【产品】ESD保护电压高达2kV的增强型MOSFET ，漏源通态电阻仅为0.28Ω
CEDM7004（N沟道）和CEDM8004（P沟道）是Central半导体公司推出的一款增强型MOSFET，器件封装在符合行业标准的SOT-883L中，高能效和小封装外形是其关键设计元素。该器件拥有低栅极电荷、低电压和低导通电阻，专为高速脉冲放大器和驱动器应用设计，可用于负载/电源开关、电源转换器电路、能源管理等应用。其典型输出特性曲线如图一所示。
图一：CEDM7004/CEDM8004输出特性曲线
CEDM7004系列的操作和存储的温度范围为-65℃~150℃，能够适应恶劣的工业环境。漏源电压VDS最大为30V，栅源电压VGS（th）的门限电压阈值最大为1.0V，这使得作用于半导体表面的电场较强，导电沟道较厚，沟道电阻较小。它的发热损耗仅100mW，能有效提高能源利用效率。CEDM7004的漏源通态电阻rDS（ON）仅为0.28Ω（TYP，@VGS=4.5V，ID=200mA），这使得器件有着较低的导通损耗。其导通和关断时间分别为20ns和75ns，有利于实现高频开关设计。栅极电荷QgsTPY为0.15nC（N沟道）/0.35nC（P沟道），有着较好的开关性能。
CEDM7004系列具有较强的静电保护能力，ESD保护电压高达2kV，可提高设备运行时的可靠性。SOT-883L较SOT-523封装使得器件更小、更薄，提高了能源利用效率，可实现高功率密度设计。不同封装方式器件尺寸比较如图二所示。
图二：不同封装方式器件尺寸比较图
CEDM7004系列特征：
oESD保护高达2kV
o低rDS（ON）
o低电压
o低栅极电荷
CEDM7004系列应用：
o负载/电源开关
o电源转换器电路
o能源管理
图三：样品示意图
技术顾问：坚栋
世强元件电商版权所有，转载请注明来源和链接。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 8
本网站所有内容禁止转载，否则追究法律责任！
评论
全部评论（8）
-
![]()
![]()
古月工 Lv8. 研究员 2018-11-14好 -
![]()
![]()
用户33876284 Lv3. 高级工程师 2018-08-15不错 -
![]()
![]()
辛巴 Lv8. 研究员 2018-05-07不错 -
![]()
用户18396822 Lv8 2018-03-27很好 -
![]()
![]()
用户67478141 Lv3. 高级工程师 2018-01-23好东东,值得收藏 -
![]()
![]()
conder Lv4. 资深工程师 2017-12-19好东西，收藏了 -
![]()
![]()
江城搬砖工 Lv7. 资深专家 2017-11-17收藏 -
![]()
![]()
ggss Lv8. 研究员 2017-11-10好东西，学习了
相关推荐
【产品】硅N/P沟道互补的CMLDM3757增强型MOSFET，专为高速脉冲放大器和驱动器应用而设计
Central Semiconductor公司推出了CMLDM3757表面安装型硅N沟道和P沟道互补增强型MOSFET。其漏源电压为20V，门极-源级电压为8V，漏极电流为540mA（N沟道类型）和430mA（P沟道类型），峰值漏极电流为1500mA（N沟道类型）和750mA（P沟道类型），额定功率损耗最低为150mW。专为高速脉冲放大器和驱动器应用而设计。
新产品 发布时间 : 2018-10-18
【产品】拥有0.15Ω低导通电阻的增强型P沟道MOSFET，阈值电压最大为0.85V
CMLDM8120TG是CENTRAL半导体公司推出的一款增强型P沟道MOSFET，其具有较低的rDS（ON），阈值电压最大值为0.85V。该产品采用P沟道DMOS工艺制造，专为高速脉冲放大器和驱动器应用而设计。
新产品 发布时间 : 2018-06-23
【产品】P沟道逻辑增强型MOSFET AM4409，适用于电池供电电路的高边开关电路
AiT推出的AM4409是P沟道逻辑增强型MOSFET，采用先进的高单元密度沟槽技术生产，可以最大限度地降低通态电阻，可以用于高频负载点同步、DC-DC电源系统、负载开关以及电池供电电路中。
新产品 发布时间 : 2019-06-23
【产品】采用PDFN5X6封装的N沟道增强型MOSFET APG048N10G，适用于高频开关和同步整流
铨力半导体推出具有优异的稳定性和一致性的N沟道增强型MOSFET APG048N10G，采用PDFN5X6封装。适用于高频开关、同步整流。具有极低的开关损耗以及优异的稳定性和一致性。
产品 发布时间 : 2023-06-27
【产品】采用先进的沟槽工艺技术的N沟道增强型MOSFET CX3090，符合无铅认证标准，具有优异的漏源导通电阻
诚芯微推出的型号为CX3090的N沟道增强型MOSFET，器件采用先进的沟槽工艺技术，具有优异的漏源导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷特性，该系列器件适用于负载开关或PWM应用等领域。
产品 发布时间 : 2023-06-30
【经验】 P沟道增强型MOSFET PJD16P06A-AU在电源开关中的设计使用
