【产品】漏电流低至1uA的3.3V和5.0V瞬态电压抑制器CMATVS3V3和CMATVS5V0
CMATVS3V3和CMATVS5V0是Central半导体公司推出的具有超低压低泄漏的瞬态电压抑制器。它封装在节省空间的SOD-923表面贴装外壳中，体积小，响应快，当二极管的两极受到反向瞬态高能量冲击时，可有效地保护电子线路中的精密元器件，免受ESD脉冲的损坏。主要用于数据线/用户界面保护、直流电源线钳位以及逻辑电平IC的ESD保护等应用。其输出特性曲线如图一所示。
图一：器件典型输出特性曲线
CMATVS3V3和CMATVS5V0的存储温度和工作结温范围为-55℃~150℃，，满足宽温度范围的工业环境使用需求。反向泄漏电流IR最大仅2.5/1.0μA，可将因电流泄露而造成的危害降到最小。击穿电压VBR为5.0/6.2V@IT=1.0mA，最大钳位电压VC达11/12.3V@IPP=7A，可较大程度的对电压敏感系统进行保护。此外，SOD-923的封装方式使得其尺寸仅为1.0 × 0.6× 0.4mm，可以实现高密度设计，同时兼容逻辑电平标准，可以满足用户多样化的设计需求。
CMATVS3V3/CMATVS5V0主要特征：
· 微型封装（1.0 × 0.6× 0.4mm）
· 逻辑电平兼容
· 低漏电流（2.5/1.0μA）
· ESD保护IEC 61000-4-2：4级（15kV）
CMATVS3V3/CMATVS5V0主要应用：
· 数据线/用户接口保护
· 直流电源线钳位
· 逻辑电平IC的ESD保护
图二：CMATVS3V3/CMATVS5V0样品示意图
技术顾问：刘新永
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Donny Lv4. 资深工程师 2018-03-30规格书从哪里下？- 世小强回复： 您好，请查阅:https://www.sekorm.com/Web/Search/keyword/CMATVS3V3 ,欲了解更多关于“CMATVS3V3”的信息请在平台搜索获取，谢谢！
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品牌：Central Semiconductor
品类：SURFACE MOUNT SILICON BI-DIRECTIONAL GLASS PASSIVATED JUNCTION TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS
价格：￥38.1375
现货： 200
品牌：Central Semiconductor
品类：Transient Voltage Suppressor
价格：￥1.3730
现货： 200
品牌：Central Semiconductor
品类：Transient Voltage Suppressor
价格：￥1.1441
现货： 200
品牌：Central Semiconductor
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价格：
现货： 20
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可定制TEC尺寸范围:1.4~62mm；制冷功率高达258W，工作电压低至1.2~5V,可实现±100℃范围内的精准控温，产品寿命可达10年，在20~95℃范围内，达上百万次的冷热循环。
最小起订量： 500pcs 提交需求>
整体外形尺寸小至0.6*0.3*0.3mm (DFN0603)，工作电压范围覆盖2.5V~36V，电容值低至0.2pF，浪涌能力最高可达240安培，静电等级可达空气放电、接触放电±30KV。提供免费浪涌测试仪、静电测试仪测试。
提交需求>
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