【产品】双极锁存型磁开关芯片TMR1223,单轴静态供电电流低至0.5mA,可保持100kHz的磁信号响应频率
多维科技TMR1223磁开关芯片是集成了隧道磁阻(TMR)传感器和CMOS电路的双极锁存型磁开关芯片,能将变化的磁场信号转化为数字电压信号,以实现位置的精确检测。该产品包括X轴和Y轴两轴、两通道、双极锁存开关信号输出,每通道独立供电和输出。
该开关芯片工作电压范围为3V~40V,芯片单轴静态供电电流低至0.5mA,并且保持了100kHz的磁信号响应频率。TMR1223磁开关芯片采用了标准的DFN8L(3mm×3mm×0.75mm)封装。
产品特性:
隧道磁阻(TMR)技术
低功耗(单轴静态电流0.5mA)
高频率响应(至100kHz)
双极锁存型磁开关
宽工作电压(3V~40V)
反向耐压(25V)
Open Drain开漏输出
高灵敏度
卓越的温度稳定性
优越的抗外磁场性能
符合RoHS&REACH
典型应用:
接近开关
速度检测
线性及旋转位置检测
线性及旋转方向检测
产品选型表:
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产品型号
|
品类
|
兼容型号
|
类型
|
供电电压(V)
|
功耗(nA、μA、mA)
|
工作模式
|
敏感方向
|
B_op(Gs,25°C)(Gs)
|
B_rp(Gs,25°C)(Gs)
|
输出接口
|
封装形式
|
TMR1102
|
TMR磁开关传感器芯片
|
—
|
单极
|
1.8~5.5 V
|
1.5μA
|
连续供电
|
X轴
|
17
|
13
|
CMOS
|
SOT23-3
|
选型表 - 多维科技 立即选型
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