【产品】存储容量范围为4Mb的低功耗SRAM，待机功耗可低至0.4uA

时间： 2018-12-24 来源：Renesas

瑞萨电子（RENESAS）是全球十大半导体芯片供应商之一，也是高级半导体解决方案的首选供应商，其可提供完整产线的低功耗SRAM，可稳定供货，长期提供技术支持。瑞萨通过采用自己积累的技术，RAM产品具有高密度、高性能、高可靠性等特性，可用于工业、办公自动化、汽车、消费、通信等领域。

RMLV0416E系列存储器即是由Renesas公司出的高级低功耗静态随机存取存储器（Advanced LPSRAM）。RMLV0416E series SRAM的存储容量为4Mbit（256K word x 16bit），其具备有更高的存储密度和更高的性能和低功耗的优势。同时，该系列存储器支持低功耗待机，因此可以适用于备用电池系统。封装形式可以采用40~44引脚TSOP（II）或48球BGA。

RMLV0416E series SRAM的工作电源范围为2.7V-3.6V，采用的是3V单电源供电，可以适用于较低工作电压环境中。当此系列存储器正常工作时，其平均工作电流不超过20mA（Cycle = 55ns, duty =100%, I_I/O = 0mA），输入漏电流不超过1uA，待机电流可以低至0.4uA，功率损耗为0.7W。输入电容典型值为8pF（V_in=0V），输入/输出电容最大为10pF（V_I/O=0V），可以保证较高的操作速度。如此优秀的电参数，使得该系列存储器具备较好的低功耗特性，可以适用于低功耗设计以及备用电池等领域。

RMLV0416E series SRAM可以实现快速访问功能，访问时间最大仅为45ns。该系列存储器支持三态的输入输出，且直接兼容TTL电平，极大的增强了该系列存储器的适用性。

RMLV0416E series SRAM的工作温度范围为-40℃至+85℃，无偏压下存储温度范围为-65℃至+150℃，有偏压下存储温度范围为-40℃至+85℃，可以满足工业级的温度要求。

图1 RMLV0416E series SRAM的引脚示意图

图2 RMLV0416E series SRAM的逻辑操作表

RMLV0416E series SRAM的特性及优势：

·单3电源供电：2.7V~3.6V

·访问时间最大为45ns

·待机电流典型值0.4μA

·三态输出

·TTL电平兼容

RMLV0416E series SRAM的应用领域：

·备用电池系统

·低功耗系统

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型号- S6R1616V1M-XC10,S6R1616W1M-XI10,S6R1616C1M,S6R1616W1M-YC08,S6R1616W1M-YI08,S6R1608W1M-UI08,S6R1608V1M-UI08,S6R1608V1M-UC08,S6R1608W1M-UC08,S6R1616V1M-XI08,S6R1608C1M-XI10,S6R1616W1M,S6R1616V1M-XC08,S6R1616C1M-YC10,S6R1608V1M-XI10,S6R1608W1M-XI10,S6R1616V1M,S6R1616W1M-YC10,S6R1608C1M-XC10,S6R1616V1M-YI10,S6R1608V1M-XC10,S6R1608W1M-XC10,S6R1616C1M-YI10,S6R1608W1M,S6R1616V1M-YC10,S6R1616W1M-YI10,S6R1608V1M,S6R1616W1M-XC08,S6R1616W1M-XI08,S6R1608V1M-XI08,S6R1608W1M-XI08,S6R1608C1M-UC10,S6R1616V1M-YI08,S6R1608V1M-XC08,S6R1608C1M,S6R1608W1M-XC08,S6R1608V1M-UI10,S6R1608W1M-UI10,S6R1616V1M-YC08,S6R1616C1M-XC10,S6R1608V1M-UC10,S6R1608C1M-UI10,S6R1616V1M-XI10,S6R1616W1M-XC10,S6R1608W1M-UC10,S6R1616C1M-XI10

