【方案】Memory及其controller芯片整体测试方案（上）
如果你最近想买手机，没准儿你一看价格会被吓到手机什么时候偷偷涨价啦！其实对于手机涨价，手机制造商也是有苦难言，其中一个显著的原因是存储器芯片价格的上涨。
存储器memory的江湖地位
存储器memory，是电子设备的基础核心部件之一，全球memory市场规模约700亿美元，在全球3352亿美元的集成电路产业中，占据23%的份额。
随着今年存储器价格的飙涨，各大memory厂商赚得盆满钵满，甚至把memory称为印钞机也丝毫不为过。与此同时，存储器在真金白银的交换中，也充分证明了自己在电子信息产业江湖中的地位。
存储器的分类
存储介质的形式有很多种，从穿孔纸卡、磁鼓、磁芯、磁带、磁盘，到半导体DRAM内存，以及SD卡，固态硬盘、SSD、闪存等各种存储介质。
存储器大致可以分为掉电易失性（VolatileMemory）和非掉电易失性（Non-volatilememory）。
目前全球存储器市场最大的集中在DRAM、NANDFlash、NORFlash三大类。这三类存储器，主要用在哪里呢？以手机举例--
DRAM
4GB就是内存部分，DRAM，用来存放当前正在执行的数据和程序，例如屏幕前的你正在刷的微信；
NANDFLASH
64GB就是闪存部分，NANDFLASH，用来存放长期信息，例如各位宝宝的美颜美照，你的聊天记录，还有其他……当然了，也正是因为我们存的东西越来越多，二维空间已经无法存放这么多的信息，生生逼着NAND走向了三维空间，也就是3DNAND。
▲3DNAND的构造就像一个摩天大楼
此外，一些新型的存储器也在研究的过程中，例如磁阻式RAM（MRAM--ST-MRAM、STT-MRAM）、电阻式RAM（ReRAM），PRAM、FeRAM等。
了解了Memory的庞大家族，和主要成员之后，我们回到老本行，来研究一下memory的测试方法。按照Memory的设计制造workingflow及其辅助电路，测试环节大致分为以下几个部分：
Celllevel--designandmodeling单元设计、评估及建模
Waferlevel-acceptancetest代工厂晶圆级自动化测试
Chiplevel--Protocolvalidation芯片级协议分析
ControllerIC-Interfacemeasurement控制芯片接口测试
Modulelevel以SSD为例
接下来我们分上、下两篇分别讲解这5个部分的详细测试方法和测试方案
第一部分
TypicalCellevaluationofNVM-flashmemory
当前主流的NVM由于读写速度快，测试序列复杂，因此在测试时需要
Highpulsequality高质量的脉冲
Complexwaveformgeneration复杂的信号生成
Higherthroughput高吞吐率
典型的memorycell测试主要分为3部分：
1、Write/Erasepulsewidthdependency
2、Endurancetest
3、Disturbtest
1
Write/Erasepulsewidthdependency
流程如下
问题1-a）脉冲波形失真
根据以上测试流程，首先我们的工程师编写程序写进一个理想脉冲。
然而由于传输线的多重反射及电感效应，实际测试脉冲已经引入了失真：
问题1-b）复杂的时序图生成
时钟的同步、延时、脉宽、上升下降沿，都是要考虑的因素
2
EnduranceTest的流程如下
问题2-a）超长疲劳测试时间
Issue2-b）还是波形产生的问题，在疲劳测试中需要为memorycell注入多电压信号脉冲，以测试memory的性能
3
Disturbtest
Issue3-a）测试设备的灵活性，例如：在两个cell上同时加压，一个为工作单元，一个为干扰单元
Issue3-b）要求比较高的电压加速degradation（e.g.>40VforNAND）
总结以上部分，可得在存储器单元主要三种功能测试中，主要的测试挑战如下
面对如此错综复杂的考量，正确的方法，是使用KEYSIGHTHV-SPGUmoduleinB1500A（HighVoltageSemiconductorPulseGeneratorUnit），这是基于Keysight半导体参数分析仪（也就是Tracer）B1500A的高压脉冲产生单元，它可以产生±40V的电压脉冲，用于memorycell的disturbtest。
从正面面板，可以看到这一个可配置于B1500A的模块，每个模块有两个channel，也就是说对于5插槽的B1500A，最高可以配置10个channel。
除了高压、通道数之外，我们接下来来了解一下它在复杂波形生成、超高脉冲精度、以及测试软件等方面的能力，看它是如何在方方面面满足memorycell测试的全部要求。
看精度
如此好的精度，带来的直接好处，就是脉冲建立时，overshoot和振铃都非常小，来看几种电压和建立时间的组合：
▲Ttransient=20ns；Vamp=10V
▲Ttransient=20ns；Vamp=20V
▲Ttransient=30ns；Vamp=40V
看测试场景
33种测试场景，贴心内置
看速度：
Estimatedtesttime
foronemillioncycleendurancetest
20倍加速，再也不用等待那么长的时间。
第二部分
On-wafermassiveparametrictestformemory
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