【产品】100V/±10A的N沟道功率MOSFET RD3P100SN，导通电阻最大仅133mΩ

时间： 2019-11-07 来源：ROHM

技术问答

RD3P100SN是ROHM公司推出的一款N沟道功率MOSFET，其漏源电压额定值为100V，连续漏极电流最大±10A，栅源电压额定值为±20V，静态漏源导通电阻最大值仅为133mΩ，主要用于开关类应用。

图1 RD3P100SN功率MOSFET产品图及内部电路图

RD3P100SN功率MOSFET耗散功率可达20W，导通延迟时间td（on)典型值为10ns，上升时间tr典型值为17ns，关断延迟时间td（off)典型值为50ns，下降时间tf典型值为20ns。结壳热阻最大值可达6.25℃/W，能达到良好的散热性能。产品最大结温为150℃，工作结温和存储温度范围在-55℃~150℃，耐高/低温性能出色。

RD3P100SN N沟道功率MOSFET产品特性：

低导通电阻

开关速度快

驱动电路很简单

易于并联使用

无铅电镀；符合RoHS标准

RD3P100SN N沟道功率MOSFET应用领域：

开关类应用

RD3P100S N沟道功率MOSFET订购信息：

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全部评论（1）

冷若冰 Lv7. 资深专家 2019-11-08

好产品

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