【方案】Memory及其controller芯片整体测试方案（上）
如果你最近想买手机，没准儿你一看价格会被吓到手机什么时候偷偷涨价啦！其实对于手机涨价，手机制造商也是有苦难言，其中一个显著的原因是存储器芯片价格的上涨。
存储器memory的江湖地位
存储器memory，是电子设备的基础核心部件之一，全球memory市场规模约700亿美元，在全球3352亿美元的集成电路产业中，占据23%的份额。
随着今年存储器价格的飙涨，各大memory厂商赚得盆满钵满，甚至把memory称为印钞机也丝毫不为过。与此同时，存储器在真金白银的交换中，也充分证明了自己在电子信息产业江湖中的地位。
存储器的分类
存储介质的形式有很多种，从穿孔纸卡、磁鼓、磁芯、磁带、磁盘，到半导体DRAM内存，以及SD卡，固态硬盘、SSD、闪存等各种存储介质。
存储器大致可以分为掉电易失性（VolatileMemory）和非掉电易失性（Non-volatilememory）。
目前全球存储器市场最大的集中在DRAM、NANDFlash、NORFlash三大类。这三类存储器，主要用在哪里呢？以手机举例--
DRAM
4GB就是内存部分，DRAM，用来存放当前正在执行的数据和程序，例如屏幕前的你正在刷的微信；
NANDFLASH
64GB就是闪存部分，NANDFLASH，用来存放长期信息，例如各位宝宝的美颜美照，你的聊天记录，还有其他……当然了，也正是因为我们存的东西越来越多，二维空间已经无法存放这么多的信息，生生逼着NAND走向了三维空间，也就是3DNAND。
▲3DNAND的构造就像一个摩天大楼
此外，一些新型的存储器也在研究的过程中，例如磁阻式RAM（MRAM--ST-MRAM、STT-MRAM）、电阻式RAM（ReRAM），PRAM、FeRAM等。
了解了Memory的庞大家族，和主要成员之后，我们回到老本行，来研究一下memory的测试方法。按照Memory的设计制造workingflow及其辅助电路，测试环节大致分为以下几个部分：
Celllevel--designandmodeling单元设计、评估及建模
Waferlevel-acceptancetest代工厂晶圆级自动化测试
Chiplevel--Protocolvalidation芯片级协议分析
ControllerIC-Interfacemeasurement控制芯片接口测试
Modulelevel以SSD为例
接下来我们分上、下两篇分别讲解这5个部分的详细测试方法和测试方案
第一部分
TypicalCellevaluationofNVM-flashmemory
当前主流的NVM由于读写速度快，测试序列复杂，因此在测试时需要
Highpulsequality高质量的脉冲
Complexwaveformgeneration复杂的信号生成
Higherthroughput高吞吐率
典型的memorycell测试主要分为3部分：
1、Write/Erasepulsewidthdependency
2、Endurancetest
3、Disturbtest
1
Write/Erasepulsewidthdependency
流程如下
问题1-a）脉冲波形失真
根据以上测试流程，首先我们的工程师编写程序写进一个理想脉冲。
然而由于传输线的多重反射及电感效应，实际测试脉冲已经引入了失真：
问题1-b）复杂的时序图生成
时钟的同步、延时、脉宽、上升下降沿，都是要考虑的因素
2
EnduranceTest的流程如下
问题2-a）超长疲劳测试时间
Issue2-b）还是波形产生的问题，在疲劳测试中需要为memorycell注入多电压信号脉冲，以测试memory的性能
3
Disturbtest
Issue3-a）测试设备的灵活性，例如：在两个cell上同时加压，一个为工作单元，一个为干扰单元
Issue3-b）要求比较高的电压加速degradation（e.g.>40VforNAND）
总结以上部分，可得在存储器单元主要三种功能测试中，主要的测试挑战如下
面对如此错综复杂的考量，正确的方法，是使用KEYSIGHTHV-SPGUmoduleinB1500A（HighVoltageSemiconductorPulseGeneratorUnit），这是基于Keysight半导体参数分析仪（也就是Tracer）B1500A的高压脉冲产生单元，它可以产生±40V的电压脉冲，用于memorycell的disturbtest。
从正面面板，可以看到这一个可配置于B1500A的模块，每个模块有两个channel，也就是说对于5插槽的B1500A，最高可以配置10个channel。
