【经验】隔离驱动器Si8261做驱动电路设计时的阈值电压选取原则

【经验】采用Si8285隔离驱动器实现SiC MOS管可靠驱动和保护

在SiC MOS管出现短路或直通故障时，通过其DS间的电流值会瞬间增大到额定电流的数倍以上，此时如果不能及时关断SiC MOS管的栅极驱动电压，SiC MOS管会由于热量迅速累积而损坏。采用Silicon Labs推出的Si8285集成的Vcesat退饱和保护功能，可以实时监测SiC MOS管的Vds电压，一旦Vds电压进入退饱和状态，会立即软关断SiC MOS管，实现保护功能。

【技术大神】隔离驱动器IC在功率电源全桥LLC中的应用

用2颗Si8233代替了工艺复杂的5个绕组的驱动变压器，电路设计简单得多，大大缩减了产品的研发时间。

【经验】基于隔离器检测功能脚DSAT的误报警延时检测网络

Silicon Labs推出的Si828x隔离栅极驱动器是专为保护电源逆变器以及绝缘栅双极晶体管等器件而设计的，它具有5KVrms的隔离等级以及良好的定时特性和业内最快的趋饱和检测功能。

研讨会2024功率器件新技术研讨会

描述- 11月21日在线直播，带来低导通电阻的功率MOS、集成驱动的GaN IC、IGBT新技术、用于电机驱动/BMS/移动储能的SGT MOS、高压车规SiC功率MOS、国产车规IGBT模块等功率器件新产品新技术，点击了解报名

议题- 降低20%导通电阻的功率MOS  |  集成驱动的GaN IC  |  沟槽栅场截止型IGBT新技术  |  适用于电机驱动/BMS/移动储能等应用SGT MOSFET  |  1700V SiC功率MOS  |  国产50A IPM模块  |  高可靠国产车规IGBT模块  |  ROHM——专注功率，电源和模拟技术的全球知名半导体厂商  |  EPC——基于氮化镓（GaN）功率管理器件的领先供应商  |  致力于功率器件和智能传感器技术的专业半导体厂商——瑶芯微（ALKAIDSEMI）  |  中国半导体功率器件十强企业：扬杰科技（YANGJIE）  |  致力于成为双碳时代功率半导体中国领跑者——阿基米德半导体（Archimedes）  |  中国领先的碳化硅（SiC）半导体和芯片解决方案提供商——瞻芯电子（InventChip）  |  专业从事电源管理、电机驱动、微控制器、传感器的集成电路和系统方案的设计与开发——华润微电子（CRM ICBG ）  |  Kyocera（京瓷）——全球领先的材料与电子元件制造商  |  Shindengen（新电元）——“桥王”，整流桥全球份额占比约40%  |  中国半导体功率器件十强的主板上市企业——新洁能（NCEPOWER）  |  国内首家抗负压能力可达-40V/600ns的电机驱动（HVIC）制造商——数明半导体  |  国内领先的半导体分立器件整合制造商 (IDM) —— 捷捷微电(JieJie Microelectronics）  |  国产一站式电路保护解决方案专家——硕凯（SOCAY）  | 

【IC】先积新品发布小封装隔离电源驱动LTP850x，专为小型变压器设计的推挽驱动

LTP850x是一款低成本隔离电源方案，可为CAN，485等隔离通信接口等小功率供电应用提供一种选择。这实质是一款单片振荡器/电源驱动器，由一个振荡器和一个门驱动电路组成，门驱动电路提供互补输出信号来驱动一个半桥功率开关，内部逻辑确保两个开关之间的安全开断，这样就可以驱动一个小型，中心抽头变压器，初级输入3.3V或5V直流电源，次级线圈可以根据变压器匝数比进行匹配，以提供任何隔离电压。

技术分享 | GLW隔离栅极驱动芯片GLd3403在伺服驱动器应用

本文针对伺服驱动器内部的逆变电路所采用的隔离栅极驱动芯片GLd3403的应用参考电路、典型参数计算、应用注意事项等多个方面进行详细阐述，旨在为大家提供完整清晰的隔离栅极驱动电路设计。

Si8273、Si8274和Si8275隔离式栅极驱动器的高侧/低侧驱动电路和双驱动电路设计

Si827x是Silicon Labs推出的具有高瞬态抗扰性的隔离式栅极驱动器，具有良好共模瞬变抗扰度（200kV/μs）和闩锁抑制能力（400kV/μs），适用于具有快速开关和潜在噪声的电源系统，是驱动隔离MOSFET、IGBT、SiC（碳化硅） FET 和GaN（氮化镓） FET的理想选择。本文介绍Si827x中的Si8273、Si8274和Si8275设计​的高侧/低侧驱动电路和双驱动电路.

一文了解荣湃双通道隔离驱动器Pai8233X系列的应用设计指南

隔离栅极驱动器的应用场景较为复杂和多样，在一些高频、大功率和存在噪声的场景下，隔离栅极驱动器可能会出现误动作甚至导致器件损坏。同时，不合理的PCB布局和外围电路设计也可能会导致上述问题。因此，本文基于Pai8233X系列隔离栅极驱动器，从芯片的基本应用建议、芯片高压侧多路供电方案到栅极驱动器中输入窄脉冲的影响，讨论了芯片在应用过程中可能存在的风险，旨在给出适当建议缓解上述风险带来的不利影响。

【选型】隔离驱动器Si8261BBD-C-IS可pin-pin兼容ON FOD8342TR2用于​光伏逆变器

本文重点介绍Silicon Labs电容隔离驱动器Si826x，该产品在封装和功能上与传统的光耦驱动器兼容，但性能和可靠性更优，更能够具有更长的使用寿命。Si8261BBD-C-IS可pin-pin兼容ON FOD8342TR2。

【IC】LITTELFUSE新推FDA117光隔离光伏驱动器，可为隔离开关应用提供60µA浮动电源

LITTELFUSE宣布推出FDA117光隔离光伏驱动器。 这款创新产品可产生浮动电源，是各行各业隔离开关应用的绝佳选择；专为使用浮动电压源控制分立标准功率MOSFET和IGBT而设计，可确保低压驱动输入侧和高压负载输出侧之间的隔离。 凭借5mA至50mA的输入控制电流范围、集成快速关断电路和5kVRMS的强化隔离。

【应用】国产纳芯微隔离驱动NSI6602用于1KW逆变器，控制MOS管实现升压和逆变过程，降低设计成本和难度

在1KW逆变器的产品中，需先通过升压电路先将48V电池升压到335V，再通过全桥逆变电路将335VDC逆变成220VAC电压，国产纳芯微的隔离驱动NSI6602用于驱动Q1-Q6的MOS导通，成本更优，设计更简便。