【产品】2A/100V N沟道增强型MOSFET CXDM1002N，采用符合行业标准SOT-89封装
Central半导体公司推出的CXDM1002N是一款2.0安培、100伏N沟道增强型MOSFET，它采用符合行业标准SOT-89封装方式，为产品设计节省了空间。器件具有高电流、低能效、低RDS（ON）和极低的栅极电荷等优势，专为电机控制、DC-DC转换和继电器驱动应用而设计。其输出特性如图一所示。
图一：CXDM1002N输出特性曲线
CXDM1002N的导通电阻RDS（ON）最大值为300mΩ，典型值仅为125mΩ（@VGS=10V，ID=2.0A），这代表器件拥有较低的损耗，可减少自身发热。它的热阻JA最大值为104℃/W，有较低的能量损耗，功耗最大值为1.2W，有效的提高了能源利用效率。器件允许的操作和存储的温度范围为-55℃~150℃，能够适应恶劣的工作环境。
CXDM1002N的输入电容Ciss为550pF（TYP），反向传输电容Crss为48pF（TYP），栅极电荷Qgs 典型值为1.2nC，有着较好的开关性能。连续漏极电流ID（25℃时）最大值为2.0A，栅源电压VGS（th）在1.5V-2.5V间，有着较低的控制电压，能够减化电路设计。此外，器件拥有2kV ESD静电防护，可以满足用户多样化的设计需求。
CXDM1002N的主要特征：
· 低RDS（ON）（最大值为300mΩ）
· 高电流（最大值2.0A）
· 低栅极电荷（典型值为1.2nC）
· ESD保护（2kV）
CXDM1002N的主要应用：
· 电机控制
· 继电器驱动器
· DC-DC转换器
图二：CXDM1002N样品示意图
技术顾问：刘一分
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