【产品】SOP8封装的低导通电阻MOSFET AM4501,内部包含一个P沟道MOSFET和一个N沟道MOSFET

2019-07-13 AiT
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AIT推出的AM4501是一款低导通电阻MOSFET,每个AM4501内部包含一个P沟道MOSFET和一个N沟道MOSFET。它采用高单元密度的沟槽工艺,可实现低导通电阻,从而确保最小的功率损耗和散热量。在环境温度25℃条件下,AM4501的N沟道MOSFET可承受30V的漏源电压、±20V的栅源电压、10A的连续漏极电流以及40A的脉冲漏极电流;其P沟道MOSFET可承受-30V的漏源电压、±20V的栅源电压、-9A的连续漏极电流以及-35A的脉冲漏极电流。AM4501的工作结温和储存温度为−55°C ~ +150°C,可满足大多数设计的要求。AM4501适用于便携式和电池供电产品(如计算机,打印机,PCMCIA卡,蜂窝和无绳电话)中的DC-DC转换器和电源管理。其采用SOP8封装,内部结构示意图和引脚分布图如图1、图2所示,

图1 AM4501内部结构示意图


图2 AM4501引脚分布图


AM4501产品特性

·低导通电阻,从而可提供更高的效率,并延长电池寿命

·低热阻铜引线框架,可节省电路板空间

·开关频率高

·高性能沟槽技术

·采用SOP8封装


AM4501应用领域

·LED应用

·便携式设备

·DC-DC电源管理


AM4501订购信息

授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道:世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
概念,方案,设计,选型,BOM优化,FAE技术支持,样品,加工定制,测试,量产供应服务提供:世强硬创平台www.sekorm.com
集成电路,电子元件,电子材料,电气自动化,电机,仪器全品类供应:世强硬创平台www.sekorm.com
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商品及供应商介绍  -  AIT  - 2022/3/17 PDF 英文 下载

【产品】可编程充电电流1A的单节锂离子电池恒流/恒压线性充电器HM4056A,无需外接MOSFET,可自动再充电

HM4056A是一款性能优异的单节锂离子电池恒流/恒压线性充电器。HM4056A采用ESOP8封装配合较少的外围原件使其非常适用于便携式产品,并且适合给USB电源以及适配器电源供电。

产品    发布时间 : 2023-01-16

【产品】带热调节的1A线性锂电池充电管理芯片ZCC3221,无需MOSFET、检测电阻器或隔离二极管

至诚微推出带热调节的1A线性锂电池充电管理芯片ZCC3221,是一款单节锂离子电池恒流/恒压线性充电器,采用底部带散热片的SOP8封装以及简单的外部应用电路,非常适合便携式设备应用,适合USB电源和适配器电源工作,内部采用防倒充电路,不需要外部隔离二极管。

产品    发布时间 : 2022-05-20

【产品】-30V P沟道增强型MOSFET AM9435,SOP8封装

AiT推出的AM9435是P沟道逻辑电平增强模式功率场效应晶体管,采用高单元密度,先进的沟槽技术,提供优良的RDS(ON),适用于作为负载开关或在大多数PWM同步降压转换器的应用。

产品    发布时间 : 2021-11-18

【产品】内部为PMOSFET架构的线性锂离子电池充电芯片HM4051A,恒压充电电压4.2V

HM4051A是一款完整的单节锂离子电池采用恒定电流/恒定电压线性充电器。该线性锂离子电池充电芯片底部带有散热片的SOP8封装与较少的外部元件数目使得HM4051A成为便携式应用的理想选择。HM4051A可以适合USB电源和适配器电源工作。

产品    发布时间 : 2023-01-05

【产品】采用内部PMOSFET架构的线性充电器电路HG4056,可编程充电电流高达1000mA,无需外部隔离二极管

华冠半导体推出的HG4056是一款专门为一节锂离子或锂聚合物电池而设计的线性充电器电路。其底部带有散热片的SOP8封装,与较少的外部元件使得HG4056成为便携式应用的理想选择。HG4056可以适合USB电源和适配器电源工作。

产品    发布时间 : 2022-08-14

【应用】双N沟道功率MOSFET AM8205应用于户外狩猎相机,21mΩ低导通电阻可延长电池寿命

户外狩猎相机通常用于对野生动物侦测时,光亮度进行补光拍照,图像传输通过WIFI模块,进行数据读取。通常户外狩猎相机采用电池供电,其中会涉及到锂电池保护板的设计,本文将主要介绍应用于户外相机的双N沟道功率MOSFET AM8205。封装有TSSOP8和SOT-26两种,RDS(ON) =21mΩ(Typ.)@ VGS= 4.5V,有效减小MOSFET对保护回路的影响,延长电池寿命。

应用方案    发布时间 : 2020-07-25

【产品 】P沟道增强型MOSFET AM4403,采用SOP8封装,最高工作结温为150℃

AiT推出的AM4403是一款P沟道增强型MOSFET。除非另有说明,否则当环境温度为25℃时,AM4403的绝对最大额定参数为:漏源电压-20V、栅源电压±12V、当VGS=-4.5V,连续漏极电流为-12.2A、当VGS=-4.5V,300μs脉冲漏极电流为-48.8A。

产品    发布时间 : 2021-12-04

【产品】用于单节锂离子电池的恒流/恒压线性充电器GC4056B,可提供高达1000mA的可编程充电电流

上海国芯推出的GC4056B是一款完整的单节锂离子电池采用的恒定电流/恒定电压线性充电器。其底部带有散热片的SOP8封装,与较少的外部元件使得GC4056B成为便携式应用的理想选择。GC4056B可以适合USB电源和适配器电源工作。由于采用了内部PMOSFET架构,加上防倒充电路,所以不需要外部隔离二极管。

新产品    发布时间 : 2020-06-18

【产品】采用沟槽DMOS技术的SOP8封装的P沟道MOSFET AM4435A,最大限度降低导通电阻

AiT推出的​AM4435A是P沟道增强型功率MOSFET,采用沟槽DMOS技术,可以最大限度地降低导通电阻,可用于负载开关,LED应用,DC-DC电源管理之中。

新产品    发布时间 : 2019-07-04

【产品】采用SOP8封装的N沟道增强型MOSFET AM4406,最高结温150°C

AiT推出的AM4406是一款N沟道增强型MOSFET。除非另有说明,否则当环境温度为25℃时,AM4406的绝对最大额定参数为:漏源电压30V、栅源电压±20V、当VGS=10V时,连续漏极电流12A、当VGS=10V时, 300μs脉冲漏极电流为40A。

产品    发布时间 : 2021-11-26

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可定制板装式压力传感器支持产品量程从5inch水柱到100 psi气压;数字输出压力传感器压力范围0.5~60inH2O,温度补偿范围-20~85ºС;模拟和数字低压传感器可以直接与微控制器通信,具备多种小型SIP和DIP封装可选择。

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