【产品】-30V/-60A无铅P沟道增强型MOSFET AP90P03Q，具有出色的Cdv/dt效应衰减
铨力半导体推出一款采用PDFN3X3-8L封装的P沟道增强型MOSFET——AP90P03Q，采用先进的沟槽技术，具有出色的Cdv/dt效应衰减和低栅极电荷特性，无铅产品，适用于PWM应用、负载开关、电源管理等应用。
特点
漏源电压VDS=-30V，连续漏极电流ID=-60A
漏源导通电阻RDS(ON)<7.5mΩ@VGS=-10V
漏源导通电阻RDS(ON)<12mΩ@VGS=-4.5V
采用先进的沟槽技术
无铅产品
低栅极电荷
出色的Cdv/dt效应衰减
应用
PWM应用
负载开关
电源管理
绝对最大额定值参数（Ta=25℃，除非特别说明）:
电气参数(Ta=25℃，除非特别说明)
注：
1、重复额定值：脉冲宽度受最大结温限制
2、EAS条件：TJ=25℃，VDD=-15V，L=0.5mH，RG=25Ω，IAS=-20.5A
3、脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%
4、表面贴装在FR4板，t≤10s
封装标识及订购信息
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