【选型】碳化硅(SiC)二极管助力PFC系统降低工作温度,提升系统可靠性
交过电费的人都知道,同样是使用电网中的电能,为什么工业用电和居民用电的价格却不尽相同呢?
大多数人也许会给出这样一个答案:“工业用电是要创造价值,进行商业盈利的;其次就是工业设备污染环境比较多;再次就是工业用电的传输成本高。”这个答案说明了一些问题,但是如果您具备专业知识,或者通过学习,了解了什么是功率因数,那么您肯定能给出更专业的答案:“工业中使用的用电设备多为电感或电容性设备,其功率因数相对居民用电设备的功率因数较低,造成了电网中无功功率较高,电力公司需要多发电来维持这个无功功率,浪费了这部分的电能,所以工业用电用户就需要为这部分浪费的电能买单。”
那么有什么方法来降低无功功率,或者说如何把功率因数提升到最佳值呢?伟大的科学家们已经研究出了解决办法:功率因数校正。提高用电设备功率因数,使其接近1的技术就称为功率因数校正--PFC。
对于大功率用电器是十分需要PFC的,他能提高用电效率,降低用电成本,不仅仅自己用上了高品质产品,同时还能保护到国家的电网。
单项基本PFC拓扑如图所示,交流电经整流后,通过PFC进行相位处理,通过这样的方式提高系统的用电效率,减少无功功率。
PFC部分主体是一个BOOST电路,这里的电容C作为储能元件,同时又有滤波的作用,为了为电感L1进行续流,这里加入了二极管D1,来保证电容稳定的为后续电路供电,这个二极管会一直工作在高速开关状态,所以需要高工作频率的二极管。因为提高系统频率有利于降低电感和电容这些储能元件的体积,对于系统减积减重十分有好处。
如果应用在高电压大功率的场合,这里就需要选择快恢复二极管,或者是碳化硅二极管。这两种材料都可以提供高频率与高电压,适用于大功率场合。
目前在PFC中,二极管D1有在用快恢复二极管和碳化硅二极管,碳化硅二极管能提供更高的开关速度和极小的反向恢复电流,在大功率系统中能更好的降低损耗。
但碳化硅二极管相比于硅材质的快恢复二极管拥有更优秀的反向恢复时间,(快恢复二极管一般反向恢复时间为50ns左右;碳化硅二极管反向恢复时间一般在10ns以内)与极少的反向恢复电流,这能大大降低MOSFET和二极管开关过程中产生的损耗。根据能量守能,能量不会凭空的产生或消失,损耗的能量大部分都以热能的形式散失,这会使系统温度升高。
经验表明,在电路系统中,温度每升高10℃,系统失效的可能性就会加倍,过高的功率器件的温升甚至会导致整个电源的热失效,应用碳化硅器件能帮助您降低系统工作温度,提升系统可靠性。
泰科天润的碳化硅肖特基二极管G3S06510A等器件已经广泛应用到各类PFC系统中,可以为产品带来更高的效率,以及更高的功率密度和更小的系统尺寸。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 2
本文由Homer转载自泰科天润,原文标题为:碳化硅(SiC)二极管对PFC系统性能提升的分析,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。
相关推荐
【选型】泰科天润SiC二极管满足Boost/PFC、高频输出整流等多种电路设计需求
泰科天润作为一家国产厂牌,针对不同应用需求专门匹配了不同的型号,以10A/650V的参数为例,G5S06510AT的VF典型值只有1.28V,较适合在高频输出整流电路的应用; G4S06510AT的价格优势明显,主打性价比系列,可以针对成本要求较高的应用选型;G3S06510A的IFSM值比较高且价格比较适中,适合Boost/PFC电路的应用。
【选型】SIC二极管S4D20120H用于充电桩系统中PFC电路,提高开关频率同时反向恢复电流低至4μA
本文将从SMC的SIC二极管S4D20120H的性能参数,封装大小方面进行分析,从而讨论其应用于充电桩系统中PFC部分的优势。
【选型】国产SiC二极管G5S06520BT用于光伏逆变器,VF值低至1.62V
某客户在光伏逆变器项目中需求一款650V/20A,TO-247封装的SIC二极管来提高系统效率。客户之前用的肖特基二极管,考虑到它的反向恢复损耗、VF值和反向恢复时间等参数较大,本文推荐国产泰科天润SiC二极管G5S06520BT。
泰科天润碳化硅二极管选型表
提供泰科天润碳化硅二极管选型,覆盖常规封装SOD123、SMA、TO-220AC、TO-252、TO-263、TO-247等,覆盖常规功率段,晶圆尺寸:4寸/6寸,VRRM(V):650V-3300V。
产品型号
|
品类
|
晶圆尺寸
|
Package
|
Config.