电源开关一般可分为机械式和电子，由于MOS FET可允许通过大电流，而且控制简单成本较低广泛应用于电子开关中。笔者公司开发的一款产品A在电源输入端的控制就选用了强茂PANJIT的P沟道增强型MOSFET PJD16P06A-AU。本文主要介绍一些在使用的过程中的设计使用经验。
设计经验 发布时间 : 2020-03-12
【产品】PWM应用和负载开关的N沟道增强型MOSFET CX4040，RDS(ON)＜5.5mΩ@VGS=10V
诚芯微推出的型号为CX4040的N沟道增强型MOSFET，器件采用先进的沟槽工艺技术，具有优异的漏源导通电阻RDS（ON）和低栅极电荷特性，该系列器件适用于负载开关或PWM应用等领域。
产品 发布时间 : 2023-06-29
【产品】阈值电压为0.6V~0.9V的N沟道增强型MOSFET，导通电阻为3.0Ω
CEDM7001是CENTRAL半导体公司推出的一款N沟道增强型MOSFET，功耗仅为100mW，有利于降低电路设计时的总功耗。该产品采用小型无铅化表面贴装封装，并采用N通道DMOS工艺制造，可为高速脉冲放大器和驱动器应用而设计，主要用于负载/电源开关，DC-DC转换器，电池供电的便携式设备领域。
新产品 发布时间 : 2018-07-06
正芯推出的N沟道增强型MOSFET晶体管RC3134KM3，具有出色的RDS(ON)与低栅极电荷，可用于电源开关
正芯推出的RC3134KM3是N沟道增强型MOSFET晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，提供出色的RDS(ON)与低栅极电荷。该器件适合用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。
产品 发布时间 : 2023-06-28
【产品】采用PDFN5X6-8L封装的N沟道增强型MOSFET AP90N03GD，连续漏极电流可达80A
铨力半导体推出一款采用PDFN5X6-8L封装的N沟道增强型MOSFET——AP90N03GD，采用先进的沟槽技术，具有出色的漏源导通电阻和低栅极电荷特性，无铅产品，适用于PWM应用、负载开关、电源管理等应用。
产品 发布时间 : 2023-05-01
【产品】铨力半导体推出采用先进沟槽技术的无铅N沟道增强型MOSFET AP6802，规格为4A/30V
铨力半导体推出一款N沟道增强型MOSFET——AP6802，漏源电压最大额定值为30V，连续漏极电流最大额定值为4A @Ta=25℃。采用先进的沟槽技术，无铅产品，可应用于接口开关、负载开关、电源管理等应用。
产品 发布时间 : 2023-03-01
【产品】诚芯微推出N沟道增强型MOSFET CX3075B，采用先进的沟槽工艺技术，具有高功率和高电流处理能力
诚芯微推出的型号为CX3075B的N沟道增强型MOSFET，器件采用先进的沟槽工艺技术，具有优异的漏源导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷特性，该系列器件适用于负载开关或PWM应用等领域，
产品 发布时间 : 2023-06-04
【产品】采用SC-89封装的P沟道增强型MOSFET AM1013，极限漏源电压为-20V
AiT推出的AM1013是P沟道增强型MOSFET，采用SC-89封装，在环境温度为 25℃时，AM1013可以承受的极限漏源电压为-20V，极限栅源电压为±6V，在稳定工作状态下，可以承受的极限漏极连续电流为-350mA，可用于驱动器,电池供电系统,电源转换器电路,负载/电源切换手机、寻呼机等。
新产品 发布时间 : 2019-09-12
【产品】诚芯微推出N沟道增强型MOSFET CX3426B系列，具有优异的漏源导通电阻和低栅极电荷特性
诚芯微推出N沟道增强型MOSFET CX3426B系列，器件采用先进的沟槽工艺技术制造，具有优异的漏源导通电阻RDS(ON）和低栅极电荷特性，该系列器件适用于负载开关或PWM应用等领域。
产品 发布时间 : 2023-05-11
【产品】表面贴装的N沟道增强型MOSFET 3426，采用先进的沟槽工艺技术，具有低栅极电荷特性
诚芯微推出N沟道增强型MOSFET 3426，采用先进的沟槽工艺技术制造，具有优异的漏源导通电阻RDS(ON）和低栅极电荷特性，该系列器件适用于负载开关或PWM应用等领域。
产品 发布时间 : 2023-06-03
电子商城
现货市场
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可定制位移传感器量程范围10~600mm，该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐，每毫米的变化量误差不超过3ue/mm，可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标：非线性<0.2%；供桥电压<10v；测试精度：0.01mm。
最小起订量： 1 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论