Sep. 2014 - NETSOL - 数据手册 - Rev. 1.5 代理服务技术支持批量订货

S6R4016V1A，S6R4016C1A，S6R4OO8V1A，s6R4008C1A，s6R4008W1A 4M异步快速SRAM A-Die规格

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型号- S6R4016W1A-UC(I)10,S6R4016V1A-UC(I)08,S6R4016V1A-UI08,S6R4016W1A-UI08,S6R4016V1A-UC08,S6R4016W1A-UC08,S6R4016W1A-XC(I)08,S6R4008W1A-XC(I)10,S6R4008V1A-XC(I)08,S6R4016V1A-UC(I)10,S6R4016WKA-XI10,S6R40XXW1A,S6R4008C1A-UI10,S6R4008C1A,S6R4008V1A-UC(I)08,S6R4016W1A-UC(I)08,S6R4008V1A-UC08,S6R4016V1A-XI08,S6R4008V1A-UI08,S6R4016V1A,S6R4008W1A-XC(I)08,S6R40XXC1A,S6R4016V1A-UI10,S6R4016V1A-XC08,S6R4008V1A-XC(I)10,S6R4008W1A-XI10,S6R4016V1A-UC10,S6R4016WKA-XC(I)08,S6R4008V1A-UC(I)10,S6R4008W1A-XC10,S6R4008W1A,S6R4016W1A-XC(I)10,S6R4016WKA-XC(I)10,S6R4016WKA-XC08,S6R4016C1A-UC(I)10,S6R4016WKA-XI08,S6R4008W1A-XI08,S6R4008W1A-UC(I)08,S6R4016V1A-XC(I)10,S6R4008V1A-XC08,S6R4008W1A-XC08,S6R4016V1A-XI10,S6R4016WKA-XC10,S6R4016V1A-XC10,S6R4008C1A-UC10,S6R4008C1A-UC(I)10,S6R40XXV1A,S6R4008V1A-XCI08,S6R4008W1A-UC(I)10,S6R4016W1A,S6R4016W1A-XI08,S6R4016C1A-UC10,S6R4016W1A-UI10,S6R4016W1A-XC08,S6R4008V1A-XI10,S6R4008V1A,S6R4008V1A-XC10,S6R4016C1A,S6R4016V1A-XC(I)08,S6R4016C1A-UI10,S6R4016W1A-UC10

Dec. 2019 - NETSOL - 数据手册 - Rev. 1.4 代理服务技术支持批量订货

LY62L2568B 256K X 8位低功耗CMOS SRAM

描述- 该资料介绍了LY62L2568B型256K X 8位低功耗CMOS静态随机存取存储器（SRAM）的技术规格和应用。它采用高性能、高可靠性的CMOS技术制造，适用于低功耗系统应用，特别是电池备份非易失性内存应用。

型号- LY62L2568BGL-55SLIT,LY62L2568B,LY62L2568B(I),LY62L2568BLL-55SL,LY62L2568BRL-45SL,LY62L2568BSL-55SL,LY62L2568BLL-45SLIT,LY62L2568BGL-45SLI,LY62L2568BSL-45SLI,LY62L2568BPL-55SLI,LY62L2568BRL-45SLI,LY62L2568BGL-55SL,LY62L2568B-45,LY62L2568BSL-55SLI,LY62L2568BSL-55SLIT,LY62L2568BPL-45SL,LY62L2568BRL-55SLI,LY62L2568BLL-55SLI,LY62L2568BLL-45SLT,LY62L2568BRL-55SLIT,LY62L2568BGL-45SLT,LY62L2568BSL-45SLT,LY62L2568BRL-45SLT,LY62L2568BLL-45SL,LY62L2568BGL-55SLI,LY62L2568BLL-45SLI,LY62L2568BPL-45SLI,LY62L2568BRL-55SL,LY62L2568BRL-55SLT,LY62L2568BGL-55SLT,LY62L2568BSL-45SLIT,LY62L2568BSL-45SL,LY62L2568BSL-55SLT,LY62L2568BGL-45SLIT,LY62L2568BLL-55SLT,LY62L2568BRL-45SLIT,LY62L2568BPL-55SL,LY62L2568BGL-45SL,LY62L2568B-55,LY62L2568BLL-55SLIT

