【产品】采用先进沟槽工艺的N沟道功率MOSFET SFM3011T，漏极电流绝对最大额定值为110A
SFM3011T是HI-SEMICON（深鸿盛）推出的一款N沟道功率MOSFET，采用PDFN-5*6-8L封装，TJ=25℃时，器件的漏源电压绝对最大额定值为30V；TC=25℃时，器件的漏极电流绝对最大额定值为110A。该器件采用先进沟槽工艺，可提供出色的静态漏源通态电阻和极低的栅极电荷，广泛适用于多种应用。
产品特点
漏源电压VDS：最大额定值为30V（TJ=25℃）
漏极电流ID：最大额定值为110A（TC=25℃）
静态漏源通态电阻RDS(ON)：VGS=10V、ID=20A时的典型值仅为3.9mΩ
应用
功率因数校正（PFC）
开关模式电源（SMPS）
不间断电源（UPS）
LED照明电源
绝对最大额定值参数（TJ=25℃，除非特别说明）:
电气参数
note:
1.脉宽受限于最大结温
2.L=0.5mH, IAS=28A, VDD=10V, VG=10V, RG=25Ω, 开始 TJ=25℃
3.脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%
4.基本上与工作温度无关
热阻特性
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