【经验】如何通过增加栅极电容的方式减缓SiC MOSFET 的米勒效应

时间： 2020-02-14 来源：世强

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SiC MOSFET 同Si 基MOSFET和IGBT一样，由于存在米勒电容，都会有米勒效应的存在。

图1：SiC MOSFET 寄生电容示意图

图1即为SiC MOSFET的寄生电容示意图，而输入电容，输出电容和米勒电容对应的公式如下：

Ciss= CGE+ CGC 输入电容

Coss= CGC+ CEC 输出电容

Crss= CGC 米勒电容

根据ROHM SCT2080KE的datasheet，可知其米勒电容大小为16pF，此电容正是米勒效应的罪魁祸首，而米勒效应的影响本文不重点介绍。

图2：SCT2080KE 寄生电容参数

由于SiC材料所带来的优势，SiC MOSFET可以工作在更高开关频率下，这样就会面临更严峻的误触发现象。所以在驱动电路设计中需要增加相关设计，使之能够较为有效地避免误触发。而常用的防误触发方式一般有三种，增加栅极电容、负压关断、米勒有源钳位。本文将主要介绍增加栅极电容这种方式。

在SiC MOSFET栅极G和源极之间增加一个电容Cg以增强对位移电流IGD的吸收能力，降低电压尖峰，增强抗干扰能力，避免开关管的误导通。但是增加Cg的同时，Cg对器件的开启特性会产生影响，因为并联此电容后，相当于加大了输入电容。在相同的门极驱动电阻下，IGBT的开关损耗也会相应地增加，栅极电压上升至开通阈值电压所需的电荷就会增加，那么驱动电路的功耗也随之增大。Cg的容值越大抑制效果越好，但是如上所述也带来损耗增大的问题，所以只能折中选择。

图3：添加栅极电容示意图

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型号- SCT3160KL,SCT4062KR,SCT3030KLHR,SCT4013DE,SCT3080AW7,SCT2450KE,SCT3160KW7,SCT2H12NZ,SCT4062KW7HR,SCT2450KEHR,SCT4013DR,SCT3060ALHR,SCT3040KRHR,SCT3060ARHR,SCT3040KLHR,SCT4036KEHR,SCT4045DRHR,SCT3022KLHR,SCT2160KE,SCT3080KW7,SCT3017ALHR,SCT3022AL,SCT3080ALHR,SCT3060AR,SCT3105KLHR,SCT4036KR,SCT3060AL,SCT4026DEHR,SCT4062KRHR,SCT3040KR,SCT2080KE,SCT3080KR,SCT3105KRHR,SCT3120AL,SCT4013DW7,SCT3030KL,SCT4062KWAHR,SCT4062KE,SCT3080ARHR,SCT4036KW7,SCT2280KEHR,SCT3120ALHR,SCT2280KE,SCT4062KWA,SCT3030AR,SCT3030AL,SCT3030AW7,SCT4036KRHR,SCT4045DEHR,SCT3120AW7,SCT3040KL,SCT3105KW7,SCT2080KEHR,SCT4018KW7,SCT4045DWA,SCT3080KL,SCT3030ALHR,SCT4062KW7,SCT3040KW7,SCT3022ALHR,SCT3030ARHR,SCT4045DW7,SCT3017AL,SCT4036KE,SCT4018KE,SCT4045DE,SCT4026DW7,SCT4062KEHR,SCT3080AR,SCT4026DW7HR,SCT4026DE,SCT4026DWA,SCT3160KLHR,SCT3080AL,SCT4045DW7HR,SCT4045DR,SCT2160KEHR,SCT3022KL,SCT4018KR,SCT4026DR,SCT4045DWAHR,SCT3105KL,SCT3160KW7HR,SCT3105KR,SCT3080KLHR,SCT3060AW7,SCT4026DRHR,SCT3080KRHR,SCT4026DWAHR

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