【产品】650V超结功率MOSFET TPA/B/C/D/P/U65R280D，具有极低FOM

时间： 2019-10-04 来源：无锡紫光微

代理服务

技术支持

采购服务

超结功率MOSFET,TPA65R280D,TPB65R280D,TPC65R280D

超结功率 MOSFET（Super Junction MOSFET）是一种新型功率器件，采用基于电荷平衡的器件结构，导通电阻明显下降。在应用中可减小系统功率损耗并提高其转换效率，目前是电源领域最有生命力的功率器件。无锡紫光微电子有限公司致力于成为中国先进的 SJ MOSFET 供应商。TPA65R280D、TPB65R280D、TPC65R280D、TPD65R280D、TPP65R280D、TPU65R280D是无锡紫光微电子的650V超级结功率MOSFET。

图一.6款超级结功率MOSFET外观、封装、内部电路

6款超结功率MOSFET特点：

•极低的FOM （R_DS(on)╳Q_g）

•100%雪崩测试

•符合ROHS标准

6款超结功率MOSFET应用：

•开关电源(SMPS)

•不间断电源(UPS)

•功率因数校正(PFC)

6款超结功率MOSFET封装与丝印代码：

图二.器件封装与丝印代码

6款超结功率MOSFET最大额定值与热特性：

图三.最大额定值

图四.热阻

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 0
| 转发至：

本文由Homer翻译自无锡紫光微，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。

平台合作

提交评论

全部评论（0）

暂无评论

【产品】650V 超结功率MOSFET TPA65R100MFD，漏源电压高达650V（VGS=0V）

超结功率MOSFET是一种基于SJ原理设计的高压功率MOSFET的革命性技术。Multi-EPI SJ MOSFET提供了非常快速且耐用的体二极管。还提供了一种极低损耗开关、高可靠的通信和传导器件，使其在工业级应用中更可靠，更高效，更轻，发热更少。TPA65R100MFD是无锡紫光微电子推出的一款超结功率MOSFET，采用TO-220F封装，漏源电压高达650V

2020-10-06 - 新产品代理服务技术支持采购服务

【产品】TO-247封装的600V超结功率MOSFET TPW60R090MFD，导通电阻最大仅0.09Ω

TPW60R090MFD是一款漏源电压为600V的超结功率MOSFET，采用TO-247封装，尺寸较小。该产品具有超快速体二极管和极低的品质因数，通过了100％雪崩测试，符合RoHS标准，主要用于开关电源、不间断电源和功率因数校正。

2019-10-11 - 新产品代理服务技术支持采购服务

【产品】650 V超结功率MOSFET TPU65R600M，根据SJ原理设计，符合RoHS标准

无锡紫光微电子推出的超结功率MOSFET TPU65R600M，超结功率MOSFET是根据SJ原理设计的高压功率MOSFET的一项革命性技术。 SJ MOSFET是一款性价比最佳的产品，由无Wuxi Unigroup Microelectronics公司设计，能够针对消费和照明市场中对成本敏感的应用提供支持。

2020-10-05 - 新产品代理服务技术支持采购服务

【产品】650V/190mΩ的超结功率MOSFET AKS65N1K9DM，具有低FOM性能，无卤且符合RoHS标准

瑶芯微推出型号为AKS65N1K9DM的超结功率MOSFET，该器件能为客户应用提供良好的FOM性能以及更好的EMI(电磁干扰)特性，器件漏-源电压最大额定值为650V，持续漏极电流最大额定值高达20A。

2022-12-15 - 产品代理服务技术支持采购服务

无锡紫光微MOS管选型表

无锡紫光微提供以下DT MOS，Multi-EPI Super Junction MOSFET，N-Channel DTMOS，N-Channel Trench MOSFET，P-Channel Trench MOSFET，P-Channel Trench MOSFET，Super-Junction Power MOSFET和Trench MOS的参数选型，ID(A)：1~180；RDS(ON)(mΩ)@VGS=10V Typ(Ω)：1.3~1290；RDS(ON)(mΩ)@VGS=10V Max(Ω)：1.8~1540。

产品型号	品类	V(BR)DSS(V)	ID(A)	RDS(ON)(mΩ)@VGS=10V Typ(Ω)	RDS(ON)(mΩ)@VGS=10V Max(Ω)	V(GS)thmin(V)	V(GS)thmax(V)	Ciss(pF)	Qg(nC)	封装
TTD30N10AT	N-Channel Trench MOSFET	100	20	22	27	1	2.4	4529	37	TO-252

选型表 - 无锡紫光微立即选型

AT18NF65S N沟道超级结功率MOSFET

AT18NF65S是一款650V N-Channel Super Junction Power MOSFET，具有优化的体二极管反向恢复性能、低导通电阻和低传导损耗，以及超低栅极电荷，适用于功率因数校正（PFC）、开关模式电源（SMPS）、不间断电源（UPS）和LLC半桥等应用。

安邦 - N沟道超结功率MOSFET,N-CHANNEL SUPER JUNCTION POWER MOSFET,AT18NF65S,LLC半桥,LLC HALF-BRIDGE,SWITCHED MODE POWER SUPPLIES,开关模式电源,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY,不间断电源,UPS,SMPS

2024/5/28 - 数据手册 - Revision:B 代理服务技术支持采购服务

无锡紫光微SJ-MOSFET管选型表

无锡紫光微提供SJ-MOSFET管的参数选型，Rdson（mΩ） Vgs=10V FT typ：15.6~2000，Rdson（mΩ） Vgs=10V FT max：18~2200。

