【产品】漏源电压为750V的SiC FET，其漏源导通电阻的典型值为11mΩ

时间： 2022-01-20 来源：UnitedSiC

UnitedSiC推出的UJ4SC075011K4S是一款 750V、11mΩ G4 SiC FET。该器件采用了一个独特的“共源共栅”电路配置，将常开型SiC JFET与Si MOSFET共同封装在一起，从而构建出常关型SiC FET器件。该器件的标准栅极驱动特性能够实现对Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET或Si超结器件的真正“直接替代”。该器件采用TO-247-4L 封装，具有超低栅极电荷和出色的反向恢复特性，使其成为开关感性负载以及任何需要标准栅极驱动应用的理想选择。该产品的实物图和等效电路图如下。

产品特征

• 导通电阻R_DS(on)：11mΩ（典型值）

• 工作温度：175°C（最大值）

• 出色的反向恢复特性：Q_rr = 288nC

• 低体二极管正向电压 V_FSD：1.1V

• 低栅极电荷：Q_G=75nC

• 阈值电压 V_G(th)：4.5V（典型值），支持0~15V驱动

• 低本征电容

• ESD保护，HBM 2 级

• 采用TO-247-4L封装，可实现更快的开关特性和干净的栅极波形

最大额定值

热阻特性

产品应用

• 电动汽车充电

• 光伏逆变器

• 开关电源

• 功率因数校正模块

• 电机驱动

• 感应加热

产品订购信息

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本指南提供了使用RC阻尼器与快速切换SiC器件的实用解决方案和指导原则。内容包括阻尼器设计指南、Snubber规则、BOM表格以及相关注意事项。指南通过实验验证了阻尼器的效果，并分析了硬开关和软开关应用中的有益影响。

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本指南提供了使用RC阻尼器与快速开关SiC器件的实际解决方案和指导。通过实验双脉冲测试（DPT）结果验证了该解决方案。阻尼器损耗被精确测量，以帮助用户计算阻尼电阻的功率等级。分析了阻尼器在硬开关和软开关应用中的有益影响。附带的“使用阻尼器开关快速SiC FET”应用笔记可在https://unitedsic.com/wp-content/uploads/appnotes/Snubber%20AppNotes_V8.pdf找到。指南中包含了基本假设、阻尼器规则、BOM清单和注意事项。

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