除了高压、通道数之外，我们接下来来了解一下它在复杂波形生成、超高脉冲精度、以及测试软件等方面的能力，看它是如何在方方面面满足memorycell测试的全部要求。
看精度
如此好的精度，带来的直接好处，就是脉冲建立时，overshoot和振铃都非常小，来看几种电压和建立时间的组合：
▲Ttransient=20ns；Vamp=10V
▲Ttransient=20ns；Vamp=20V
▲Ttransient=30ns；Vamp=40V
看测试场景
33种测试场景，贴心内置
看速度：
Estimatedtesttime
foronemillioncycleendurancetest
20倍加速，再也不用等待那么长的时间。
第二部分
On-wafermassiveparametrictestformemory
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 1
本网站所有内容禁止转载，否则追究法律责任！
相关研发服务和供应服务
相关推荐
【应用】Keysight B1500A半导体器件参数分析仪成为半导体制造商RTN测量的标准解决方案
在现代半导体工艺中，随机电报噪声(RTN)现象已经成为影响器件可靠性的一个关键参数。测量RTN还需要能够快速测量电流的设备(以纳秒为单位)，并且有足够的存储空间来记录数十万甚至数百万的数据点。Keysight应用工程师与半导体制造商的测试工程师一起开发自动化RTN测试解决方案：安装了WGFMU模块的Keysight B1500A半导体器件参数分析仪，客户已有的远程控制B1500A测试框架的驱动
到铁电存储器64 K (8 K × 8) 位 SPI MB85RS64 数据手册
描述- MB85RS64是一款64K位（8K×8）位的铁电随机存取存储器（FRAM），采用串行外设接口（SPI）进行通信。它具有高耐用性，可达1012次读写操作，并且无需备用电池即可保持数据。该产品适用于多种电子设备，具有良好的功耗和环境适应性。
型号- MB85RS64,MB85RS64PNF-G-JNERE1,MB85RS64PNF-G-JNE1
铁电存储器16 K (2 K × 8) 位 I2C MB85RC16 数据手册
描述- MB85RC16是一款16K（2K x 8）位的铁电随机存取存储器（FRAM），具备高耐用性、低功耗和快速读写等特点。它通过I2C接口与微控制器通信，支持多种读写操作，适用于各种电子设备。
型号- MB85RC16PNF-G-JNE1,MB85RC16PNF-G-JNERE1,MB85RC16,MB85RC16PN-G-AMERE1
EEPROM存储器：实现数据持久化存储的关键组件
在计算机系统中，存储器是用于存储数据和程序指令的关键部件。其中，EEPROM（电可擦除可编程只读存储器）作为一种非易失性存储器，具有数据持久化存储的特点，广泛应用于各种电子设备中。为了让您更好地了解EEPROM存储器，本文将为您详细介绍EEPROM存储器的原理、特点及应用，并推介芯伯乐品牌的EEPROM产品。
【产品】16M伪静态随机存储器（PSRAM）AS1C1M16P-70BIN，助力移动电子设备应用
Alliance公司推出的AS1C1M16P-70BIN是使用DRAM型存储单元的16,777,216位伪SRAM，但该器件具有无刷新操作和极低功耗技术。 此外，该接口兼容低功耗异步型SRAM。
芯伯乐Eeprom存储器作用解析与优势探讨
EEPROM，即电可擦除可编程只读存储器，是一种非易失性存储器件。它具有存储和保留数据的能力，即使设备断电，数据依然能够得以保留。因此，Eeprom存储器被广泛应用于各类需要长时间保存数据的电子设备，如计算机、智能手机、嵌入式系统等。本文将深入剖析原厂品牌芯伯乐Eeprom存储器的作用，并详细探讨其所具备的优势。
存储行业热点信息与新品信息：台北电脑展新品登场；24Q1 NAND厂商营收排行公布；耐600℃高温存储器问世
AI产业的高速发展，不仅为商业运营与终端客户的使用习惯带来改变，也为与AI息息相关的半导体产业注入了新的活力和需求。如今，AI对半导体产业链的带动作用已经逐渐深入到了存储行业，带来全新的业务增长点与技术发展新方向。“宇”时俱进，“瞻”行业动态，本文中就让宇瞻带大家了解近期行业热点信息与新品信息吧。
到铁电存储器16 K (2 K × 8) 位 SPI MB85RS16 数据手册
描述- MB85RS16是一款16K位（2K×8）位的铁电随机存取存储器（FRAM），采用串行外设接口（SPI）进行通信。它具有高耐用性、低功耗和数据保持时间长等特点，适用于各种电子设备。
