【产品】单线双向超低电容TVS二极管SEU0501D5,小尺寸封装,结电容典型值低至0.3pF
萨瑞微电子推出一款单线双向超低电容TVS二极管SEU0501D5,其采用萨瑞微Punch-Through工艺技术设计,用于保护电压敏感元器件免受ESD影响。器件出色的钳位能力、低漏电流和快速响应特性为ESD防护设计提供一流的性能。小尺寸封装,使其非常适用于手机、MP3播放器、数码相机和许多其他板间受限的便携式应用。而由于其又具有低电容特性,因此器件又适用于高频应用设计,如高速USB2.0、超高速USB3.0、VGA、DVI、HDMI、eSATA和其他高速线路传输应用。另外,器件可专门设计用于保护连接到数据线和传输线的敏感组件,以防止ESD(静电放电)和EFT(电快速瞬变)引起的过电压损害。
TA=25℃、RH=45%-75%时,器件峰值脉冲功率为100W(tp=8/20μs,波形),峰值脉冲电流为4A(tp=8/20μs,波形),在VR=0V,f=1MHz条件下,其结电容典型值低至0.3pF,反向漏电流最大值低至0.2µA(VRWM=5.0V)。器件符合IEC61000-4-2(ESD)标准,可提供±15kV空气放电和±15kV接触放电的ESD防护等级,器件工作温度范围为-55℃至125℃,存储温度范围宽至-55℃至150℃,器件采用SOD-523外壳封装。其引脚配置如下图所示:
产品特点
超低电容:典型值为0.3pF
3.0GHz时无插入损耗
工作电压:5V
低钳位电压
2Pin脚无引线封装
符合以下标准:
IEC 61000-4-2(ESD)抗扰度试验:
空气放电:±15kV
接触放电:±15kV
IEC61000-4-5(EFT)4A(5/50ns)
符合RoHS标准
机械特性
器件封装:SOD-523
引脚处理:雾锡
外壳材料:绿色环保塑封
可燃性分类等级:UL 94V-0
湿度敏感度:3级(J-STD-020标准)
产品应用
高速数据线路:USB1.0/2.0/3.0/3.1,VGA,DVI,SDI
高清多媒体接口(HDMI1.3/1.4/2.0)
串行和并行端口
笔记本电脑、台式机、服务器
外围设备
手机、手机配件
便携式仪器
最大额定参数
(TA=25℃,RH=45%-75%,除非另有说明)
电气特性
(除非另有说明,TA=25℃)
产品订购信息
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萨瑞微电子(SALLTECH)ESD保护器件选型表
目录- ESD
型号- SEN1821D3,SEU0524PC,SEN0501D3,SEN0501D5,SEN1201P1,SEN1201P0,SES2411P6,SES2411P1,SEN1531D5,SEN3321P1,SEL0521D5,SES2411P4,SES2011P4D,SEN0522P1,SEN0512S2,SEN0512S4,SEU0501P0,SEL1211S2,SEU0501P1,SES0521P1,SEN0512S9,SEN0731D5,SEN0802S2,SEN3612S2,SEU0512P1S,SES0701P1,SEN2411P1,SEN2411P0,SES4521D3,SEH0532P1,SEP3011P6,SEU3301P1,SEU3301P0,SEL0532S2,SEN3301D5,SEN0551D5,SEN3611P1,SEN3301D3,SEH0511D5,SEL3314P8,SES0501D3,SEN3312S2,SES0501D5,SEU1511D5,SEP1011P6,SEN1231D5,SEN3601D3,SEN2401P0,SES2011P1,SEP4511P6,SES4511D3,SEP0501P6,SES2011P4,SEU3324PC,SEH0801D3,SEU3311P1,SES3301D5,SEN0701P1,SEN0701P0,SES3031P4,SEN2401P1,SEN2414S2,SES2631P4,SES1011D3,SEN0502S2,SEN2402S2,SEN1551P1,SES0511P1,SEH2401P6,SES0511P4,SEU2401P0,SEU2401P1,SEN0812S2,SEN1212S2,SES0521D3,SM3612S2,SEL0502P1,SEU0501D5,SES1511P4,SES1511P6,SEP0711P6,SEH1201D3,SEN0501P0,SEL3301P1,SEN1211P6,SEN1211P1,SEN1811D5,SEU1501D5,SEP4831PD,SEU1512SD,SEN4501D5,SEN3611