【经验】如何通过增加栅极电容的方式减缓SiC MOSFET 的米勒效应

时间： 2020-02-14 来源：世强

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SiC MOSFET 同Si 基MOSFET和IGBT一样，由于存在米勒电容，都会有米勒效应的存在。

图1：SiC MOSFET 寄生电容示意图

图1即为SiC MOSFET的寄生电容示意图，而输入电容，输出电容和米勒电容对应的公式如下：

Ciss= CGE+ CGC 输入电容

Coss= CGC+ CEC 输出电容

Crss= CGC 米勒电容

根据ROHM SCT2080KE的datasheet，可知其米勒电容大小为16pF，此电容正是米勒效应的罪魁祸首，而米勒效应的影响本文不重点介绍。

图2：SCT2080KE 寄生电容参数

由于SiC材料所带来的优势，SiC MOSFET可以工作在更高开关频率下，这样就会面临更严峻的误触发现象。所以在驱动电路设计中需要增加相关设计，使之能够较为有效地避免误触发。而常用的防误触发方式一般有三种，增加栅极电容、负压关断、米勒有源钳位。本文将主要介绍增加栅极电容这种方式。

在SiC MOSFET栅极G和源极之间增加一个电容Cg以增强对位移电流IGD的吸收能力，降低电压尖峰，增强抗干扰能力，避免开关管的误导通。但是增加Cg的同时，Cg对器件的开启特性会产生影响，因为并联此电容后，相当于加大了输入电容。在相同的门极驱动电阻下，IGBT的开关损耗也会相应地增加，栅极电压上升至开通阈值电压所需的电荷就会增加，那么驱动电路的功耗也随之增大。Cg的容值越大抑制效果越好，但是如上所述也带来损耗增大的问题，所以只能折中选择。

图3：添加栅极电容示意图

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