【产品】200V/18A N沟道MOSFET TMA18N20H/TMP18N20H/TMD18N20H

2019-11-30 无锡紫光微电子
N沟道MOSFET,TMA18N20H,TMD18N20H,TMP18N20H N沟道MOSFET,TMA18N20H,TMD18N20H,TMP18N20H N沟道MOSFET,TMA18N20H,TMD18N20H,TMP18N20H N沟道MOSFET,TMA18N20H,TMD18N20H,TMP18N20H

无锡紫光微电子推出型号为TMA18N20HTMP18N20H, TMD18N20H的200V N沟道MOSFET,该产品具有快速切换和100%雪崩测试的特点,可以应用于开关电源和不间断电源等


特点:
快速切换
100%雪崩测试
改进的dv / dt功能

应用:
  开关电源(SMPS)

  不间断电源(UPS)
  功率因数校正(PFC)


绝对最大额定值(除非另有说明,否则为TC =25ºC时数值)

热阻:



电学特性(除非另有说明,否则为TC =25ºC时数值):


订购信息



图1 型号为TO-220和TO-220F产品包装图以及包装尺寸

图3 型号为TO-252产品包装图以及包装尺寸


授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道:世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
概念,方案,设计,选型,BOM优化,FAE技术支持,样品,加工定制,测试,量产供应服务提供:世强硬创平台www.sekorm.com
集成电路,电子元件,电子材料,电气自动化,电机,仪器全品类供应:世强硬创平台www.sekorm.com
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可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。

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可定制位移传感器量程范围10~600mm,该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐,每毫米的变化量误差不超过3ue/mm,可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标:非线性<0.2%;供桥电压<10v;测试精度:0.01mm。

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