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威兆半导体MOSFET选型表
提供威兆半导体MOSFET选型：电压范围为-100V-1500V，沟槽工艺，雪崩能力强，中低频应用，屏蔽栅工艺，平面工艺，雪崩能力强，大电流应用，多层外延，极低RDSON,更优的动态参数，高频应用
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产品型号
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品类
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Type
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BVDSS[V]
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VGS[V]
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VTH[V]
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ID[A]
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PD[W]
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RDON Typ * [mohm] @VGS=4.5V
|
RDON Typ * [mohm] @VGS=2.5V
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Ciss[pF]
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Coss[pF]
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Crss[pF]
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Qg(10V)[nC]
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Package
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VSA007N02KD
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MOSFET
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Dual-N
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20
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±10
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0.4~1.0
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13
|
2
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7.4
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9.4
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1225
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200
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170
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15
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TDFN2x3-6L
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选型表 - 威兆半导体 立即选型
VS3614GE 30V/31A N沟道高级功率MOSFET
描述- 该资料详细介绍了VS3614GE这款30V/31A N-Channel Advanced Power MOSFET的特性，包括其增强模式、低RDS(on)以减少导通损耗、VitoMOS®Ⅱ技术等。资料还提供了该产品的电气特性、热特性、典型特性和封装信息。
型号- VS3614GE
HCCW120R080H1 1200V/80mΩN沟道SiC功率MOSFET
描述- 本资料详细介绍了Vergiga Semiconductor Co., Ltd生产的HCCW120R080H1型1200V/80mΩ N-Channel SIC Power MOSFET。该器件具有高速开关、低导通电阻、极低开关损耗、可控dv/dt、雪崩 ruggedness和100%雪崩测试等特性，适用于高电压、高电流应用。
型号- HCCW120R080H1
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现货市场
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可定制DC风扇的尺寸范围：15mm~225mm；转速：≤16500 RPM；噪音：≥10.4dB，还可定制厚度、电压、风量、风压等参数，符合 RoHS 标准。
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