【经验】以ZMY24B为例说明非平面工艺的齐纳二极管相较平面工艺的应用优势
齐纳二极管工作原理较为简单，它主要是利用pn结反向击穿状态，其电流可在很大范围内变化而电压基本不变的现象，制成的起稳压作用的二极管，它主要用来稳压作用，实际上较多的工程人员并不理解稳压管二极管内部硅晶圆工艺，一但工程人员了解后这两种工艺区别后，就会较轻松地正确选择稳压管。本文主要介绍非平面工艺与平面工艺的齐纳二极管参数对比以及综合实际案子来说明非平面工艺优势之处：
1. 德欧泰克的齐纳二极管工艺可为发平面工艺与非平面工艺，其中非平面工艺较为有优势 ，如下是详细说明 ：
非平面工艺解剖图：
平面工艺解剖图：
非平面工艺，N极是上面， P极是下面，中间部分有效面积；平面工艺 P极与N极均在平面，中间部分的有效面积对相于非平面是比较小的（如非平面圆柱体封装MELF 器件最大有效面积为1.69 mm²；平面型圆柱体封装MELF 稳压管有效面积最大只能达到0.36 mm²）， 有效面积大小决定该齐纳二极管功率。
非平面工艺主要优势的表现是： 平面工艺主要优势的表现是：
高功率 1. 低结电容
高脉冲承受能力 2. 稳压电压只能做到<6.8V
较高的稳压电流 3. 低的漏电流
较低的漏电流 4. 较易破碎，耐高温能力强
塑封封装更高的可靠性
非平面工艺焊接技术：硅晶圆与铜框引脚通过焊片进行高温焊接，具有高可靠性与更好的热传递，主要应用在于高电流、高功率、高稳电压的应用。德欧泰克在这一类产品提供如下封装与具体产品：
MINI MELF Case，(1W ZENER ) ZMD11~ZMD100；
MELF Case，(1.3W ZENER ) ZMY3.9~ZMY200；
SMA Case，(2W ZENER ) SMZ11~SMZ200；
DO-213AB Case，(3W ZENER ) SZ3C11~SZ3C200；
DO-201 Case，(5W ZENER ) SZ3C11~SZ3C200。
平面工艺焊接技术：硅晶圆与铜框引脚通过外围玻璃高压力形势进行焊接，主要应用是小功率、小信号管。德欧泰克提供如下封装与型号：
MINI MELF Case， (500 mW ZENER ) ZMM1~ZMM75；
MELF Case， (1.0W ZENER ) ZMY3.9G~ZMY9.1G；
SMB Case， (2W ZENER ) Z2SMB11~Z2SMB200；
SMC Case，(3W ZENER ) Z3SMC11~Z3SMC200
2， 结合实际案子进行说明非平面的齐纳二极管的应用的优势：
最近有客户使用竞争对手稳压管出现稳压电压过高，导致输出电压不稳，整体出现报警；经过客户确认了解情况，电路图如下：ZD2，ZD3为两个串联稳压管。
2.1 客户是使用竞争对手的两只稳压管24V ±2% 进行串联 输入是56V ，通过两只稳压管后输出电压是48 V ，但是实际随着使用时间增长稳压电压出现大幅度增大，实际输出量到为52V左右后稳定，此时测量两颗稳压管的塑封材料的温度为80℃ , 从产品规格书得知Tj是可以达到150℃ ，同时也测量流过ZD2 ZD3的电流也是满足规格的。
2.2 后来我们建议客户选用德欧泰克非平面工艺产品ZMY24B ±2% 进行上机测量，上机老化测试1小时后，输出端稳压为48V左右，并没有出现较大的增幅，后来经过解剖竞争对手产品得知客户使用是平面工艺塑封的齐纳二极管，所以平面工艺极易受温度影响。
2.3 在此建议工程人员在选择齐纳二极管时应该结合实际应用条件来确认工艺后再选型对应功率。
德欧泰克稳压从Ptot=0.2W-5W ，封装最小从SOD-523 Mini Melf到封装最大DO-201 SMA/SMB/SMC，选择多样，有兴趣的工程师可以在世强平台查看更多资料和资讯内容。
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产品型号
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品类
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Type
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Zener Voltage Vzmin[V]
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Zener Voltage Vznom[V]
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Zener Voltage Vzmax[V]
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Zener Voltage Iztest [mA]
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Power Dissipation Ptot[W]
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Junction Temperature Tjmax[℃]
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Leakage Current IR[µA]
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Leakage Current VR[V]
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Dynamic Resistance rzj[Ω]
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1N5345B
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Zener Diodes
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Axial
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DO-201
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8.20
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