【产品】内置ESD防护的60V/250mA N沟道增强型MOSFET 2N7002KDW-AU
PANJIT（强茂）推出了2N7002KDW-AU为N沟道增强型MOSFET且内置ESD防护。采用SOT-363封装，其中漏-源电压最大额定值为60V，连续漏极电流最大额定值为250mA。
图1 封装图
2N7002KDW-AU N沟道增强型MOSFET特性：
· RDS(ON), VGS@10V, ID@500mA<3Ω
· RDS(ON), VGS@4.5V, ID@200mA<4Ω
· 先进的沟槽技术
· 高密度单元设计，超低的导通电阻
· 关断状态下，极低漏电流
· 专为电池驱动系统、固态继电器驱动:继电器、显示器、存储器等设计
· 2KV HBM ESD 防护
· 符合AEC-Q101标准
· 无铅，符合欧盟RoHS 2.0标准
· 绿色环保塑封，符合IEC 61249标准
2N7002KDW-AU N沟道增强型MOSFET最大额定值和热特性：
2N7002KDW-AU电气特性：
2N7002KDW-AU机械参数：
外壳：SOT-363封装
端子：可焊性均符合MIL-STD-750标准（方法2026）
重量约为：0.0002盎司，0.006克
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可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可定制位移传感器量程范围10~600mm，该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐，每毫米的变化量误差不超过3ue/mm，可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标：非线性<0.2%；供桥电压<10v；测试精度：0.01mm。
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