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全面解析MOSFET产业链
MOSFET是一种广泛应用于模拟电路与数字电路的场效晶体管,用于将输入电压的变化转化为输出电流的变化,可实现开关和信号放大等功能,具有开关速度快、输入阻抗高、热稳定性好等特性,应用于包括通信、消费电子、汽车电子、工业控制在内的众多领域,本文将解析MOSFET产业链。
设计经验 发布时间 : 2024-07-05
【产品】表贴封装的双增强型金属氧化物半导体场效应晶体管
HCT802系列是TT Electronics(TT)推出的双增强型金氧半场效应晶体管,具备N沟道以及P沟道两种类型可选,表面封装6个镀金增耗垫,漏源电压高达90V,漏源通态电阻小于5Ω。
新产品 发布时间 : 2018-03-20
【产品】采用SOT-23封装的N沟道场效应晶体管BSS138,内置了ESD保护二极管
辰达行推出一款采用SOT-23封装的N沟道增强型MOSFET BSS138,内置了ESD保护二极管,采用高密度单元设计实现超低导通电阻。可应用于电池供电系统,固态继电器,驱动器。
新产品 发布时间 : 2021-12-07
【产品】逻辑电平兼容性强的8V低门阀电压P沟道增强型场效应管
Central 推出的SOT-23封装表贴P沟道增强型场效应管CMPDM8120(改变栅压可以改变沟道中的电子密度,从而改变沟道的电阻。这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管),是面向高速脉冲放大器和驱动器而设计的,它最大的优势是提供低导通电阻和低门阀电压,它的门阀电压只有8V,在P沟道MOS晶体管中属于阈值较低的,能兼容多数的逻辑电平,非常适合工业电子、通信设备和消费电子使用。
新产品 发布时间 : 2018-06-15
【产品】漏源电压高达60V的N沟道增强型功率场效应管RC6525Q,导通电阻低至12mΩ,适合高效率的开关应用
正芯推出的RC6525Q,N沟道增强型功率场效应晶体管均采用沟槽DMOS工艺。这种经过特别定制先进的技术,可以最大限度地减少导通电阻,提供卓越的开关性能,并在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。在Tc=25℃时,绝对最大额定值方面,该器件的VDS=60V,连续漏极电流ID高达42A,该器件非常适合高效率的快速开关应用。
产品 发布时间 : 2023-06-20
【产品】100V/40A的N沟道增强型场效应晶体管YJD40G10A,封装为TO-252
扬杰科技推出的N沟道增强型场效应晶体管YJD40G10A,采用TO-252的封装设计,漏源电压为100V,漏极电流为40A(Tc=25℃),具有低RDS(on)和FOM、极低的开关损耗和优异的稳定性、均匀性,适用于消费电子电源、电机控制、同步整流、隔离式DC / DC转换器、逆变器等。
新产品 发布时间 : 2020-04-14
【产品】采用SOT-23表贴封装的N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管RC2310A,漏-源电压60V
正芯推出的RC2310A是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管,采用高单元密度、DMOS沟槽技术。这种高密度工艺专为最小化通态电阻而特别定制。这些器件特别适合低电压应用,如移动电话和笔记本电脑的电源管理以及其他电池供电电路。
产品 发布时间 : 2023-05-27
功率分立器件供应商正芯半导体与世强先进签署合作代理协议,提供场效晶体管、N沟道场效应晶体管等
2022年5月10日,正芯半导体与世强先进签署合作代理协议,授权世强先进代理旗下全线产品,如场效晶体管、N沟道场效应晶体管、P沟道场效应晶体、N+P沟道场效应晶体管等。
公司动态 发布时间 : 2022-10-11
【产品】漏源电压30V的N沟道增强型功率场效应晶体管RCQ3632,最大导通电阻仅9.0mΩ@10V
正芯推出的RCQ3632 N沟道增强型功率场效应晶体管均采用沟槽DMOS工艺。这种先进的技术经过特别定制,可以最大限度地减少导通电阻,提供卓越的开关性能,并在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。这些器件非常适合高效率的快速开关应用。
产品 发布时间 : 2023-05-26
【产品】100V N沟道增强型场效应晶体管YJQ40G10A,可用于消费电子电源和逆变器等领域
扬杰科技推出的YJQ40G10A型N沟道增强型场效应晶体管,漏源电压最大额定值为100V,栅源电压最大额定值为±20V。Tc= 25℃条件下,器件的漏极电流可达40A;器件的脉冲漏极电流最大额定值为160A。器件采用DFN3.3X3.3封装,散热性能好,利用先进的分离栅沟槽MOSFET技术 ,符合RoHS标准。产品可用于消费电子电源,电机控制,同步整流,隔离的DC / DC转换器,逆变器等领域。
新产品 发布时间 : 2020-11-08
【产品】漏源电压高达90V!两种类型可选的双增强型金氧半场效应晶体管
TT Electronics(TT)推出的HCT802系列具备N沟道以及P沟道两种类型可选,表面封装6个镀金增耗垫,漏源通态电阻小于5Ω,这两种增强类型的金属氧化物半导体场效应管MOSFETS尤其能良好地匹配VDS,IDS(on),RDS(on) and Gfs。
新产品 发布时间 : 2018-02-03
【产品】漏-源电压60V的P沟道增强型场效应晶体管RC407,符合RoHS标准并无卤素
正芯推出型号为RC407的P沟道增强型场效应晶体管,其采用先进的沟槽技术, 具有出色的RDS(ON),低栅极电荷和低栅极电阻,且符合RoHS标准并无卤素,其采用的DPAK封装具有优秀的热阻,该器件非常适用于大电流负载应用。
产品 发布时间 : 2023-03-11
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提供全面表征产品器件耗电特征及功耗波形、快速瞬态效应、电源优化、表征和仿真测试服务,使用直流电源分析仪测量精度达50µV,8nA,波形发生器带宽100kHz,输出功率300W,示波器200kHz,512 kpts
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