【产品】40V/150A N沟道功率MOSFET RM150N40DF，采用Super Trench技术

时间： 2019-10-26 来源：丽正国际

技术问答

丽正国际推出的N沟道功率MOSFET RM150N40DF，采用Super Trench技术，独特的工艺，提高开关特性，由于其具有低导通电阻RDS（ON）和低总栅极电荷Qg，使其具有最小的传导和开关功耗，非常适合高频开关和同步整流应用。

主要特征：

漏极-源极电压V_DS=40V，漏极连续电流I_D=150A，

R_DS(ON)=1.6mΩ（典型值）@V_GS=10V；

R_DS(ON)=1.9mΩ（典型值）@V_GS=4.5V；

极低栅极电荷和R_DS(ON)的乘积；

非常低的导通电阻R_DS(ON)；

高达150℃工作温度；

引脚无铅电镀；

100% UIS全测试；

100%ΔVds全测试

应用领域：

DC/DC转换器；

理想的高频率开关和同步整流器元件

极限参数：漏极-源极电压40V，栅极-源极电压±20V，漏极连续电流150A，最大功率耗散及工作和存储温度等其他详细参数见下表。

其它电气参数如下：

MOSFET RM150N40DF的输入电容典型值6000pF，输出电容典型值为1450pF，反向传输电容典型值100pF；

导通延时典型值为12.5ns，上升时间典型值为7.0ns，关断延时典型值为50ns，下降时间典型值为8.5ns；

总栅极电荷为95nC，栅-源电荷为15nC，栅-漏电荷为11nC。

下图1为产品元件符号与和外形图。

图1 产品外形和电路符号

封装尺寸见下图2所示，建议设计时根据生产工艺适当调整尺寸，有助于提高生产效率和保证焊接质量。

图2 封装尺寸

包装信息如下：

新品型号：RM150N40DF；

封装名称：DFN5X6-8L；

丝印编码：FN40

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