【产品】32Mx16 bit高速CMOS动态随机访问存储器AS4C32M16D1A-5TAN ，时钟频率达200MHz
ALLIANCE推出的AS4C32M16D1A-5TAN是一款高速CMOS动态随机访问存储器，采用双倍速同步DRAM（SDRAM），内存大小为512Mbits。该存储器内置四组8M×16 DRAM，带有同步接口，所有信号都记录在时钟信号（CK）上升沿上。数据输出在两个时钟信号（CK和CK#）的上升沿。该存储器对SDRAM的读写访问是面向突发的；访问从选定的位置开始，以可编程的顺序持续几个可编程数目的位置。访问从注册Bank Activate命令开始，然后是读或写命令。
AS4C32M16D1A-5TAN提供的可编程的读或写的突发长度为 2, 4 或 8。该存储器可启用自动预充电功能，以提供在突发序列结束时启动的自动定时的行预充电。刷新功能（自动刷新或自刷新）易于使用。此外，AS4C32M16D1A-5TAN具有可编程的DLL选项。通过具有可编程模式的寄存器和扩展模式的寄存器，系统可以选择最合适的模式来达到其最佳性能。该存储器非常适合需要高存储带宽的应用场景，特别是需要高性能主内存或图形应用领域。
高速CMOS动态随机访问存储器AS4C32M16D1A-5TAN特征：
· 快速时钟频率：200MHz
· 符合AEC-Q100认证
· 差分时钟CK和CK#
· 双向DQS
· DLL由EMRS启用/禁用
· 完全同步操作
· 内部流水线结构
· 四个内部存储块，每个块大小为8M X 16位
· 可编程模式和扩展模式寄存器
-CAS延迟：2、2.5、3
-突发长度：2、4、8
-突发类型：顺序和交错
· 单个字节写掩码控制
· DM写入延迟为0
· 自动刷新和自我刷新
· 8192个刷新周期/ 32ms
· 预充电和有功掉电
· 电源：VDD＆VDDQ = 2.5V±0.2V
· 工作温度：TA= -40°C〜105°C
· 接口：SSTL_2 I/O接口
· 封装：66引脚TSOP II，0.65mm引脚间距（无铅无卤封装）
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ALLIANCE 存储器选型表
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产品型号
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品类
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Product Family
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DENSITY
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ORGANISATION
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VCC(V)
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TEMPERATURE RANGE(°C)
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PACKAGE
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MSL LEVEL
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AS7C164A-15JCN
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存储器
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FAST-Asynch
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64K Fast
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8K x 8
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5V
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Commercial (0 ~ 70°C)
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28pin SOJ(300mil)
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3
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选型表 - ALLIANCE 立即选型
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型号- AS4C256M16D3C-10BCN,AS4C256M16D3C,AS4C256M16D3C-93BCN,AS4C256M16D3C-12BIN,AS4C256M16D3C-10BIN,AS4C256M16D3C-12BCN,AS4C256M16D3C-93BIN
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