1200V/80mΩ的SiC MOS管（LSIC1MO120E0080）和650V/40A的IGBT单管相结合，开关频率由16kHz提高至50kHz。在输出三相交流400V时，其最大输出电流可达18A，峰值效率高达99%，功率密度达到1Kw/L，有效的提高了整机效率和功率密度。
Littelfuse Unveils Industry’s First Asymmetrical TVS Diode Series for SiC MOSFET Gate Protection
Littelfuse today announced the SMFA Asymmetrical Series Surface-Mount TVS Diode, the first-to-market asymmetrical TVS solution specifically designed to protect SiC MOSFET gates from overvoltage events.
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定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m，厚度2mm-100mm，单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
最小起订量： 1片 提交需求>
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
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