|
VRRM(V)
|
IF(A)(Tc=160℃)
|
IF(A)(Tc=125℃)
|
IF(A)(Tc=25℃)
|
IFSM(A)(Tc=25℃)
|
RTH-JC(Typ.)(℃/W)
|
Qc(nc)(Tj=25℃)
|
Ptot(W)(Tc=25℃)
|
Ptot(W)(Tc=110℃)
|
VF(Typ.)(V)(Tj=25℃)
|
VF(Max.)(V)(Tj=25℃)
|
VF(Typ.)(V)(Tj=175℃)
|
VF(Max.)(V)(Tj=175℃)
|
IR(Typ.)(Tj=25℃)(uA)
|
IR(Max.)(uA)(Tj=25℃)
|
IR(Typ.)(uA)(Tj=175℃)
|
IR(Max.)(uA)(Tj=175℃)
|
G51XT
|
碳化硅肖特基功率二极管
|
4寸
|
SOD123
|
单芯
|
650
|
0.65
|
1
|
1.84
|
18
|
32.74
|
3.6(VR=400V)
|
3.8
|
1.2
|
1.38
|
1.6
|
1.57
|
2
|
0.07
|
50
|
0.2
|
100
|
选型表 - 泰科天润 立即选型
泰科天润即将亮相23慕尼黑华南电子展,展示SiC MOSFET、混合单管、碳化硅二极管等系列产品
慕尼黑华南电子展将于2023年10月30-11月1日在深圳国际会展中心(宝安新馆)盛大举行。作为国内知名的碳化硅器件制造与应用解决方案提供商,泰科天润(展位号:1号馆·1F33)即将亮相慕尼黑华南电子展。
芯众享推出DFN5*6和DFN8*8封装的快充PFC电路专用碳化硅二极管,最高工作温度可达175℃
芯众享针对USB PD快充推出了两款超薄封装的碳化硅二极管,助力高功率密度快充产品的开发。该两款器件参数均为650V耐压,Tc=155℃时连续正向电流为6A,封装分为DFN8*8和DFN5*6。几乎无反向开关损耗的特性,可显著提高系统能效。
【应用】泰科天润SiC二极管G3S06505C助力华硕氮化镓快充PFC电路设计,正温度系数易于并联使用
G3S06505C是一颗耐压650V,5A电流的碳化硅二极管,采用TO252封装。其具有正温度系数,支持并联使用,且并联器件中没有热崩溃现象;工作温度-55℃-175℃,开关特性不受温度影响,可以降低系统对散热片的依赖;无反向恢复电流和正向恢复电压,用在PFC升压整流中可以极大降低开关损耗,大大提高整体效率。
【产品】1200V/40A国产碳化硅肖特基功率二极管G3S12040B
G3S12040B是泰科天润推出的1200V/40A 碳化硅肖特基功率二极管,该产品采用TO-247封装,为单级器件,极大降低开关损耗并降低系统对散热片的依赖。主要应用于开关模式电源(SMPS),功率因数校正(PFC),电机驱动,光伏逆变器,不间断电源,风力发动机,列车牵引系统,电动汽车等领域。
【应用】650V耐压国产SiC二极管G3S06540B在不间断电源(UPS)PFC电路上的应用
典型的不间断电源电路通常在整流后接入PFC电路,作为功率因数校正,以提高对电力的利用,达到节能的作用,常用的PFC电路其中在二极管的选择上通常会用SIC二极管,在PFC电路起到续流,整流二极管用,利用其零反向恢复电流,零正向恢复电压,相比普通的快恢复肖特基二极管,用SIC二极管有利于提高电源效率。 国产品牌泰科天润推出的G3S06540B SIC二极管具有650V耐压,单只脚达到20A的正向电流。
【应用】易于并联使用的SiC二极管G3S06510D新能源汽车OBC,不易受温度影响
目前新能源汽车的产量日益增长,2022年我国新能源汽车销量达688.7万辆。与新能源汽车相关的OBC也是热门产业。目前的OBC大多数还是400V的平台,3.3KW功率段的PFC拓扑,部分客户用的是双BOOST升压拓扑结构。内部的二极管一般会用到碳化硅二极管。本文推荐泰科天润推出的SiC二极管G3S06510D。
【产品】650V/1A碳化硅肖特基功率二极管G51YT,最高工作温度175℃,用于开关模式电源等领域
泰科天润推出的650V/1A碳化硅肖特基功率二极管G51YT,具有不受温度影响的开关特性,最高工作温度175℃,极大地降低开关损耗,同时,并联器件中没有热崩溃,降低系统对散热片的依赖。
【产品】碳化硅肖特基功率二极管G4S06510QT,可用于风力发动机、列车牵引系统以及电动汽车等领域
泰科天润推出的碳化硅肖特基功率二极管G4S06510QT,具有极大降低开关损耗和降低系统对散热片的依赖等优点,反向重复峰值电压VRRM值为650V,在TC=130℃测试条件下,正向平均电流IF值为10A。
【应用】反向峰值电压650V的SiC二极管G3S06520P用于单相光储,工作温度可达+175℃
某客户设计单相户用储能需要一款650V、20A的SiC二极管。据上述情况,本文推荐泰科天润G3S06520P,其反向重复峰值电压VRRM和反向浪涌峰值电压VRSM均为650V,工作温度为-55~+175℃;具有单极性器件和极大降低开关损耗的优势。
碳化硅二极管成为大功率电源产品核心竞争力,致力提高电动汽车、逆变器等效率和可靠性
碳化硅材料作为第三代半导体,目前已有多家厂商投产,在诸多场合取代传统快恢复二极管,提高了电动汽车、逆变器、轨道交通、太阳能和风力发电上的效率和可靠性。如今引入大功率氮化镓适配器中,为大功率、高密度PD快充的普及更增添一份力量。
【经验】如何正确评估SIC二极管的VBR电压?
SIC二极管已经成为SI器件高压快恢复二极管的最佳替代产品。然而针对SIC二极管的可靠性参数VBR(反向击穿电压)评估,目前没有详细的标准可以参考评估,本文将结合泰科天润的SIC二极管产品G5S12030BM,讨论如何正确评估SIC二极管的VBR电压?
电子商城
现货市场
服务
可定制LAMP LED、 CHIP LED、 PLCC LED、 汽车用车规级LED、COB LED的尺寸/电压/电流等参数,电压1.5-37V,电流5-150mA,波长470-940nm。
最小起订量: 30000 提交需求>
可定制单色光灯珠、双色灯珠、全彩灯珠、发光二极管、贴片灯珠、贴片LED等产品,尺寸:0.6*0.3mm-3.2*2.7mm,波长:405-940nm,亮度:24-750mcd,电压:1.5-3.5V。
最小起订量: 3000 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论