【产品】200V/18A N沟道MOSFET TMA18N20H/TMP18N20H/TMD18N20H
无锡紫光微电子推出型号为TMA18N20H,TMP18N20H, TMD18N20H的200V N沟道MOSFET,该产品具有快速切换和100%雪崩测试的特点,可以应用于开关电源和不间断电源等
特点:
快速切换
100%雪崩测试
改进的dv / dt功能
应用:
开关电源(SMPS)
不间断电源(UPS)
功率因数校正(PFC)
绝对最大额定值(除非另有说明,否则为TC =25ºC时数值)
热阻:
电学特性(除非另有说明,否则为TC =25ºC时数值):
订购信息
图1 型号为TO-220和TO-220F产品包装图以及包装尺寸
图3 型号为TO-252产品包装图以及包装尺寸
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可定制位移传感器量程范围10~600mm,该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐,每毫米的变化量误差不超过3ue/mm,可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标:非线性<0.2%;供桥电压<10v;测试精度:0.01mm。
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