【经验】以MUR30120P为例介绍快恢复二极管（FRD）参数选型判断方法

时间： 2020-01-30 来源：世强

技术问答

快恢复二极管（简称FRD）是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管，主要应用于开关电源、充电桩、变频器等电子电路中，作为高频整流二极管、续流二极管使用。快恢复二极管的内部结构与普通PN结二极管不同，它属于PIN结型二极管，即在P型硅材料与N型硅材料中间增加了基区I，构成PIN硅片。因基区很薄，反向恢复电荷很小，所以快恢复二极管的反向恢复时间较短，正向压降较低，反向击穿电压（耐压值）较高。选用快恢复二极管时，主要应考虑其最大整流电流、最大反向工作电压及反向恢复时间等参数，下面以扬杰科技 MUR30120P为例介绍基于这些参数的选型判断方法。

图1: 扬杰MUR30120P 外观图

（1）最大平均整流电流IF：指二极管长期工作时允许通过的最大正向平均电流。该电流由PN结的结面积和散热条件决定。使用时应注意通过二极管的平均电流不能大于此值，并要满足散热条件，通常选择IF值为正常工作电流的2倍以上。MUR30120P二极管的IF为30A，那么正常工作电流不要超过15A。

（2）最高反向工作电压VR：指二极管两端允许施加的最大反向电压。若大于此值，则反向电流(IR)剧增，二极管的单向导电性被破坏，从而引起反向击穿。MUR30120P的VR为1200V，通常选择此参数时要求其为设计中峰值电压的1.25-2倍以上，即峰值电压不要超过960V。

（3）反向恢复时间trr：这里要强调的是随着二极管的正向电流lf的增加反向恢复时间trr随着增加，di/dt增加，反向恢复时间trr减小。仅从产品手册中按所给的反向恢复时间选用快速二极管，如反向电压的测试条件不同，将导致实际的反向恢复时间的不同，应尽可能的参照数据手册中给的相对符合测试条件下的反向恢复时间为依据。MUR30120P数据手册中给出了在额定反向电压下，IF=0.5A时的典型回复时间为75ns，这个反向恢复时间可作为选型的参考值，但是实际参数要代入具体应用环境下去测试。

图2：MUR30120P反向恢复时间参数

基本上通过对以上三个主要参数的判断，并根据结构布局等需求选择封装形式，就可对快恢复二极管进行初步选型。

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目录- 整流桥 Rectifier Bridge 整流二极管 Rectifier Diode 快恢复二极管 Quick-recovery Diode 超高效整流二极管 Ultra High Efficiency Rectifier Diode 肖特基二极管 Schottky Diode 光伏二极管 Photovoltaic Diode 瞬态抑制二极管 Transient Voltage Suppressor 稳压二极管 Zener Diode 放电管 Discharge Tube 静电放电 ESD 小信号开关二极管 Small Signal Switching Diode 小信号肖特基二极管 Small Signal Schottky Diode 小信号三极管 Small Signal Triode 小信号数字晶体管 Small Signal Digital Transistor 晶闸管/整流二极管/三相整流桥模块 THYRISTOR/RECTIFIER/ THREE PHASE RECTIFIE DIODE MODULE IGBT模块 IGBT MODULES 肖特基模块/碳化硅肖特基模块 SCHOTTKY MODULES/SIC SCHOTTKY MODULE 快恢复二极管模块 FRD DIODE MODULES 中低压MOS管 Medium and Low Voltage MOS Tube

型号- 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

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鲁晶携多款功率器件产品出席第十四届亚洲电源技术发展论坛，为新能源、光伏、充电桩等领域应用提供服务

鲁晶半导体携旗下Si SBD/FRD/SCR、Si MOS/IGBT、SiC Diodes、SiC MOSFET等功率器件产品出席第十四届亚洲电源技术发展论坛，产品广泛应用于各类智能家电、电动工具、新能源、充电桩、光伏、电源、工控等领域。

厂牌及品类发布时间 : 2024-01-09

凌讯微MUR6040系列快恢复二极管，具有开关特性好、反向恢复时间短的特点

凌讯微电子MUR6040系列快恢复二极管，它是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管，与普通二极管一样具有单向导电性，主要应用于开关电源、脉宽调制器、变频器等电子电路中，主要作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。

产品发布时间 : 2024-09-09

开关电源中为什么要用快恢复二极管？

快恢复二极管在电源应用中，确保高效率、可靠性和长期稳定运行，在电路中作用显著。本文中辰达行将为大家解析开关电源中为什么要用快恢复二极管的问题。

技术探讨发布时间 : 2024-03-12

麦思浦半导体携MOS/IGBT/FRD系列产品亮相慕尼黑上海电子展，聚焦高压直流电源、光伏逆变器、充电桩、新能源等领域

慕尼黑上海电子展于7月11日在上海盛大启幕，麦思浦半导体是一家专注功率半导体研发设计、制造与品牌营销的国家高新技术企业，聚焦高压直流电源、通信电源、光伏逆变器、充电桩、新能源等领域。

厂牌及品类发布时间 : 2023-07-14

MURI3060L Ultra-Fast Recovery Diodes 30A FRED

型号- MURI3060L

数据手册 - 扬杰科技 - Rev.1.1 - 29-Jul-24 PDF 英文下载

一文介绍快恢复二极管的作用有哪些？

鲁晶快恢复二极管（简称FRD）是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管，主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中，作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。通常，5~20A的快恢复二极管采用TO–220F塑料封装，20A以上的大功率快恢复二极管采用顶部带金属散热片的TO–3P塑料封装，5A以下的快恢复二极管则采用DO–41、DO–15或DO–27等规格塑料封装。

技术探讨发布时间 : 2024-07-04

【应用】采用高性能FRD的低成本充电桩电源模块解决方案

KYOCERA的快恢复二极管KSF60F60N,规格为600V/60A。快恢复二极管KSF60F60N具有超低损耗，有效提高整机效率。Si快恢复二极管相比SiC肖特基二极管成本低很多，可以在保证整机温升和效率不变的同时，有效降低BOM成本，提高充电模块的性价比，为充电桩充电模块研发工程师提供了理想的降成本方案。

器件选型发布时间 : 2018-06-05