【产品】32Mx16 bit高速CMOS动态随机访问存储器AS4C32M16D1A-5TAN ，时钟频率达200MHz

时间： 2020-07-14 来源：Alliance

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高速CMOS动态随机访问存储器,SDRAM,AS4C32M16D1A-5TAN,Alliance

ALLIANCE推出的AS4C32M16D1A-5TAN是一款高速CMOS动态随机访问存储器，采用双倍速同步DRAM（SDRAM），内存大小为512Mbits。该存储器内置四组8M×16 DRAM，带有同步接口，所有信号都记录在时钟信号（CK）上升沿上。数据输出在两个时钟信号（CK和CK#）的上升沿。该存储器对SDRAM的读写访问是面向突发的；访问从选定的位置开始，以可编程的顺序持续几个可编程数目的位置。访问从注册Bank Activate命令开始，然后是读或写命令。

AS4C32M16D1A-5TAN提供的可编程的读或写的突发长度为 2, 4 或 8。该存储器可启用自动预充电功能，以提供在突发序列结束时启动的自动定时的行预充电。刷新功能（自动刷新或自刷新）易于使用。此外，AS4C32M16D1A-5TAN具有可编程的DLL选项。通过具有可编程模式的寄存器和扩展模式的寄存器，系统可以选择最合适的模式来达到其最佳性能。该存储器非常适合需要高存储带宽的应用场景，特别是需要高性能主内存或图形应用领域。

高速CMOS动态随机访问存储器AS4C32M16D1A-5TAN特征：

· 快速时钟频率：200MHz

· 符合AEC-Q100认证

· 差分时钟CK和CK#

· 双向DQS

· DLL由EMRS启用/禁用

· 完全同步操作

· 内部流水线结构

· 四个内部存储块，每个块大小为8M X 16位

· 可编程模式和扩展模式寄存器

-CAS延迟：2、2.5、3

-突发长度：2、4、8

-突发类型：顺序和交错

· 单个字节写掩码控制

· DM写入延迟为0

· 自动刷新和自我刷新

· 8192个刷新周期/ 32ms

· 预充电和有功掉电

· 电源：V_DD＆V_DDQ = 2.5V±0.2V

· 工作温度：T_A= -40°C〜105°C

· 接口：SSTL_2 I/O接口

· 封装：66引脚TSOP II，0.65mm引脚间距（无铅无卤封装）

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AS7C164A-15JCN	存储器	FAST-Asynch	64K Fast	8K x 8	5V	Commercial (0 ~ 70°C)	28pin SOJ(300mil)	3

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