【应用】1200V SiC二极管助力直流充电桩的充电模块，可优化关断损耗提升DC/DC的性能

时间： 2020-04-30 来源：泰科天润

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随着新能源汽车市场的增长，与之配套的充电需求也随之增长。从行业协会摸底调查的情况来看，预计今年全年能够新增公共桩20万个左右，新增私人桩能超过40万个，公共充电站达到4.8万座。借助新基建带来的机遇，充电桩市场建设速度有望加快。

目前的新能源汽车充电方式有两类：“快充”和“慢充”，“慢充”需要交流充电桩，“快充”则需要直流充电桩，而为了获得更好的充电体验，兼容更多的充电场景，“快充”方案越来越多的得到市场的关注。作为“快充”方案直流充电桩的重要组成部分——充电模块，越来越面对来自效率性能、运维成本、功率密度等多方面的压力。

目前，由于直流充电桩所接入的市电，多数为三相电，所以充电模块也多匹配于三相输入。主流的充电模块一般为“前级PFC+后级DC-DC”的电路结构。对于前级PFC而言，针对三相输入，绝大部分厂家都采用VIENNA结构或基于VIENNA的变种结构。对于后级DC-DC而言，多采用移相全桥或LLC以及基于其的变种结构。

泰科天润面对充电模块等客户对于效率性能、运维成本、功率密度等多方面的需求，基于现行的各种拓扑，量产了1200V多种封装形式的SiC二极管系列产品，见表1。针对其他应用也有1200V 2A/3A/5A/8A/10A/50A TO252/TO263/TO220AC/TO247等电流产品对应。

拓扑

推荐使用泰科天润1200V系列SiC二极管产品的充电模块拓扑：

● 前级PFC拓扑

● 后级DCDC拓扑

从上述内容可以看出，SiC二极管一般应用于直流充电桩的充电模块产品中，作为VIENNA PFC的高频二极管和DC-DC次级整流二极管。

选择

前级PFC选择

从经济角度来看，全SiC 的VIENNA PFC方案，成本仍较高，现阶段不是一个合理的选择；传统前级PFC方案中由于1200V Si的快恢复二极管特性较差，可以考虑用反向恢复特性更好的SiC二极管替换，与Si MOSFET配合使用，可同时降低高频二极管与Si MOSFET的温升，提升VIENNA PFC的性能；

后级DC/DC选择

■ 对于移相全桥技术方案的DC/DC变换器，由于次级整流二极管存在反向恢复的工况，无论是1200V还是650V规格，应用SiC二极管均可大大优化整流二极管的关断损耗，提升DC/DC的性能。

■ 对于LLC技术方案的DC/DC变换器，由于输出整流二极管开关状态较优，在输出拓扑串联的方案，用600/650V超快恢复二极管即可满足损耗/效率的要求；对于输出并联的方案，由于1200V的Si的快恢复二极管特性较差、导通压降也较高，选用性能更优的SiC二极管进行替换后，在通态损耗和开关损耗上均有提升，可提高DC/DC的性能。

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2020/7/7 - 选型指南 - vol.02 代理服务技术支持采购服务

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2024/10/10 - 数据手册 - Rev. B.0 代理服务技术支持采购服务

【选型】泰科天润(GPT) SiC碳化硅肖特基二极管选型指南

SiC碳化硅肖特基二极管

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选型指南代理服务技术支持采购服务

【产品】DFN8*8紧凑表贴封装的650V SiC二极管，高度仅1mm，帮助实现更紧凑、高能效设计

为了帮助工程师设计密度更高，效率更高的功率转换级，泰科天润（GPT）推出了DFN8*8的紧凑型表面贴装型号，涵盖650V 4A/6A/8A/10A/15A的产品可供选择。产品包括G5S06504QT，G5S06506QT，G5S06508QT，G5S06510QT，G4S06515QT。

2020-02-27 - 新产品代理服务技术支持采购服务

【选型】泰科天润SiC二极管满足Boost/PFC、高频输出整流等多种电路设计需求

泰科天润作为一家国产厂牌，针对不同应用需求专门匹配了不同的型号，以10A/650V的参数为例，G5S06510AT的VF典型值只有1.28V，较适合在高频输出整流电路的应用； G4S06510AT的价格优势明显，主打性价比系列，可以针对成本要求较高的应用选型；G3S06510A的IFSM值比较高且价格比较适中，适合Boost/PFC电路的应用。

2020-06-30 - 器件选型代理服务技术支持采购服务

【视频】2023年1月12日碳化硅＆氮化镓新技术研讨会

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2023/9/8 - 数据手册 - Rev. X.1 代理服务技术支持采购服务

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本资料介绍了G3C06560B混合碳化硅离散器件的特性。该器件采用Si IGBT与SiC二极管结合技术，具有优异的导通和开关损耗、良好的稳定性和均匀性，适用于感应转换器和不间断电源等领域。

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2023/7/12 - 数据手册 - Rev. B.0 代理服务技术支持采购服务

砥砺前行！一同回顾泰科天润的2023年新品发布、大事盘点、展会会议和荣誉奖项

本文中将为大家回顾2023年泰科天润大事记。2023年泰科天润自产自研SiC Mosfet抗冲击鲁棒性特点鲜明、经受市场考验；启动了北京总部基地6/8英寸生产线建设；助力消费类快充、PC电源性能提升；赢得《中国半导体企业创新榜 2023》“化合物半导体科技创新企业榜”上榜企业、2023行家极光奖“中国SiC器件IDM十强企业奖”等荣誉。

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