【产品】20V，100m的超薄N沟道/P沟道增强型MOSFET CEDM7001VL和CEDM8001VL

时间： 2017-11-12 来源：Central（世强编辑整理）

技术问答

CEDM7001VL（N沟道）和CEDM8001VL（P沟道）是Central半导体公司推出的采用超薄SOT-883VL封装的增强型MOSFET。器件拥有较低的导通电阻，MOSFET能够提供低rDS（ON）和低栅极电荷。它设计用于空间受限的高速放大器和驱动器应用，其中封装高度是关键设计元素。其输出特性曲线如图一所示。

图一：CEDM7001VL系列输出特性曲线

CEDM7001VL系列的漏极电流，ID（25℃时）均为100mA，功耗仅100mW，有效的提高了能源利用效率，同时还兼容逻辑电平标准，可以满足用户多样化的设计需求。器件允许的操作和存储的温度范围为-65℃~150℃，能够适应恶劣的工业环境。CEDM7001VL对应的导通和关断时间分别为20ns和75ns，有利于实现高频开关设计。其漏源通态电阻rDS（ON）仅为0.9Ω（TYP，@VGS=4V@ID=10mA），这使得器件有着较低的导通损耗。此外，SOT-883VL封装使得器件拥有超薄外形（0.32mm），可以实现高密度设计。不同封装方式器件尺寸比较如图二所示。

图二：不同封装方式器件尺寸比较图

CEDM7001VL系列的主要特征：

低rDS（ON）

低阈值电压

逻辑电平兼容

超薄外形

低功耗

CEDM7001VL系列的主要应用：

负载/电源开关

DC-DC转换器

能源管理

图三：CEDM7001VL系列样品示意图

技术顾问：两星镶月

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深南大道 Lv5. 技术专家 2017-12-15

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luosai Lv8. 研究员 2017-12-02

看看
大飞哥 Lv8. 研究员 2017-11-12

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大欢哥 Lv7. 资深专家 2017-11-12

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luose Lv8. 研究员 2017-11-12

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