【产品】650V超结功率MOSFET TPA/B/C/D/P/U65R280D，具有极低FOM
超结功率 MOSFET（Super Junction MOSFET）是一种新型功率器件，采用基于电荷平衡的器件结构，导通电阻明显下降。在应用中可减小系统功率损耗并提高其转换效率，目前是电源领域最有生命力的功率器件。无锡紫光微电子有限公司致力于成为中国先进的 SJ MOSFET 供应商。TPA65R280D、TPB65R280D、TPC65R280D、TPD65R280D、TPP65R280D、TPU65R280D是无锡紫光微电子的650V超级结功率MOSFET。
图一.6款超级结功率MOSFET外观、封装、内部电路
6款超结功率MOSFET特点：
•极低的FOM （RDS(on)╳Qg）
•100%雪崩测试
•符合ROHS标准
6款超结功率MOSFET应用：
•开关电源(SMPS)
•不间断电源(UPS)
•功率因数校正(PFC)
6款超结功率MOSFET封装与丝印代码：
图二.器件封装与丝印代码
6款超结功率MOSFET最大额定值与热特性：
图三.最大额定值
图四.热阻
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无锡紫光微MOS管选型表
无锡紫光微提供以下DT MOS，Multi-EPI Super Junction MOSFET，N-Channel DTMOS，N-Channel Trench MOSFET，P-Channel Trench MOSFET，P-Channel Trench MOSFET，Super-Junction Power MOSFET和Trench MOS的参数选型，ID(A)：1~180；RDS(ON)(mΩ)@VGS=10V Typ(Ω)：1.3~1290；RDS(ON)(mΩ)@VGS=10V Max(Ω)：1.8~1540。
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产品型号
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品类
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V(BR)DSS(V)
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ID(A)
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RDS(ON)(mΩ)@VGS=10V Typ(Ω)
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RDS(ON)(mΩ)@VGS=10V Max(Ω)
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V(GS)thmin(V)
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V(GS)thmax(V)
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Ciss(pF)
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Qg(nC)
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封装
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TTD30N10AT
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N-Channel Trench MOSFET
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100
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20
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22
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27
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1
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2.4
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4529
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37
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TO-252
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选型表 - 无锡紫光微 立即选型
无锡紫光微SJ-MOSFET管选型表
无锡紫光微提供SJ-MOSFET管的参数选型，Rdson（mΩ） Vgs=10V FT typ：15.6~2000，Rdson（mΩ） Vgs=10V FT max：18~2200。
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产品型号
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品类
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Product State
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封装形式
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Rdson（mΩ） Vgs=10V FT typ
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Rdson（mΩ） Vgs=10V FT max
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BVdss（V） min
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BVdss（V） typ
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ID（A）
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Vth（V）min
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Vth（V）max
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应用建议
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TPW120R800A
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SJ-MOSFET
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M
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TO-247
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640
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800
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1200
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1320
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12
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2.5
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4
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辅助电源/负载电源/电力操作电源/适配电源
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选型表 - 无锡紫光微 立即选型
无锡紫光微MOS选型表
无锡紫光微SJ-MOS,Multi-EPI SJ MOS,Trench MOS,DT MOS产品可供选型
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产品型号
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品类
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Package
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BVdss(V)
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ID(A)Tc=25℃
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Vth(V)min
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Vth(V)max
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Rdson(Ω)Vgs=10Vtyp
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Rdson(Ω)Vgs=10Vmax
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TPW50R060C
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Super Junction MOSFET
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TO-247
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500
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47
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2.5
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4
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0.043
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0.06
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TPA80R300A,TPP80R300A,TPR80R300A 800V Super-junction Power MOSFET
型号- TPA80R300A,TPP80R300A,TPR80R300A
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电子商城
现货市场
服务
可定制ATP TE Cooler的冷却功率：40~200W；运行电压：12/24/48V(DC)；控温精度：≤±0.1℃； 尺寸：冷面：20*20~500*300；热面：60*60~540*400 （长*宽；单位mm）。
最小起订量： 1 提交需求>
可来图定制热管最薄打扁厚度0.35±0.05mm；笔电D8热管打扁厚度1.0mm，可解40W热量；高功率D10热管可解60W热量。
最小起订量： 10000 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
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