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【元件】EPC新推200V、10mΩ的GaN晶体管EPC2307，采用QFN封装，实现高效灵活电机驱动设计
EPC推出200V、10mΩ的EPC2307，完善了额定电压为100V、150V和200V的6个GaN晶体管系列，提供更高的性能、更小的解决方案和易于设计的DC-DC转换、AC /DC SMPS和充电器、太阳能优化器和微型逆变器，以及电机驱动器。
【产品】无反向恢复时间的高压大电流GaN增强功率晶体管
EPC8002氮化镓增强型功率晶体管反向恢复电荷QRR为0nC,无反向恢复时间，可用于电源设计。
【产品】 GaN增强型大功率晶体管助力高功率密度电源转换
EPC2106氮化镓半桥增强型功率晶体管, 由Q1、Q2两个MOS管构成，更小的板载面积可以为电源转换带来更高的功率密度。
高频24v-to-1v DC-DC转换器使用EPC的氮化镓（galliumnitrin）功率晶体管
描述- 本文介绍了使用EPC的氮化镓（GaN）功率晶体管设计的转换器与传统硅基功率MOSFET相比的优势。EPC的GaN晶体管是新一代功率开关，在速度、开关和静态损耗（Rdson）方面提供了无与伦比的性能，同时具有优异的热特性。文章详细讨论了GaN晶体管在24V至1V直流直流转换器中的应用，包括其高开关速度、低静态和开关损耗、小型化设计以及易于集成的特点。通过实际案例和图表，展示了GaN晶体管在提高系统效率和性能方面的优势。
型号- EPC1014
面向同步整流应用的氮化镓场效应晶体管(eGaN®FET)及集成电路应用简介
描述- 本文介绍了适用于同步整流的氮化镓场效应晶体管（eGaN®FET）及其集成电路的应用范围，包括100W至6kW DC/DC同步整流、服务器、网络通信及电信系统的AC/DC整流、LED和OLED电视的适配器和开关模式电源等。文章强调了采用氮化镓器件的优势，如尺寸小巧、高开关频率、无反向恢复、理想并联特性、优异散热性能和低EMI。同时，提供了eGaN®SR系列产品的参数对比，并展示了不同型号的半桥开发板和应用案例。此外，还提到了针对48V数据中心的高效GaN 1kW DC/DC转换器的设计资源和支持材料。
型号- EPC2212,EPC2057,EPC2214,EPC2059,EPC9003C,EPC2215,EPC2218,EPC2016C,EPC2019,EPC2052,EPC2051,EPC2053,EPC9046,EPC9047,EPC90155,EPC2029,EPC9010C,EPC2021,EPC2020,EPC9014,EPC2022,EPC9097,EPC9098,EPC9099,ЕPC2218,EPC9092,EPC9093,EPC9050,ЕPC2215,EPC9091,EPC9006C,EPC2036,EPC2010C,EPC9001C,EPC2034C,EPC2032,EPC2031,EPC2033,EPC9061,ΕPC2059,EPC9062,EPC2203,EPC9048C,EPC2202,EPC2204,EPC2015C,EPC2207,EPC2206,EPC2007C,EPC9034,EPC9078,EPC9035,EPC2045,EPC90122,EPC90123,EPC9033,EPC90124
EPC2308–增强型功率晶体管数据表
描述- 该资料详细介绍了EPC2308增强型功率晶体管的产品特性、应用领域和设计建议。EPC2308是一款基于氮化镓（GaN）技术的功率晶体管，具有低导通电阻、高开关频率和低开关损耗等特点，适用于高效能转换应用。
型号- EPC2308
使用egallium氮化物®FETs的手机基站信封跟踪电源应用说明
描述- 本文介绍了使用EPC8010高频率eGaN FETs的包络跟踪（ET）电源，适用于LTE无线基站基础设施。该ET电源基于多相、零电压切换（ZVS）同步降压转换器，提供20 MHz大信号带宽，从70 V输入电压输出超过120 W的平均负载功率。在跟踪20 MHz LTE包络时，实现94%的平均总效率。文章详细讨论了高速度栅极驱动器的设计、高频GaN晶体管的应用以及多相拓扑结构的使用，以实现高效能的功率转换。
型号- ISO721MD,SN74LVC2G14,EPC2038,EPC8010,LM5113,EPC8000,TPP1000
USB功率传输的进步：氮化镓技术的效率和高功率密度
描述- 本文探讨了USB技术，特别是USB Power Delivery (USB PD) 3.1规范的演变，以及GaN技术在提高功率传输效率和密度中的作用。文章强调了现代电子设备日益增长的功率需求带来的挑战，并说明了GaN技术如何解决这些挑战。文章以EPC9195为例，展示了高功率密度USB PD充电器的设计，强调了GaN晶体管和模拟控制器在实现高效率和紧凑性方面的优势。实验结果证明了该设计的性能和效率，使其成为需要USB PD 3.1兼容性的下一代电子设备的理想解决方案。
型号- EPC9195,EPC2619,LTC7891
【技术】氮化镓场效应晶体管两种散热方式，你知道么？
EPC场效应晶体管的D2PACK封装具的RθJA值小至18℃/W，而封装SO-8具有RθJA值大到34℃/W。