Aug.24.2023 - LYONTEK - 数据手册 - Rev. 1.2 代理服务技术支持批量订货

UM2080F32超低功耗 32 位 IoTP：ARM®Cortex®-M0+，64KB eFlash，16KB SRAM， Sub-1GHz 射频收发器

描述- UM2080F32是一款基于ARM Cortex-M0+内核的超低功耗32位IoTP SoC芯片，集成了Sub-1GHz射频收发器、存储器、通信接口、模拟外设和超低功耗电源管理系统。该芯片适用于工业传感、安防系统、自动抄表、无线标签、遥控装置、智能交通、智能家居等领域。

型号- UM2080F32

2022.07.22 - 广芯微电子 - 数据手册 - V1.1 代理服务技术支持批量订货

UM2082F08超低功耗 8-bit MCU：1T8051，32KB eFlash，2KB+256B SRAM，12-bit ADC，三通道低频无线唤醒 ASK 接收芯片

描述- UM2082F08是一款超低功耗8位MCU，采用1T8051内核，具备32KB eFlash和2KB+256B SRAM，内置12位ADC和三通道低频无线唤醒ASK接收芯片。芯片具有低功耗、高集成度、高抗干扰性能等特点，适用于PKE无钥匙门禁系统、智能交通、智能家居、智能门锁、资产追踪、无线监控等场景。

型号- UM2082F08

2022.11.30 - 广芯微电子 - 数据手册 - V1.1 代理服务技术支持批量订货

UM3213F超低功耗 32 位 IoTP：ARM®Cortex®-M0+，64KB Flash，16KB SRAM，防抄板

描述- 该资料介绍了UM3213F超低功耗32位IoTP处理器，基于ARM Cortex-M0+内核，具备64KB Flash和16KB SRAM。产品特性包括超低功耗电源管理系统、丰富的模拟外设、多种通信接口和防抄板设计。主要面向工业物联网、智能交通、智能家居等领域。

型号- UM321XF 系列,UM3213F-CMQH,UM3213F-CCLM,UM3213F-CCLL,UM3213F-CMQJ,UM3213F-CAQL,UM3213F-CCQJ,UM3213F,UM3213F-CCQL,UM3213F-CCLH,UM321XF,UM3213F-CCTG,UM3213F-CCQH

2023.10.16 - 广芯微电子 - 数据手册 - V1.2.1 代理服务技术支持批量订货

UM8005超低功耗 8-bit MCU：1T8051，32KB eFlash，2KB+256B SRAM，12-bit ADC，免晶振/LDO/RC 电路，丰富接口，防死机，防抄板设计

描述- UM8005是一款超低功耗的8位MCU，采用1T 8051内核，具有32KB eFlash、2KB+256B SRAM和12位ADC。芯片内置ROSC/LDO/POR模块，支持免晶振/LDO/复位电路。产品特性包括超低功耗电源管理系统、丰富的接口、防死机、防抄板设计等。应用领域涵盖工业物联网、智慧城市、智能家居、智能传感器等。

型号- UM8005-ACTE,UM8005-ACSA,UM8005-ACQE,UM8005

2021.06.28 - 广芯微电子 - 数据手册 - V1.9 代理服务技术支持批量订货查看更多版本

快速异步SRAM

描述- 本资料为Alliance Memory 2017年产品目录，主要展示该公司在DRAM和SRAM领域的最新产品。内容包括不同类型和容量的SRAM，如异步SRAM、低功耗SRAM和同步SRAM，以及相关产品的详细规格参数，如密度、组织、电压、封装、速度等。此外，还提供了产品编号系统、封装数量和温度范围等信息。

2017/08/29 - ALLIANCE - 快速参考指南代理服务技术支持批量订货

UM8007 超低功耗 8-bit MCU：1T8051，64KB eFlash，2KB+256B SRAM，12-bit ADC，CAN免晶振/LDO/RC 电路，丰富接口，防死机，防抄板

描述- UM8007是一款超低功耗的8位MCU，采用1T8051内核，具备64KB eFlash和2KB+256B SRAM，支持12位ADC和CAN通信。产品具有超低功耗电源管理系统，内置ROSC/LDO/POR模块，支持多种通信接口，具有防死机、防抄板设计。

