【产品】内置ESD防护的60V/250mA N沟道增强型MOSFET 2N7002KDW-AU
PANJIT（强茂）推出了2N7002KDW-AU为N沟道增强型MOSFET且内置ESD防护。采用SOT-363封装，其中漏-源电压最大额定值为60V，连续漏极电流最大额定值为250mA。
图1 封装图
2N7002KDW-AU N沟道增强型MOSFET特性：
· RDS(ON), VGS@10V, ID@500mA<3Ω
· RDS(ON), VGS@4.5V, ID@200mA<4Ω
· 先进的沟槽技术
· 高密度单元设计，超低的导通电阻
· 关断状态下，极低漏电流
· 专为电池驱动系统、固态继电器驱动:继电器、显示器、存储器等设计
· 2KV HBM ESD 防护
· 符合AEC-Q101标准
· 无铅，符合欧盟RoHS 2.0标准
· 绿色环保塑封，符合IEC 61249标准
2N7002KDW-AU N沟道增强型MOSFET最大额定值和热特性：
2N7002KDW-AU电气特性：
2N7002KDW-AU机械参数：
外壳：SOT-363封装
端子：可焊性均符合MIL-STD-750标准（方法2026）
重量约为：0.0002盎司，0.006克
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产品型号
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品类
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Package
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Product Status
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Replacement Part
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AEC-Q101 Qualified
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ESD
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Polarity
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Config.
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VDS(V)
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VGS(±V)
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ID(A)
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RDS(on) Max. (mΩ)(10V)
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RDS(on) Max. (mΩ)(4.5V)
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RDS(on) Max. (mΩ)(2.5V)
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RDS(on) Max. (mΩ)(1.8V)
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RDS(on) Max. (mΩ)(1.5V)
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RDS(on) Max. (mΩ)(1.2V)
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Ciss Typ.(pF)
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VGS(th) Max.(V)
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Qg Typ. (nC)(10V)
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Qg Typ. (nC)(4.5V)
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PJQ1938
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Small Signal MOSFET
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DFN1006-3L
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New Product
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ESD
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N
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Single
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50
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20
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0.6
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1450
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1950
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4000
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6000
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32
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选型表 - PANJIT 立即选型
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电子商城
品牌：PANJIT
品类：ESD Protected N-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格：￥0.2863
现货： 0
品牌：PANJIT
品类：ESD Protected N-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格：￥0.0900
现货： 16,490
品牌：PANJIT
品类：Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格：￥0.1090
现货： 6,465
品牌：PANJIT
品类：Dual N-Channel Enhancement Mode Mosfet
价格：￥0.6648
现货： 5,000
品牌：PANJIT
品类：ESD Protected N-Channel Enhancement Mode MOSFET
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现货： 4,050
品牌：PANJIT
品类：N-Channel Enhancement Mode MOSFET
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品牌：PANJIT
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现货： 3,150
品牌：PANJIT
品类：Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格：￥0.1676
现货： 3,000
品牌：PANJIT
品类：ESD Protected N-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格：￥0.0904
现货： 2,930
品牌：PANJIT
品类：N-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格：￥0.5916
现货： 2,900
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服务
可定制内充多极外充多极，平面多极和内外螺旋型各类充磁产品，多级充磁最多可做256极，通过环氧树脂加入稀土，模具压制支持多尺寸定制，
最小起订量： 1 提交需求>
可定制位移传感器量程范围10~600mm，该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐，每毫米的变化量误差不超过3ue/mm，可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标：非线性<0.2%；供桥电压<10v；测试精度：0.01mm。
最小起订量： 1 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
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