太阳能应用的氮化镓场效应晶体管和集成电路应用简介
描述- GaN FETs和ICs在太阳能应用中因其高效能、小尺寸、轻重量和长寿命等显著优势而被广泛采用。GaN器件适用于太阳能电池板优化器、微型逆变器、多电平逆变器等，能够提高功率密度，降低开关损耗，并实现更高的效率。与硅MOSFET相比，GaN器件具有更低的导通电阻和开关损耗，更小的尺寸，以及更高的可靠性，适用于宽范围的太阳能系统操作条件。EPC公司提供的GaN器件和解决方案，包括EPC2204、EPC2088、EPC2071等，能够满足不同功率等级和拓扑结构的需求。
型号- EPC2059,EPC2215,EPC2071,EPC23101,EPC23102,EPC23103,EPC2252,EPC90140,EPC23104,EPC90156,EPC90153,EPC2308,EPC2307,EPC90133/,UP1966E,EPC2302,EPC2304,EPC2204,EPC2306,EPC2207,EPC2206,EPC2305,EPC90151,EPC2361,EPC90152,EPC2088,EPC90150,EPC90122,EPC90123,EPC9097,EPC90145,EPC90142,EPC9098,EPC90143,EPC9099,EPC9092,EPC90148,EPC90146,EPC90124,EPC90147,EPC2619
EPC和VIS宣布将共同生产8英寸氮化镓（GaN）功率半导体，显著提升EPC的GaN晶体管和集成电路制造能力
全球领先的氮化镓（GaN）功率FETs和集成电路（IC）厂商EPC和专业IC代工服务提供商世界先进半导体公司（VIS）宣布了一项合作协议，两方将在未来数年内共同生产氮化镓基功率半导体。
【应用】耐辐射的增强型GaN场效应晶体管助力宇航电源应用
GaN在宇航电源应用中，在耐辐噪特性和体积上，相对传统的功率MOS有着绝对的优势，目前也逐渐成为航天应用中功率器件的首选器件。EPC与宇航行业企业一起致力于测试面向宇航及军事应用的高可靠性GaN产品，这些产品在电离总剂量（TID）和单一离子（SEE）效应下具备极佳的抗辐射性能。
增强型氮化镓场效应晶体管和集成电路视觉特性指南应用说明
描述- 本文详细介绍了增强型氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）和集成电路（IC）的物理特性，包括视觉标准。文章提供了开发利用增强型GaN FET和IC的电路和系统的工具集，并强调了利用现有生产基础设施提高设备成本效益的重要性。文中还介绍了EPC的GaN晶体管结构，包括其独特的制造工艺和封装设计，以及设备在极端机械损伤后的可靠性测试结果。此外，文章还提供了视觉检查标准，以确保设备在发货前符合质量要求。
型号- EPC2212,EPC1001,EPC2214,EPC2034C,EPC2016C,EPC2019,EPC2030,EPC2051,EPC2032,EPC2053,EPC2031,EPC2111,EPC2034,EPC2033,EPC8010,EPCXXXX,EPC2102,EPC2024,EPC2101,EPC8009,EPC2104,EPC2202,EPC2001C,EPC2103,EPC2029,EPC2105,EPC2015C,EPC2206,EPC8002,EPC2040,EPC2021,EPC2020,EPC2023,EPC2100,EPC8004,EPC2022
EPC（宜普）GaN Transistor Application Readiness: Phase Three Testing
描述- EPC的eGaN™功率晶体管在可靠性测试中表现出色，经过超过960,000小时的可靠性测试，未出现故障。测试包括高温反向偏置、温度循环、温度和湿度循环、湿度敏感度等级分类和实际直流-直流转换操作条件。测试结果表明，eGaN晶体管在动态RDS(ON)和栅极泄漏稳定性方面表现出良好的性能，证明了其在功率开关应用中替代硅基器件的可行性。
型号- EPC1001,EPC1012,EPC1014,EPC1010
【产品】可替代传统MOS的EPC GaN晶体管，电源转换首选功率器件
首家公司推出替代功率MOSFET器件的硅基增强型氮化镓场效应晶体管，其器件性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍.使用EPC的氮化镓场效应晶体管可以获得更快的开关频率，更高的效率，更小的尺寸，更低的导通电阻。设计师现在可以同时实现更小型化和性能更高的器件.
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提供CE测试服务，通过晶体回路匹配分析，给出测试报告。支持EPSON所有MHz无源晶体、32.768KHz晶体。支持到场/视频直播测试，资深专家全程指导。
实验室地址： 深圳/上海 提交需求>
测试范围：扬兴晶振全系列晶体，通过对晶体回路匹配分析，调整频率、驱动功率和起振能力，解决频偏、不起振、干扰、频率错误等问题。技术专家免费分析，测完如有问题，会进一步晶振烧录/修改电路。
实验室地址： 深圳 提交需求>
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