产品型号	品类	Product State	封装形式	Rdson（mΩ） Vgs=10V FT typ	Rdson（mΩ） Vgs=10V FT max	BVdss（V） min	BVdss（V） typ	ID（A）	Vth（V）min	Vth（V）max	应用建议
TPW120R800A	SJ-MOSFET	M	TO-247	640	800	1200	1320	12	2.5	4	辅助电源/负载电源/电力操作电源/适配电源

选型表 - 无锡紫光微立即选型

无锡紫光微MOS选型表

无锡紫光微SJ-MOS,Multi-EPI SJ MOS,Trench MOS,DT MOS产品可供选型

产品型号	品类	Package	BVdss(V)	ID(A)Tc=25℃	Vth(V)min	Vth(V)max	Rdson(Ω)Vgs=10Vtyp	Rdson(Ω)Vgs=10Vmax
TPW50R060C	Super Junction MOSFET	TO-247	500	47	2.5	4	0.043	0.06

选型表 - 无锡紫光微立即选型

AKS60N300WMF 600V 30mOhm超级结功率MOSFET规格书

本资料介绍了AKS60N300WMF这款600V 30mΩ Super-Junction Power MOSFET的特性。该器件具有低导通电阻、良好的EMI性能，适用于开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）和功率因数校正（PFC）等领域。

瑶芯微 - SUPER-JUNCTION POWER MOSFET,超结功率MOSFET,AKS60N300WMF,开关模式电源,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY,不间断电源,UPS,SMPS,CUSTOMER APPLICATION,SWITCH MODE POWER SUPPLY,客户申请

2024-03-20 - 数据手册 - REV. 1.5 代理服务技术支持采购服务

AKS60N300WMF-30 600V 26.5mOhm超级结功率MOSFET规格书

本资料为AKS60N300WMF-30型600V 26.5mΩ Super-Junction Power MOSFET的数据手册。该器件提供良好的FOM性能和更好的EMI表现，适用于开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）和功率因数校正（PFC）等领域。

瑶芯微 - SUPER-JUNCTION POWER MOSFET,超结功率MOSFET,AKS60N300WMF,AKS60N300WMF-30,开关模式电源,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY,不间断电源,UPS,SMPS,CUSTOMER APPLICATION,SWITCH MODE POWER SUPPLY,客户申请

2024-03-04 - 数据手册 - REV. 1.0 代理服务技术支持采购服务

【产品】TO-220F封装的650V的超结功率MOSFET TPA65R190MFD，导通电阻最大仅0.19Ω

TPA65R190MFD是无锡紫光微电子推出的漏源电压达650V的超结功率MOSFET，采用TO-220F封装，具有极低的品质因数，通过了100％雪崩测试，符合RoHS标准，同时，该产品具有超快速恢复的体二极管，响应速度快，适用于开关电源、不间断电源和功率因数校正。

2019-10-19 - 新产品代理服务技术支持采购服务

MCR65B260CTB MCR65B260CTF MCR65B 260CT N沟道多层外延超结功率MOSFET

本资料介绍了MCR65B260CTB/CTF/CT型号的多层外延超结功率MOSFET的特性。该器件采用新技术，具有低导通电阻和传导损耗，适用于高电压应用。它通过了100%雪崩测试，符合ROHS标准。

沃尔德 - N-CHANNEL MULTILAYER EPITAXIAL SUPER JUNCTION POWER MOSFET,N沟道多层外延超结功率MOSFET,MCR65B260CTB,MCR65B260CT,MCR65B260CTF,SWITCHED MODE POWER SUPPLIES,开关模式电源,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY,不间断电源,UPS,SMPS

10-JUN-2021 - 数据手册 - Rev 1.0 代理服务技术支持采购服务查看更多版本

【产品】瑶芯微推出超结功率MOSFET AKS65N6K0FM，漏源电压最大额定值高达650V，EMI特性更优

瑶芯微推出型号为AKS65N6K0FM的超结功率MOSFET，该器件能为客户应用提供良好的FOM性能，特别对于SMPS（开关电源）应用具有更优的EMI（电磁干扰）特性。

2023-02-03 - 产品代理服务技术支持采购服务

【产品】650V/30A的超结功率MOSFET TPB/P/W65R135MFD，具有极低FOM

超结功率MOSFET是一种革命性的高压功率MOSFET技术，是根据SJ原理设计的。TPB65R135MFD、TPP65R135MFD、TPW65R135MFD这三款超结功率MOSFET是由无锡紫光微电子公司设计，可用于开关电源、不间断电源、功率因数校正、LLC半桥、充电器等应用。

2020-04-07 - 新产品代理服务技术支持采购服务

CSSC70M300CFD 700V超结功率MOSFET

本资料介绍了CSSC70M300CFD型号的700V Super-Junction Power MOSFET的特性、规格和应用。该器件具有非常低的导通电阻和快速体二极管，适用于开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）和功率因数校正（PFC）等领域。

国科赛思 - SUPER-JUNCTION POWER MOSFET,超结功率MOSFET,CSSC70M300CFD,RESONANT SWITCHING STAGES,谐振开关级,开关模式电源,功率因素矫正,全氟化碳,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY,POWER FACTOR CORRECTION,不间断电源,UPS,SMPS,PFC,SWITCH MODE POWER SUPPLY

2022/7/23 - 数据手册 - Ver1.1 代理服务技术支持采购服务