【产品】符合RoHS标准的超结功率MOSFET AKS65N1K9FM，漏源导通电阻最大值低至190mΩ
瑶芯微推出型号为AKS65N1K9FM的超结功率MOSFET，该器件能为客户应用提供良好的FOM性能以及更优的EMI(电磁干扰)特性。
最大额定参数值方面（TA=25℃，除非另有说明），器件漏-源电压最大额定值为650V，持续漏极电流最大额定值高达20A（TC=25℃，最大漏极电流额定值受限于器件TO220封装和最高结温)，栅-源电压最大额定值为±30V，器件耗散功率最大额定值为26.8W（TC=25℃），器件工作温度和存储温度范围均宽至-55℃~+150℃；热阻特性方面，稳态热阻（结至外壳）为4.6℃/W，稳态热阻（结至环境）为50.6℃/W(贴装在最小PCB板上)；电气参数方面（TJ=25℃，除非另有说明），当VGS=10V，ID=4A时，器件漏源导通电阻典型值低至140mΩ，最大值低至190mΩ；器件主要应用于开关电源（SMPS），不间断电源（UPS），功率因数校正（PFC）等领域。
器件特征
低FOM RDS(ON)×QG
EMI特性更优
100% UIS和介质隔离(绝缘)测试
符合RoHS标准（详细信息，可联系ALKAIDSEMI销售）
无卤器件（详细信息，可联系ALKAIDSEMI销售）
器件应用领域
开关电源（SMPS）
不间断电源（UPS）
功率因数校正（PFC）
最大额定值（TA= 25℃，除非另有说明）
热阻值
Note：
1.最大漏极电流额定值受限于器件TO220封装和最高结温；
2.重复额定值：脉冲宽度受限于最高结温；
3. L =10.8mH, VDD=150V, IAS=8.5A, RG=25 Ω, TJ= 25℃开始,设计保证
4.贴装在最小PCB板上；
电气参数（TJ = 25℃，除非另有说明）
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产品型号
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品类
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Status
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Package
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VDS(V)
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Vgs(V)
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ID(A)
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Vth(V)
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Rds-on(mΩ) Typ@10V
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Rds-on(mΩ) Max@10V
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CISS_Typ(pF)
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COSS_Typ(pF)
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CRSS_Typ(pF)
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QG(nC)
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AKS60N300WMF
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超级结MOSFET
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MP
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TO-247
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600
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30
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80
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3.5
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25
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30
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7699
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3091
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2.1
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200.8
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选型表 - 瑶芯微 立即选型
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产品型号
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品类
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N/P
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ESD
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ID（A）
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BVdss(V)
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Vgs(±V)
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Vth(±V)
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Rds-on(mΩ）Typ.(FT）10V Typ
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Rds-on(mΩ）Typ.(FT）10V Max
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package
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status
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AKS60N220WMF
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High-Voltage MOSFET
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N
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N
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100
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650
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30
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3.8
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17
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22
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TO-247
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ENG
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选型表 - 瑶芯微 立即选型
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可定制ATD TE Dehumidifier的冷却功率：20~220W；工作电压：12V(DC)/ 220V(AC)；控温精度：≤±0.5℃；尺寸：冷面：20*20~500*300；热面：60*60~540*400(长*宽;单位mm）。
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最小起订量： 10000 提交需求>
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