D5,SEN3302S2,SEP4551P1,SEN3611D3,SEU0511P1,SES0531P1,SEH0511P0,SEN1531P1,SEN2001D1,SEH1501P6,SEL0514S5,SEN0711P6,SEL0514S2,SEL0501P0,SEL0501P1,SEH3301D3,SEN0811D3,SEL0541D5,SEN3301D5-1,SEN3301P0,SEN0811D5,SEH0512S4,SEN2412S2,SEH0801P6,SEN0515S3,SEN0502P1,SEH0512S2,SEU1511P1,SEU0521P0,SEU0518PB,SEH0501D3,SEN2401D3,SEN0531D5,SEP2011P6,SES0511D3,SEN1202S2,SEH0512S9,SEU1211D5,SEP4501P4,SEP4501P6,SEU3324PCS,SEN0701D5,SES1011P4,SEN2401D5,SPH0603H30,SEH0504S6,SEN1211D3,SES1511D3,SEU1201D5,SEU0521P1S,SEN2432S2,SEN1211D5,SEN2011D1,SEN4501P1,SES0711D3,SEP2411P6,SES0531D3,SEN1512S2,SEL0502S4,SES3011P4,SEU0501P1-C,SEP1211P6,SEH3301P6,SEN1811P1,SEN1501D5,SEN1501D3,SEH0503S1,SEU1501P1,SEN1811P6,SEN2411D3,SEN1221P1,SEN2411D5,SEU0504PC,SEN2701D3,SES2431P4,SEN1511D3,SES1211D3,SEH1501D3,SEL0501D3,SM712,SEU2411D3,SEU2411D5,SEH0514S3,SEN0532S4,SEN0532S9,SEN1801P1,SEL0501D5,SEH0501P1,SES0541P1,SEH0501P0,SEN1511D5,SEN0711D5,SEN1801P6,SEL3321P1,SEN0711D3,SEU1211P1,SEU1211P0,SES1811P4,SES4501P4,SEU3304PC,SEL0524S2,SEN1521P1,SES4501P1,SEH0501P6,SEL3301D3,SEN2431P1,SEN1201D5,SEN1802S2,SEN1201D3,SEU3312P1S,SES0711P4,SEU1201P1,SEU1201P0,SES0711P1,SEN2431D3,SEN1502S2,SEH1521D3,SEH3321D3,SES3311P1,SEL2501P1,SEP2411D1,SES3311P4,SES2411D5,SEL4501P6,SES2411D1,SEU3301P0-C,SEU3304PCS,SES2411D3,SEH2422S2,SEL0501P1-1,SEN0511D3,SEN0511D5,SEN1501P1,SES3011D3,SEL0201P0,SEN3301DBH,SEN0522S4,SEN1221D5,SEN0522S9,SEL2011P6,SEL0521P1,SEL0511S2,SES4511P4G,SEN1511P6,SES4511P4,SEN1511P1,SEH2401D3,SEH3301D3-1,SEU0501P0-C,SEN2501P1S,SEN0521P1,SES0501P0,SES0501P1,SEN3311D5,SEN1511PM,SEN3601P1,SEU2411P0,SES1211P4,SEU2411P1,SEN3311D3,SEN1831D3,SEN1231P1,SEL0541D5-1,SPH0603H24,SEP3311P6,SEH1201P6,SEH0516S8,SEP4531P1,SEU2401D3,SEH1201P1,SEU2401D5,SES3301P1,SES4501D3,SEP0511P6,SES4501D5,SEN3602S2
萨瑞微电子ESD保护器件选型表
萨瑞微提供的ESD保护器件(ESD Diode),先进的单片硅技术,保护电压敏感的数据和电源线;符合IEC-6100-4-2 4级ESD标准(±30kV空气和±30kV接触)放电电压;符合IPC/JEDEC J-STD-033C MSD 3级标准;超小尺寸DFN封装;主要应用于手机和配件、个人数字助理、笔记本和手持设备、便携式仪器、数码相机、外围设备、音频播放器、键盘、侧键、LCD显示器等。
产品型号
|
品类
|
极性
|
