【产品】200V/18A N沟道MOSFET TMA18N20H/TMP18N20H/TMD18N20H

2019-11-30 无锡紫光微电子
N沟道MOSFET,TMA18N20H,TMD18N20H,TMP18N20H N沟道MOSFET,TMA18N20H,TMD18N20H,TMP18N20H N沟道MOSFET,TMA18N20H,TMD18N20H,TMP18N20H N沟道MOSFET,TMA18N20H,TMD18N20H,TMP18N20H

无锡紫光微电子推出型号为TMA18N20HTMP18N20H, TMD18N20H的200V N沟道MOSFET,该产品具有快速切换和100%雪崩测试的特点,可以应用于开关电源和不间断电源等


特点:
快速切换
100%雪崩测试
改进的dv / dt功能

应用:
  开关电源(SMPS)

  不间断电源(UPS)
  功率因数校正(PFC)


绝对最大额定值(除非另有说明,否则为TC =25ºC时数值)

热阻:



电学特性(除非另有说明,否则为TC =25ºC时数值):


订购信息



图1 型号为TO-220和TO-220F产品包装图以及包装尺寸

图3 型号为TO-252产品包装图以及包装尺寸


授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道:世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
概念,方案,设计,选型,BOM优化,FAE技术支持,样品,加工定制,测试,量产供应服务提供:世强硬创平台www.sekorm.com
集成电路,电子元件,电子材料,电气自动化,电机,仪器全品类供应:世强硬创平台www.sekorm.com
  • +1 赞 0
  • 收藏
  • 评论 0

本文由miles_brige翻译自无锡紫光微电子,版权归世强硬创平台所有,非经授权,任何媒体、网站或个人不得转载,授权转载时须注明“来源:世强硬创平台”。

评论

   |   

提交评论

全部评论(0

暂无评论

相关推荐

【产品】650V N沟道MOSFETT TMA/C/P/R12N65HG,单脉冲雪崩能量为352mJ

无锡紫光微电子的4款N沟道MOSFET:TMA12N65HG,TMC12N65HG,TMP12N65HG,TMR12N65HG 是VDMOSFET(即垂直双扩散场效应晶体管),具有更小的开关损耗和更快的开关速度,输入阻抗高,驱动功率小,频率特性好,并且具有负的温度系数。

新产品    发布时间 : 2020-09-28

【产品】650V N沟道MOSFETT TMA/C/D/R/U7N65HG,开关速度快

无锡紫光微电子的5款N沟道MOSFET:TMA7N65HG、TMC7N65HG、TMD7N65HG、TMR7N65HG、TMU7N65HG是VDMOSFET(即垂直双扩散场效应晶体管),具有更小的开关损耗和更快的开关速度,输入阻抗高,驱动功率小,频率特性好,并且具有负的温度系数。

新产品    发布时间 : 2020-08-01

【产品】500V/5A的N沟道MOSFET SLP/F5N50S,适合于高效开关模式电源等应用

美浦森(Maplesemi)推出的两款N沟道MOSFET SLP5N50S、SLF5N50S,采用美浦森的先进平面条纹DMOS技术生产,漏源电压500V,连续漏极电流5A,耗散功率分别为73W/38W,采用TO-220/TO-220F封装,适合于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正等应用。

新产品    发布时间 : 2020-03-12

【产品】采用平面条纹DMOS技术的N沟道MOSFET SLP10N65S/SLF10N65S,漏源电压650V

美浦森推出的SLP10N65S/SLF10N65S是两款漏源电压高达650V的N沟道MOSFET。这种功率MOSFET采用了美浦森先进的平面条纹DMOS技术。该技术特别为最小化导通电阻,提供卓越的开关性能以及在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲而设计。

产品    发布时间 : 2022-10-09

【产品】漏源电压600V的N沟道MOSFET SLP8N60C/F8N60C,栅极电荷典型值29nC

美浦森SLP8N60C/SLF8N60C是漏源电压高达600V的N沟道MOSFET;采用平面条纹DMOS技术,为最小化导通电阻,提供卓越的开关性能以及在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲而设计;非常适合高效开关电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。

产品    发布时间 : 2022-11-04

数据手册  -  无锡紫光微  - V1.0  - 2022/3/3 PDF 英文 下载

TMV25N50H TMW25N50H 500V N-Channel MOSFET

型号- TMV25N50H,TMW25N50H

数据手册  -  无锡紫光微  - V1.0 PDF 英文 下载

WSF40N06S N-Ch MOSFET

型号- WSF40N06S

数据手册  -  WINSOK  - Rev 2  - Apr.2019 PDF 英文 下载

WSP14N10 N-Ch MOSFET

型号- WSP14N10

数据手册  -  WINSOK  - Rev 3.0  - Mar. 2024 PDF 英文 下载 查看更多版本

【产品】900V N沟道MOSFET TMA3N90H、TMU3N90H,100%雪崩测试

无锡紫光微电子有限公司是由紫光同芯微电子有限公司投资的一家高新技术企业,是一家专注于先进半导体功率器件和集成电路的设计研发、芯片加工、封装测试及产品销售的集成电路设计企业。无锡紫光微推出了TMA3N90H和TMU3N90H的VD MOSFET。分别采用TO-220F和TO-251的封装方式。

