【产品】2A/100V N沟道增强型MOSFET CXDM1002N，采用符合行业标准SOT-89封装
Central半导体公司推出的CXDM1002N是一款2.0安培、100伏N沟道增强型MOSFET，它采用符合行业标准SOT-89封装方式，为产品设计节省了空间。器件具有高电流、低能效、低RDS（ON）和极低的栅极电荷等优势，专为电机控制、DC-DC转换和继电器驱动应用而设计。其输出特性如图一所示。
图一：CXDM1002N输出特性曲线
CXDM1002N的导通电阻RDS（ON）最大值为300mΩ，典型值仅为125mΩ（@VGS=10V，ID=2.0A），这代表器件拥有较低的损耗，可减少自身发热。它的热阻JA最大值为104℃/W，有较低的能量损耗，功耗最大值为1.2W，有效的提高了能源利用效率。器件允许的操作和存储的温度范围为-55℃~150℃，能够适应恶劣的工作环境。
CXDM1002N的输入电容Ciss为550pF（TYP），反向传输电容Crss为48pF（TYP），栅极电荷Qgs 典型值为1.2nC，有着较好的开关性能。连续漏极电流ID（25℃时）最大值为2.0A，栅源电压VGS（th）在1.5V-2.5V间，有着较低的控制电压，能够减化电路设计。此外，器件拥有2kV ESD静电防护，可以满足用户多样化的设计需求。
CXDM1002N的主要特征：
· 低RDS（ON）（最大值为300mΩ）
· 高电流（最大值2.0A）
· 低栅极电荷（典型值为1.2nC）
· ESD保护（2kV）
CXDM1002N的主要应用：
· 电机控制
· 继电器驱动器
· DC-DC转换器
图二：CXDM1002N样品示意图
技术顾问：刘一分
世强元件电商版权所有，转载请注明来源及链接。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 7
本网站所有内容禁止转载，否则追究法律责任！
评论
全部评论（7）
-
![]()
![]()
Sheeran Yang Lv4. 资深工程师 2018-09-19值得学习 -
![]()
用户18396822 Lv8 2018-04-30好东西 -
![]()
![]()
小蛮大人 Lv9. 科学家 2018-02-07厉害 -
![]()
![]()
我的名字 Lv7. 资深专家 2017-12-30学习 -
![]()
![]()
BATI Lv7. 资深专家 2017-12-02学习一下 -
![]()
![]()
天南星 Lv7. 资深专家 2017-11-17学习一下 -
![]()
![]()
大头虾 Lv6. 高级专家 2017-11-16学习一下
相关推荐
【产品】阈值电压为0.6V~0.9V的N沟道增强型MOSFET，导通电阻为3.0Ω
CEDM7001是CENTRAL半导体公司推出的一款N沟道增强型MOSFET，功耗仅为100mW，有利于降低电路设计时的总功耗。该产品采用小型无铅化表面贴装封装，并采用N通道DMOS工艺制造，可为高速脉冲放大器和驱动器应用而设计，主要用于负载/电源开关，DC-DC转换器，电池供电的便携式设备领域。
新产品 发布时间 : 2018-07-06
【产品】硅N/P沟道互补的CMLDM3757增强型MOSFET，专为高速脉冲放大器和驱动器应用而设计
Central Semiconductor公司推出了CMLDM3757表面安装型硅N沟道和P沟道互补增强型MOSFET。其漏源电压为20V，门极-源级电压为8V，漏极电流为540mA（N沟道类型）和430mA（P沟道类型），峰值漏极电流为1500mA（N沟道类型）和750mA（P沟道类型），额定功率损耗最低为150mW。专为高速脉冲放大器和驱动器应用而设计。
新产品 发布时间 : 2018-10-18
【产品】N沟道增强型MOSFET CMUDM7004，与CMUDM8004 P沟道增强型MOSFET互补
Central 的CMUDM7004 具有低栅极门槛电压0.5V，导通阻抗0.39Ω， ESD防护电压2kV，栅极总电荷0.15nC，应用在高速脉冲放大器、开关电源、供电变换器电路、电源管理、电机控制等产品中。与同系列的P沟道增强型MOSFET器件CMUDM8004紧密匹配。使它们成为了一对互补应用场合的理想MOSFET。
新产品 发布时间 : 2017-10-31
N沟道增强型MOSFET SK254N03AD，漏极导通电阻不超过1mΩ，连续漏极电流为254A
在设计各类电源产品时，工程师们通常需要面对提升工作效率、减少器件发热以及保持稳定运行等方面的问题。为解决这些问题，時科推出了SK254N03AD，一款N沟道增强模式的低阻抗MOSFET。该器件在满足各种需求的同时，为电源领域的工程师提供了高效的解决方案。
原厂动态 发布时间 : 2023-12-21
【产品】20V，100m的超薄N沟道/P沟道增强型MOSFET CEDM7001VL和CEDM8001VL
CEDM7001VL（N沟道）和CEDM8001VL（P沟道）是Central半导体公司推出的采用超薄SOT-883VL封装的增强型MOSFET。器件拥有较低的导通电阻，MOSFET能够提供低rDS（ON）和低栅极电荷。它设计用于空间受限的高速放大器和驱动器应用。
新产品 发布时间 : 2017-11-12
【产品】高电流、高能效的N沟道增强型MOSFET，能量敏感型应用理想选择
Central的CMPDM203NH是一款SOT-23F封装的N沟道增强型MOSFET，是需要更高漏极电流的能量敏感型应用的理想选择。
新产品 发布时间 : 2017-10-17
电子商城
现货市场
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可定制位移传感器量程范围10~600mm，该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐，每毫米的变化量误差不超过3ue/mm，可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标：非线性<0.2%；供桥电压<10v；测试精度：0.01mm。
最小起订量： 1 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论