型号- UM8007,UM8007-ACQE,UM8007-ACTE

2024.04.24 - 广芯微电子 - 数据手册 - V1.6 代理服务技术支持批量订货

【产品】存储空间为2048K×8位的AS6C1608低功耗CMOS静态随机存取存储器，工作电流仅为4μA

Alliance公司旗下有一款低功耗CMOS静态随机存取存储器——AS6C1608，存储空间为2048K×8位（16,777,216位），包括AS6C1608-55和AS6C1608-70两个型号，均具有快速访问能力，访问时间分别为55ns和70ns，其输入上升/下降时间都只有3ns，有利于数据的快速存取，专为极低功耗系统应用而设计的器件，特别适用于电池备份的非易失性存储器应用。

2018-10-09 - 新产品代理服务技术支持批量订货

LY62W5128 512K X 8位低功耗CMOS SRAM

描述- 本资料介绍了LY62W5128型512K X 8位低功耗CMOS静态随机存取存储器（SRAM）的技术规格和应用。该产品采用高性能、高可靠性的CMOS技术制造，适用于极低功耗系统应用，特别适合电池备份非易失性内存应用。

型号- LY62W5128SL-55SLI,LY62W5128SL-55LL,LY62W5128WL-55SLT,LY62W5128RL-55SL,LY62W5128LL-55LL,LY62W5128WL-70SLI,LY62W5128RL-55SLI,LY62W5128PL-55SLI,LY62W5128RL-70SL,LY62W5128,LY62W5128LL-70LL,LY62W5128PL-55LL,LY62W5128WL-70SLT,LY62W5128RL-70SLI,LY62W5128RL-55SLT,LY62W5128PL-70SLI,LY62W5128SL-70SLI,LY62W5128WL-55LL,LY62W5128LL-55SLI,LY62W5128SL-70SLT,LY62W5128WL-55SLI,LY62W5128LL-55SLT,LY62W5128RL-70SLT,LY62W5128(I),LY62W5128SL-55SLT,LY62W5128RL-55LLIT,LY62W5128GL-70LLT,LY62W5128GL-70SLIT,LY62W5128WL-70LL,LY62W5128SL-70SLIT,LY62W5128GL-55LLT,LY62W5128LL-70LLT,LY62W5128RL-70LL,LY62W5128GL-70SLI,LY62W5128LL-55SL,LY62W5128LL-70LLI,LY62W5128GL-55LLI,LY62W5128LL-55LLIT,LY62W5128GL-70LLIT,LY62W5128SL-55SLIT,LY62W5128-70,LY62W5128LL-70SL,LY62W5128WL-70SLIT,LY62W5128WL-55LLIT,LY62W5128LL-70SLIT,LY62W5128RL-70LLIT,LY62W5128PL-55LLI,LY62W5128PL-70SL,LY62W5128GL-55LL,LY62W5128WL-70LLI,LY62W5128WL-55SLIT,LY62W5128WL-70LLIT,LY62W5128WL-70SL,LY62W5128SL-55LLI,LY62W5128RL-70LLI,LY62W5128SL-70LLI,LY62W5128PL-55SL,LY62W5128GL-70LL,LY62W5128PL-70LLI,LY62W5128RL-55LLI,LY62W5128LL-55LLI,LY62W5128SL-70LLT,LY62W5128WL-55LLI,LY62W5128GL-70SLT,LY62W5128SL-70SL,LY62W5128LL-55LLT,LY62W5128SL-55LLIT,LY62W5128LL-70SLT,LY62W5128SL-55SL,LY62W5128WL-70LLT,LY62W5128RL-55LLT,LY62W5128SL-55LLT,LY62W5128WL-55LLT,LY62W5128RL-70SLIT,LY62W5128RL-70LLT,LY62W5128RL-55LL,LY62W5128GL-55SLT,LY62W5128LL-55SLIT,LY62W5128LL-70LLIT,LY62W5128GL-70LLI,LY62W5128GL-55SLI,LY62W5128LL-70SLI,LY62W5128GL-55LLIT,LY62W5128PL-70LL,LY62W5128GL-55SL,LY62W5128GL-70SL,LY62W5128GL-55SLIT,LY62W5128SL-70LLIT,LY62W5128SL-70LL,LY62W5128WL-55SL,LY62W5128-55,LY62W5128RL-55SLIT

Apr.24.2017 - LYONTEK - 数据手册 - Rev. 1.14 代理服务技术支持批量订货