【产品】20V，100m的超薄N沟道/P沟道增强型MOSFET CEDM7001VL和CEDM8001VL
CEDM7001VL（N沟道）和CEDM8001VL（P沟道）是Central半导体公司推出的采用超薄SOT-883VL封装的增强型MOSFET。器件拥有较低的导通电阻，MOSFET能够提供低rDS（ON）和低栅极电荷。它设计用于空间受限的高速放大器和驱动器应用，其中封装高度是关键设计元素。其输出特性曲线如图一所示。
图一：CEDM7001VL系列输出特性曲线
CEDM7001VL系列的漏极电流，ID（25℃时）均为100mA，功耗仅100mW，有效的提高了能源利用效率，同时还兼容逻辑电平标准，可以满足用户多样化的设计需求。器件允许的操作和存储的温度范围为-65℃~150℃，能够适应恶劣的工业环境。CEDM7001VL对应的导通和关断时间分别为20ns和75ns，有利于实现高频开关设计。其漏源通态电阻rDS（ON）仅为0.9Ω（TYP，@VGS=4V@ID=10mA），这使得器件有着较低的导通损耗。此外，SOT-883VL封装使得器件拥有超薄外形（0.32mm），可以实现高密度设计。不同封装方式器件尺寸比较如图二所示。
图二：不同封装方式器件尺寸比较图
CEDM7001VL系列的主要特征：
低rDS（ON）
低阈值电压
逻辑电平兼容
超薄外形
低功耗
CEDM7001VL系列的主要应用：
负载/电源开关
DC-DC转换器
能源管理
图三：CEDM7001VL系列样品示意图
技术顾问：两星镶月
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