【产品】600V超级结功率MOSFET TPA/TPP/TPV/TPW60R160M ,可应用于开关模式电源

时间： 2019-11-21 来源：无锡紫光微电子

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超级结功率MOSFET,SJ-Multiepi MOS,TPA60R160M,TPW60R160M

超结功率MOSFET是根据SJ原理设计的高压功率MOSFET的革命性技术。 SJ MOSFET是由无锡Unigroup Microelectronics公司设计的，性能优化的产品，能够满足消费和照明市场中对成本敏感的应用。无锡紫光微推出的TPA60R160M，TPP60R TPA60R160M，TPP60R160M，TPV60R160M，TPW60R160M 160M，TPV60R160M，TPW60R160M是4款600V超级结功率MOSFET，分别采用了TO-220F, TO-220,TO-3PN和TO-247封装。产品符合RoHS标准，可应用于开关模式电源(SMPS)，不间断电源(UPS)，功率因数校正(PFC)等领域。

产品特点：

•极低FOM RDS(on) x Qg

•100%雪崩测试

•符合RoHS标准

产品应用：

•开关模式电源(SMPS)

•不间断电源(UPS)

•功率因数校正(PFC)

器件的的封装和内部电路：

器件的工作结温和存储温度范围均为-55~150℃，可以在严苛的温度环境下工作。漏源电压最大额定值为600V，栅源电压最大额定值为±30V，脉冲漏极电流最大额定值为60A，重复雪崩能量最大额定值为0.63mJ。连续漏极电流在25℃时最大额定值为20A，在100℃时最大额定值为12A。单脉冲雪崩能量最大额定值为418mJ，雪崩电流最大额定值为3.4A，具有较好的抗浪涌性。TPA60R160M型的功耗最大额定值为34W，其余三款的功耗最大额定值均为151W。

器件标记和封装信息：

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TPW50R060C	Super Junction MOSFET	TO-247	500	47	2.5	4	0.043	0.06

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产品型号	品类	Product State	封装形式	Rdson（mΩ） Vgs=10V FT typ	Rdson（mΩ） Vgs=10V FT max	BVdss（V） min	BVdss（V） typ	ID（A）	Vth（V）min	Vth（V）max	应用建议
TPW120R800A	SJ-MOSFET	M	TO-247	640	800	1200	1320	12	2.5	4	辅助电源/负载电源/电力操作电源/适配电源