【产品】杜因特推出漏-源电压30V的P沟道MOS管DC033PG，总栅极电荷典型值9.2nC

时间： 2023-03-11 来源：杜因特

技术问答

杜因特推出的P沟道MOS管 DC033PG采用先进的沟槽技术和设计，具有出色的R_DS(on)和低栅极电荷特性。该器件适用于多种应用。

特点：

V_DS=-30V，I_D=-25A，R_DS(ON)＜35mΩ@V_GS=-10V

低栅极电荷

提供绿色器件

采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低的R_DS(ON)

采用先进的封装形式，可提供良好的散热性能

封装图和示意图：

绝对最大额定值（除非另有说明，否则T_C=25℃）：

热性能：

封装标记和订购信息：

电气特性（除非另有说明，否则T_C=25℃）：

注：

1.重复额定值：脉冲宽度受最高结温限制

2.数据经脉冲测试所得，脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%

3.基本与工作温度无关

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