【产品】高集成的恒流LED功率开关KP1075XWP，集成500V MOSFET、600V二极管、800V整流桥等
必易微KP1075XWP系列是高度集成的恒流LED功率开关，芯片采用了准谐振的工作模式，无需辅助绕组检测消磁。同时内部集成有高压500V功率MOSFET、600V超快恢复二极管、800V整流桥和高压自供电电路，简化了系统的设计和生产成本。芯片集成高精度的电感电流采样技术，可以获得高精度的恒流输出，且输出的线电压和负载调整率表现优异。
KP1075XWP集成有完备的保护功能以保障系统安全可靠的运行，如：VDD 欠压保护功能 (UVLO)、逐周期电流限制 (OCP)、过热保护(OTP)、LED短路保护等。
主要特点
1、集成高压500V MOSFET
2、集成600V超快恢复二极管
3、集成800V整流桥
4、集成高压自供电电路
5、无VDD电容设计
6、±5%恒流精度
7、准谐振模式高效率工作
8、超低工作电流
9、优质的线电压和负载调整率
10、内部保护功能：
逐周期电流限制（OCP）
前沿消隐（LEB）
LED短路保护
过热保护（OTP）
11、封装类型ASOP-7
典型应用
LED照明
典型应用电路
管脚封装
产品标记
典型功率表
备注： 最大输出功率受限于芯片最高结温，且与环境温度和PCB有关，实际系统最大输出功率请以测试为准。
管脚功能描述
订货信息
极限参数（备注1）
推荐工作条件
电气参数（环境温度为25℃，除非另有说明）
备注1：超出列表中"极限参数"可能会对器件造成永久性损坏。极限参数为应力额定值。在超出推荐的工作条件和应力的情况下，器件可能无法正常工作，所以不推荐让器件工作在这些条件下。过度暴露在高于推荐的最大工作条件下，可能会影响器件的可靠性。
备注2：最大耗散功率 PDmax=(TJmax-TA)/ƟJA，环境温度升高时最大耗散功率会随之降低。
备注3：参数取决于实际设计，在批量生产时进行功能性测试。
参数特性曲线
功能描述
KP1075XWP系列是一款高度集成的恒流LED功率开关，芯片采用了准谐振的工作模式，无需辅助绕组检测消磁，芯片同时集成500V功率开关、600V超快恢复二极管、800V整流桥和高压自供电电路，只需极少的外围器件即可达到优异的恒流特性，系统成本极低。
1、HVDD供电
KP1075XWP集成650V 高压供电电路， 功率MOSFET的栅极驱动直接通过高压供电电路供电，无需外置VDD电容。
2、恒流控制
KP1075XWP系列会逐周期采样电感电流，当电感电流达到电流比较器阈值电压 (VCS_max=600mV) 时，立即关断功率MOSFET，电感进入消磁状态，当电感电流消磁完成时，再开启下一个周期。系统工作在电感电流临界模式，因此，输出恒流值由以下公式决定：
其中：Rcs---连接于CS管脚和GND管脚之间的采样电阻。
3、电流采样和前沿消隐
在功率MOSFET导通时，会采样CS电阻两端电压，然后与内部过流比较器进行比较控制输出电流。但在MOSFET导通瞬间也会产生由MOSFET寄生电容和续流二极管反向恢复电流造成的电压尖峰。为了避免驱动信号错误关断，芯片内部设计有前沿消隐时间。在此时间内部 (典型值 500ns)，内部PWM比较器停止工作以保证驱动信号稳定导通。
4、消磁检测
KP1075XWP利用内部集成消磁检测电路，无需辅助绕组，极大减小了系统成本。
5、最长和最短关断时间
当功率MOSFET关断后，在KP1075XWP内部设计有典型值1μs的最短关断时间限制以避免干扰。同时，芯片内部典型的最长关断时间设计为 270μs。
6、过热保护（OTP）
KP1075XWP内部集成有过热保护功能。当芯片检测到结温超过 145℃ 时，内部的输出电流基准则开始逐渐降低直至达到温度平衡，如图 1 所示。通过过热保护功能，限制了系统的最高温度并提高了系 统的可靠性。
7、软驱动
KP1075XWP设计有软驱动电路有效地降低了EMI噪声。
封装尺寸
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产品型号
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品类
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Package
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PF
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MOSFET Rdson
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MOSFET Vds
|
Isolated Non-Iso
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Topology
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OTP Internal
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OVP Internal
|
OVP External
|
OCP
|
mini output voltage
|
Iout Vin=176-264Vac 72Vout
|
|
KP1054AVPA
|
LED芯片
|
SOP-4
|
0.5
|
18Ω
|
500V
|
Y
|
buck
|
Y
|
N
|
N
|
Y
|
15V
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110mA
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