新产品    发布时间 : 2019-10-25

【产品】漏源电压高达600V的N沟道MOSFET SLP10N60S/SLF10N60S,持续漏极电流10A

美浦森推出的SLP10N60S/SLF10N60S是两款漏源电压高达600V的N沟道MOSFET。这种功率MOSFET采用了美浦森先进的平面条纹DMOS技术。该技术特别为最小化导通电阻,提供卓越的开关性能以及在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲而设计。

产品    发布时间 : 2022-11-02

WSF40N06D N-Ch MOSFET

型号- WSF40N06D

数据手册  -  WINSOK  - Rev 2  - Apr.2019 PDF 英文 下载

【产品】500V/4.5A的N沟道MOSFET SLP5N50S2/SLF5N50S2,采用TO-220/-F封装

美浦森(Maplesemi)推出的N沟道MOSFET SLP5N50S2和SLF5N50S2,是利用先进的平面条形DMOS技术生产的功率场效应管,分别采用TO-220和TO-220F封装。适用于高效率开关电源和基于半桥拓扑的有源功率因数校正等应用。

新产品    发布时间 : 2020-02-29

【产品】500V/15A的N沟道MOSFET TMA15N50H,采用TO-220F封装

无锡紫光微推出的TMA15N50H是1款500V的N沟道MOSFET,漏源电压最大额定值为500V,栅源电压最大额定值为±30V,脉冲漏极电流最大额定值为60A,重复雪崩能量最大额定值为54mJ,采用TO-220F封装。产品符合RoHS标准,可应用于开关电源(SMPS),不间断电源(UPS),功率因数校正(PFC)等领域。

新产品    发布时间 : 2019-11-09

100V/15A的N沟道MOSFET SL9968,开关损耗低、开关速度快,适用于工业自动化开关

SL9968是一款具有100V漏源电压和15A连续漏极电流的N沟道MOSFET,以其低导通电阻(80mΩ@10V,4A)和较低的阈值电压(2V@250μA)而著称。这些特性使得SL9968成为电源管理系统中理想的功率半导体器件,尤其是在需要高效能和高精度控制的场合,并且适用于多种中压开关和功率控制应用。

产品    发布时间 : 2024-05-29

展开更多

电子商城

查看更多

品牌:无锡紫光微

品类:N-Channel MOSFET

价格:

现货: 0

品牌:无锡紫光微

品类:N-Channel MOSFET

价格:

现货: 0

品牌:无锡紫光微

品类:N-Channel MOSFET

价格:

现货: 0

品牌:无锡紫光微

品类:N-Channel MOSFET

价格:¥2.2588

现货: 335

品牌:无锡紫光微

品类:N-Channel MOSFET

价格:¥2.1300

现货: 10

品牌:无锡紫光微

品类:N-Channel MOSFET

价格:

现货: 0

品牌:无锡紫光微

品类:N-Channel MOSFET

价格:

现货: 0

品牌:无锡紫光微

品类:N-Channel MOSFET

价格:

现货: 0

品牌:无锡紫光微

品类:N-Channel MOSFET

价格:

现货: 0

品牌:无锡紫光微

品类:N-Channel MOSFET

价格:

现货: 0

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

现货市场

查看更多

品牌:RENESAS

品类:MOSFET

价格:¥0.2360

现货:263,268

品牌:RENESAS

品类:MOSFET

价格:¥0.1700

现货:121,731

品牌:RENESAS

品类:MOSFET

价格:¥0.3580

现货:24,002

品牌:RENESAS

品类:MOSFET

价格:¥0.4720

现货:725

品牌:RENESAS

品类:MOSFET

价格:¥34.3950

现货:135

品牌:福斯特半导体

品类:MOS

价格:¥1.4550

现货:100

品牌:福斯特半导体

品类:MOS

价格:¥0.6300

现货:100

品牌:福斯特半导体

品类:MOS

价格:¥1.8600

现货:100

品牌:福斯特半导体

品类:MOS

价格:¥0.9750

现货:100

品牌:福斯特半导体

品类:MOS

价格:¥0.6300

现货:100

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

服务

查看更多

功率MOSFET管检测:动静态参数/热特性/高低温性能/可靠性等参数测试

可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。

实验室地址: 西安 提交需求>

位移传感器量程定制

可定制位移传感器量程范围10~600mm,该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐,每毫米的变化量误差不超过3ue/mm,可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标:非线性<0.2%;供桥电压<10v;测试精度:0.01mm。

最小起订量: 1 提交需求>

查看更多

授权代理品牌:接插件及结构件

查看更多

授权代理品牌:部件、组件及配件

查看更多

授权代理品牌:电源及模块

查看更多

授权代理品牌:电子材料

查看更多

授权代理品牌:仪器仪表及测试配组件

查看更多

授权代理品牌:电工工具及材料

查看更多

授权代理品牌:机械电子元件

查看更多

授权代理品牌:加工与定制

世强和原厂的技术专家将在一个工作日内解答,帮助您快速完成研发及采购。
我要提问

954668/400-830-1766(工作日 9:00-18:00)

service@sekorm.com

研发客服
商务客服
服务热线

联系我们

954668/400-830-1766(工作日 9:00-18:00)

service@sekorm.com

投诉与建议

E-mail:claim@sekorm.com

商务合作

E-mail:contact@sekorm.com

收藏
收藏当前页面