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2N7002 N沟道增强型场效应晶体管
描述- 本资料介绍了2N7002 N沟道增强型场效应晶体管(MOSFET)的产品概要、特性参数和应用领域。该器件采用 trench power MV MOSFET技术,具有低输入电容、快速开关速度和低漏电流等特点,适用于电池供电系统、固态继电器和直接逻辑电平接口等领域。
型号- 2N7002
2N7002KCQ N沟道增强型场效应晶体管
描述- 本资料介绍了2N7002KCQ N沟道增强型场效应晶体管(MOSFET)的产品概要、特性参数和应用领域。该器件采用 trench power MV MOSFET技术,具有低输入电容、快速开关速度和低漏电流等特点,适用于电池供电系统和固态继电器等应用。
型号- 2N7002KCQ
YJW018C60CF N沟道增强型场效应晶体管
描述- 本资料介绍了YJW018C60CF型N沟道增强型场效应晶体管(MOSFET)的产品概要、特性参数和应用领域。该器件具有600V的漏源电压、102A的连续漏极电流和小于18.5毫欧姆的导通电阻,适用于电动汽车充电器和AC-DC电源管理等领域。
型号- YJW018C60CF
2N7002BW N沟道增强型场效应晶体管
描述- 本资料介绍了2N7002BW N沟道增强型场效应晶体管(MOSFET)的产品概要、特性参数和应用领域。该器件采用 trench power MV MOSFET技术,具有低输入电容、快速开关速度、低漏电流等特点,适用于电池供电系统和固态继电器等。
型号- 2N7002BW
2N7002KCT N沟道增强型场效应晶体管
描述- 本资料介绍了2N7002KCT N沟道增强型场效应晶体管(MOSFET)的产品概要、特性参数和应用领域。该器件采用 trench power MV MOSFET技术,具有低输入电容、快速开关速度和低漏电流等特点,适用于电池供电系统和固态继电器等应用。
型号- 2N7002KCT
YJT33C60HJ N沟道增强型场效应晶体管
描述- 本资料详细介绍了YJT33C60HJ型N沟道增强型场效应晶体管(MOSFET)的产品特性、电气参数、应用领域和封装信息。该产品具有600V的漏源电压、33A的连续漏极电流和小于72mΩ的导通电阻,适用于电动汽车充电器、AC-DC电源管理和服务器、电信/PC电源等领域。
型号- YJT33C60HJ
2N7002KDHQ N沟道增强型场效应晶体管
描述- 该资料详细介绍了2N7002KDHQ型场效应晶体管(MOSFET)的技术规格和应用。产品采用沟槽功率MOSFET技术,具有低输入电容、快速开关速度和低漏电流等特点,适用于电池供电系统、固态继电器和直接逻辑电平接口等领域。
型号- 2N7002KDHQ
YJG200G04AR N沟道增强型场效应晶体管
描述- 本资料介绍了YJG200G04AR型N沟道增强型场效应晶体管(MOSFET)的产品概要、特性参数和应用领域。该器件采用分割栅槽式MOSFET技术,具有低导通电阻和高热散耗能力,适用于消费电子电源、电机控制、同步整流和逆变器等领域。
型号- YJG200G04AR
K3J193060F-A N沟道超级结功率场效应晶体管(K3J193060F-A N-Channel Super Junction Power MOSFET)
描述- K3J193060F-A是一款N沟道超级结功率场效应晶体管,具有低导通电阻、低开关和导通损耗、低开关噪音等特点。该产品适用于软交换拓扑、电信和服务器电源、工业电源以及电动汽车充电器等领域。
型号- K3J193060F-A
YJP200G06B N沟道增强型场效应晶体管
描述- 本资料介绍了YJP200G06B型N沟道增强型场效应晶体管(MOSFET)的产品概要、技术规格、电气特性及应用领域。该器件采用分割栅槽式MOSFET技术,具有低导通电阻和高热散耗能力,适用于消费电子电源、隔离直流直流转换器、电机控制和逆变器等领域。
型号- YJP200G06B
2N7002BE N沟道增强型场效应晶体管
描述- 本资料介绍了2N7002BE型N沟道增强型场效应晶体管(MOSFET)的产品概要、特性参数和应用领域。该器件采用 trench power MV MOSFET技术,具有低输入电容、快速开关速度、低漏电流等特点,适用于电池供电系统、固态继电器和直接逻辑电平接口等领域。
型号- 2N7002BE
YJN48C60HJ N沟道增强型场效应晶体管
描述- 本资料详细介绍了YJN48C60HJ型号的N沟道增强型场效应晶体管(MOSFET)。该产品具有600V的漏源电压、33A的连续漏极电流和小于72mΩ的导通电阻,适用于电动汽车充电器、AC-DC电源管理和服务器/电信/PC电源等应用。
型号- YJN48C60HJ
2N7002KCW N沟道增强型场效应晶体管
描述- 本资料介绍了2N7002KCW N沟道增强型场效应晶体管(MOSFET)的产品概要、特性参数和应用领域。该器件采用 trench power MV MOSFET技术,具有低输入电容、快速开关速度和低漏电流等特点,适用于电池供电系统和固态继电器等应用。
型号- 2N7002KCW
BSS138KWJ N沟道增强型场效应晶体管
描述- 本资料介绍了BSS138KWJ型号的N沟道增强型场效应晶体管(MOSFET)。该器件采用 trench power MV MOSFET技术,具有低输入电容、快速开关速度等特点。适用于电池供电系统、固态继电器等应用。
型号- BSS138KWJ
YJD65G10A N沟道增强型场效应晶体管
描述- 本资料介绍了YJD65G10A N沟道增强型场效应晶体管(Mosfet)的产品概要。该产品具有低RDS(on)、高电流承载能力、快速开关和软恢复等特点,适用于消费电子电源、电机控制、同步整流、隔离式DC/DC转换器和逆变器等领域。
型号- YJD65G10A
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