【产品】ESD保护电压高达2kV的增强型MOSFET ，漏源通态电阻仅为0.28Ω
CEDM7004（N沟道）和CEDM8004（P沟道）是Central半导体公司推出的一款增强型MOSFET，器件封装在符合行业标准的SOT-883L中，高能效和小封装外形是其关键设计元素。该器件拥有低栅极电荷、低电压和低导通电阻，专为高速脉冲放大器和驱动器应用设计，可用于负载/电源开关、电源转换器电路、能源管理等应用。其典型输出特性曲线如图一所示。
图一：CEDM7004/CEDM8004输出特性曲线
CEDM7004系列的操作和存储的温度范围为-65℃~150℃，能够适应恶劣的工业环境。漏源电压VDS最大为30V，栅源电压VGS（th）的门限电压阈值最大为1.0V，这使得作用于半导体表面的电场较强，导电沟道较厚，沟道电阻较小。它的发热损耗仅100mW，能有效提高能源利用效率。CEDM7004的漏源通态电阻rDS（ON）仅为0.28Ω（TYP，@VGS=4.5V，ID=200mA），这使得器件有着较低的导通损耗。其导通和关断时间分别为20ns和75ns，有利于实现高频开关设计。栅极电荷QgsTPY为0.15nC（N沟道）/0.35nC（P沟道），有着较好的开关性能。
CEDM7004系列具有较强的静电保护能力，ESD保护电压高达2kV，可提高设备运行时的可靠性。SOT-883L较SOT-523封装使得器件更小、更薄，提高了能源利用效率，可实现高功率密度设计。不同封装方式器件尺寸比较如图二所示。
图二：不同封装方式器件尺寸比较图
CEDM7004系列特征：
oESD保护高达2kV
o低rDS（ON）
o低电压
o低栅极电荷
CEDM7004系列应用：
o负载/电源开关
o电源转换器电路
o能源管理
图三：样品示意图
技术顾问：坚栋
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江城搬砖工 Lv7. 资深专家 2017-11-17收藏 -
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ggss Lv8. 研究员 2017-11-10好东西，学习了
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