【产品】采用TO-247-3封装的N沟道碳化硅功率MOSFET WM1A01K170K，连续漏极电流的最大额定值为5A
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产品特征
高阻断电压，低导通电阻
高速开关，低电容
易于并联和驱动简单
超低漏栅电容
雪崩耐量
优点
更高的系统效率
降低散热要求
提高功率密度
提高系统开关频率
应用
辅助电源
开关电源
高压电容
最大额定值（TC=25℃，除非另有说明）
电气特性（TC=25℃，除非另有说明）
反向二极管特性
热特性
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|
产品型号
|
品类
|
VDSS(V)
|
RDS(on)(mΩ)
|
GEN
|
Drain Current(A) TC=25℃
|
VGS(th)(V) (Typ.)
|
Gate Charge Total(Qg)(nc)
|
Total Power Dissipation(PTOT)(W)
|
Junction Temperature(TJ)(MAX)(℃ )
|
Package
|
质量等级
|
|
WM2V020065K
|
SiC MOSFET
|
650V
|
20mΩ
|
G2
|
92A
|
2.6V
|
187nc
|
312W
|
175℃
|
TO-247-3
|
车规级
|
选型表 - 中电国基南方 立即选型
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可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz，插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
最小起订量： 1pcs 提交需求>
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授权代理品牌：部件、组件及配件
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