【产品】600V/28A的N沟道增强型功率MOSFET RMN60N130TI，采用ITO-220封装

时间： 2020-05-09 来源：丽正国际

技术问答

丽正国际推出的N沟道增强型功率MOSFET RMN60N130TI采用先进的功率创新设计和硅工艺技术，以实现尽可能低的导通电阻和快速开关性能。它为设计者提供了一种极为高效的设备，可用于各种电源应用。ITO-220封装广泛适用于所有商业、工业通孔应用。模塑材料在接线片和外部散热器之间提供了高隔离电压能力和低热阻特点。

在Tj=25°C时，RMN60N130TI可以承受的漏源电压最大额定值为600V，栅源电压最大额定值为±20V，漏极电流最大额定值为28A（Tc=25℃， V_GS=10V ）。在V_GS=10V，I_D=9.6A时，静态漏源导通电阻最大为115mΩ。此外，其导通延迟时间t_d（on)典型值为19ns，上升时间t_r典型值为32ns，关断延迟时间t_d（off)典型值为54ns，下降时间t_f典型值为27ns。

产品特点：

100%Rg和UIS测试

低trr/Qrr

简单的驱动器要求

符合RoHS标准且无卤素

最大额定参数：

热阻参数：

电气特性：

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