型号- MB85RS16PNF-G-JNE1,MB85RS16,MB85RS16PNF-G-JNERE1
8M（1024 k×8）位SPI MB85AS8MT存储器ReRAM富士通半导体存储器解决方案数据表
描述- 本资料介绍了富士通半导体公司生产的MB85AS8MT电阻随机存取存储器（ReRAM）芯片。该芯片采用串行外设接口（SPI），具有1兆位（1048576字×8位）的存储容量，支持高达1百万次的重写操作。它能够在不使用备用电池的情况下保留数据，适用于各种电子设备。
型号- MB85AS8MT,MB85AS8MTPW-G-KBAERE1,MB85AS8MTPF-G-KBERE1,MB85AS8MTPW-G-KBCERE1,MB85AS8MTPW-G-KBBERE1
XT61M4G8D2TA-B8Bxx 4GB（512M X 8）NAND闪存+2GB（64M X 32）低功耗DDR2 SDRAM NAND MCP规格
描述- 本资料介绍了XT61M4G8D2TA-B8Bxx型多芯片封装（MCP）内存模块，该模块集成了4Gb NAND闪存和2Gb低功耗DDR2 SDRAM。它适用于便携式电子设备的数据存储，旨在减少尺寸并降低功耗。
型号- XT61M4G8D2TA-B8BIA,XT61M4G8D2TA-B8BEA,XT61M4G8D2TA-B8BIT,XT61M4G8D2TA-B8BXX,XT61M4G8D2TA-B8BET
A25CM02存储器EEPROM 2M位（262144x8）SPI总线
描述- 该资料介绍了A25CM02型EEPROM芯片的技术规格和应用。它是一种电擦除可编程只读存储器，采用SPI总线接口，容量为2M位（262144x8），适用于多种电子设备。
型号- A25CM02,A25CM02-5,A25CM02M8VR-YZ,A25CM02-2,A25CM02-B,A25CM02M8R-YZ,A25CM02-A,A25CM02G8VR-YZ,A25CM02-C,A25CM02G8R-YZ
NAND MCP规格1GB（128M X 8）NAND闪存+1GB（32M X 32）低功耗DDR2 SDRAM
描述- 本资料介绍了XT61M2G8C2TA-B8Bxx芯片，该芯片集成了2Gb（256M x 8）NAND闪存和1Gb（32M x 32）低功耗DDR2 SDRAM。它适用于便携式电子设备的数据存储需求，旨在减少尺寸并降低功耗。
型号- XT61M1G8C2TM-B8BEA,XT61M1G8C2TM-B8BXX
语音芯片外挂Flash存储器的优缺点介绍
在电子设备中，语音芯片是一种重要的组件，用于存储和播放语音信息。然而，随着技术的发展和应用的多样化，传统的语音芯片已经无法满足一些复杂的应用需求。因此，外挂Flash成为了语音芯片的一种常见解决方案。本文将详细探讨语音芯片为什么要外挂Flash。
XT61M2G8D2TA-B8Bxx 2GB（256M X 8）NAND闪存+2GB（64M X 32）低功耗DDR2 SDRAM NAND MCP规格
描述- 本资料介绍了XT61M2G8D2TA-B8Bxx芯片，该芯片集成了2Gb（256M x 8）NAND闪存和2Gb（64M x 32）低功耗DDR2 SDRAM。它适用于便携式电子设备的数据存储，旨在减少尺寸并降低功耗。
型号- XT61M2G8D2TA-B8BIA,XT61M2G8D2TA-B8BXX,XT61M2G8D2TA-B8BET,XT61M2G8D2TA-B8BEA,XT61M2G8D2TA-B8BIT
铁电存储器256 K (32 K × 8) 位 I2C MB85RC256V 数据手册
描述- 本文档介绍了富士通半导体生产的MB85RC256V铁电随机存取存储器（FRAM）。该产品具有高耐用性、低功耗和非易失性等特点，适用于各种电子设备的数据存储需求。
型号- MB85RC256VPNF-G-JNE1,MB85RC256VPNF-G-JNERE1,MB85RC256VPF-G-JNERE2,MB85RC256V,MB85RC256VPF-G-JNE2
电子商城
现货市场
服务
可定制丙烯酸酯胶粘剂的粘度范围：250~36000 mPa·s，硬度范围：50Shore 00~85Shore D，其他参数如外观颜色，固化能量等也可按需定制。
最小起订量： 1 提交需求>
可定制环氧胶的粘度范围：9000~170000 mPa·s；固化方式：可加热、仅室温、可UV；其他参数如外观颜色、硬度等也可按需定制。
最小起订量： 1支 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论