【产品】采用TO-251-SL封装的-60V P沟道沟槽式MOSFET-TTE03P06AT，耗散功率最大额定值为10W
TTE03P06AT是无锡紫光微电子推出的漏源电压为-60V的P沟道Trench MOSFET。TTE03P06AT采用了沟槽功率MOSFET技术，具有低漏源导通电阻和低栅极电荷的特点，针对快速切换应用进行了优化。该产品符合RoHS标准，是环保产品，适用于负载开关和电池开关。
图1 TTE03P06AT的产品图及电路图
TTE03P06AT采用TO-251-SL封装，小体积可以减少器件占用的空间成本。丝印代码即订购信息为03P06AT。
最大额定值方面，TTE03P06AT的连续漏极电流为-3A，脉冲漏极电流为-12A。栅源电压为±20V，对栅极的保护性较好。单脉冲雪崩能量为3mJ，雪崩电流为-4.5A，抗浪涌性较好。耗散功率为10W。工作结温和存储温度为-55~175℃，符合工业级温度要求。
TTE03P06AT的漏源导通电阻最大仅400mΩ（VGS=-10V）或540mΩ（VGS=-4.5V）。漏源体二极管反向恢复时间的典型值为25ns。
TTE03P06AT的特点：
沟槽功率MOSFET技术
低导通电阻
低栅极电荷
针对快速切换应用进行了优化
TTE03P06AT的应用：
负载开关
电池开关
TTE03P06AT的订购信息：
03P06AT
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