【应用】XND2261下变频器助力RRU产品无线信号接收,内部高度集成,覆盖所有导航频点和北斗RDSS
随着通信行业国产化以及成本降低的要求越来越高,对于器件的国产化需求也越来越广泛。在射频器件上,单独的放大器,射频开关等射频器件的国产化已经不能满足需求,更多的客户希望全链路都有理想的国产化替代。针对于目前RRU产品,对于低成本和国产化需求越来越迫切,特别在上下变频部分还是以国外的变频器为主,迫切需要一款国产低成本的变频器产品来实现需求。
西南集成推出的XND2261是一款0.4GHz~2.5GHz频段全国产化射频信号单通道的下变频器。不同于我们通常所见的下变频器,内部集成了低噪声放大器、射频衰减器、混频器、本振移相网络、中频放大器、中频衰减器、自动增益控制电路、LDO等功能模块,除可实现下变频功能外,还可对0.4GHz~2.5GHz频段内信号接收链路进行射频放大和中频信号增益控制。可极大的简化电路,单颗芯片实现RRU产品整个中频射频接收链路信号的放大、混频、幅相控制和增益控制。降低RRU产品的开发难度、缩短开发周期和降低成本。其内部结构如下图:
XND2261采用BICMOS工艺加工,采用4mm×4mm CQFN32陶瓷封装,工作温度范围-55℃~125℃,静电释放(ESD)能力达到500V,满足军标要求。其特点如下:
• 高线性度(OIP3:35dBm)
• 低噪声系数(NF<3dB@ 40dB增益)
• 输出线性度高OCP-1≥12dBm
• 通道增益46dB可编程范围
• 覆盖所有导航频点和北斗RDSS
• 可通过SPI独立控制增益、移相
• 支持多芯片并联扩展
• 宽工作频率范围
其典型应用电路如下:
XND2261采用四总线串行结构,接收通道可以通过SPI实现射频增益可调,增益可变范围约为15dB,增益步进小于1dB。通过SPI调节移相网络,可以实现通道相位-180°~180°范围内的调节,移相步进小于1°。混频器单元可根据系统对线性和噪声的要求,通过SPI控制混频器高低功耗模式切换。同时,整个通道也可以通过外部管脚AGCEN或者内部寄存器实现电路AGC与VGA模式的切换。
综上所述:XND2261集成度高、全国产化;功能全面,满足军标要求;产品稳定可靠;可满足低成本RRU产品国产化和小型化的需求,因此特别适合高质量国产化设计。
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产品型号
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品类
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封装/外壳/尺寸
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工作电压(V)
|
噪声系数(dB)
|
通道增益(dB)
|
AGC动态范围(dB)
|
中频-3dB带宽(MHz)
|
XN112
|
卫星导航射频收发器
|
QFN48
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3.3
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4
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95
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45
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7~23
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选型表 - 西南集成 立即选型
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产品型号
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品类
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封装/外壳/尺寸
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工作电压(V)
|
负载电流(A)
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峰值效率
|
输出电压(V)
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XNM4620
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电源管理模块
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15mm×15mm×4.4mm
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4.5V 〜16V
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13
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95%
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0.6V ~ 5.3V
|
选型表 - 西南集成 立即选型
西南集成低噪声放大器选型表
西南集成低噪声放大器选型:工作电压 (V):1.5~5.5,工作电流 (mA):3-65,最低工作频率 (GHz):0.02-2.48,最高工作频率 (GHz):1.62-5.6,增益 (dB):15-28.
产品型号
|
品类
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主要功能
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工作电压 (V)
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工作电流 (mA)
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最低工作频率 (GHz)
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最高工作频率 (GHz)
|
增益 (dB)
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OP1 (dBm)
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OIP3 (dBm)
|
噪声系数 (dB)
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封装形式
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XND1100
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低噪声放大器
|
低噪声放大
|
3~5
|
65
|
0.6
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4.2
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20
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18
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31
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0.85
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DFN8
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选型表 - 西南集成 立即选型
西南集成(SWID)射频基带一体化SoC选型表
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产品型号
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品类
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工作电压(V)
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捕获灵敏度(dBm)
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跟踪灵敏度(dBm)
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冷启动时间(s)
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单点定位精度(m)
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数据刷新率(Hz)
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封装
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XND2280-1S
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射频基带一体化SoC
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2.7-36
|
-148
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-165
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29
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2.5
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20
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QFN40
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选型表 - 西南集成 立即选型
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电子商城
现货市场
服务
提供稳态、瞬态、热传导、对流散热、热辐射、热接触、和液冷等热仿真分析,通过FloTHERM软件帮助工程师在产品设计初期创建虚拟模型,对多种系统设计方案进行评估,识别潜在散热风险。
实验室地址: 深圳 提交需求>
使用FloTHERM和Smart CFD软件,提供前期热仿真模拟、结构设计调整建议、中期样品测试和后期生产供应的一站式服务,热仿真技术团队专业指导。
实验室地址: 深圳 提交需求>
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