Max Reverse Working Voltage VRWM(V)
|
Junction Capacitance Cj(pF)
|
Peak Pulse Current IPP@8/20uS(A)
|
Min Breakdown Voltage VBR(V)
|
Max Breakdown Voltage(V)
|
Max Leakage Current IR@VRWM(uA)
|
Max Clamping Voltage VC@lpp1A 8/20uS(V)
|
Max Clamping Voltage Vc@Ipp=Max Clamping Voltage(V)
|
Max Peak Pulse Power PPP(W)
|
Marking
|
SEL0201P0
|
ESD Diode
|
双向
|
2.5
|
20
|
8
|
3.1
|
4.5
|
0.2
|
4.2
|
7
|
55
|
C02
|
选型表 - 萨瑞微电子 立即选型
SLESD3301单线双向超低电容TVS二极管
描述- SLESD3301是一款3.3V双向TVS二极管,采用先进的单晶硅技术,提供快速响应时间和低ESD钳位电压。该器件适用于保护敏感数据和电源线路,具有小型化和高ESD浪涌保护能力,适合用于手机、数码相机、音频播放器等多种便携式设备。
型号- SLESD3301
SEU0501D5 ESD二极管
描述- 本资料介绍了S01D50030 SEU0501D5型号的ESD二极管。该产品具有无引脚2针封装、低结电容(最大值为0.5pF)、高浪涌电流(8/20μs波形下最大为5A)等特点,适用于多种电子设备。
型号- SEU0501D5,SEU0501D5--X
【产品】结电容典型值为0.15pF的单线双向TVS二极管AR0521P1L,适用于5V电压系统的ESD防护
AR0521P1L是应能微推出的一款单线双向超低电容TVS二极管,利用领先的单片硅技术提供快速响应时间和低ESD钳位电压,使该器件成为保护电压敏感高速数据线的理想解决方案。
萨瑞微电子MOS选型表
N型或P型低Rds(ON)阻抗选择,开关电压转换低功耗,符合 IPC/JEDEC J-STD-033C MSD Level 3,UL 易燃性等级 94V-0,Leadless Chip设计降低了结电容,6针或8针选择适合多功能产品应用,表贴封装,先进的沟槽电池设计,极低的阈值电压,ESD保护,低 RDS(ON) 和 FOM,具备优异的稳定性和均匀性。
产品型号
|
品类
|
封装
|
Type
|
Vds(V)
|
Vgs(V)
|
Rds(on) Vgs=10V Typ(mΩ)
|
Rds(on) Vgs=10V Max(mΩ)
|
Rds(on) Vgs=4.5V Typ(mΩ)
|
Rds(on) Vgs=4.5V Max(mΩ)
|
VGS(th) Min(V)
|
VGS(th) Max(V)
|
ID (A)
|
PD (W)
|
ESD
|
Dynamic.Ciss(pf)
|
Dynamic.Coss(pf)
|
Dynamic.Crss(pf)
|
Dynamic.Rg(Ω)
|
Marking
|
SR3406
|
MOSFET
|
SOT23
|
SN
|
30
|
20
|
65
|
82
|
75
|
95
|
1
|
3
|
3.6
|
1.25
|
No
|
288
|
57
|
39
|
3
|
R6
|
选型表 - 萨瑞微电子 立即选型
萨瑞微电子整流器选型表
玻璃钝化芯片;低正向压降;低漏电流;高正向浪涌能力;高温焊接:端子260°C / 10S;组件符合 ROHS 2002/95/1 和 WEEE 2002/96/EC
产品型号
|
品类
|
PPK Voltage PRv VPK
|
Resistive Load 60Hz lo@T AAV
|
Resistive Load 60Hz lo@T ℃
|
Surperimposed @8.3ms lFM(Surge) APK
|
@PRV@25°CT IR uAdc
|
@25°CT IFM APK
|
@25°CT VFM VPK
|
PACKAGE
|
GBP410
|
Rectifier
|
1000
|
4
|
25
|
150
|
10
|
1
|
1.1
|
GBP
|
选型表 - 萨瑞微电子 立即选型
萨瑞微电子SGT器件独家发明专利,品质有证,印证产品实力
江西萨瑞微电子发明涉及半导体器件制造的技术领域,特别涉及一种SGT器件的工艺方法及SGT器件。
萨瑞微电子LDO选型表
低温系数;高纹波抑制;低压差;低静态电流:3μA~50μA;输出电压高精度:±2%(典型值);低输出噪声:40μVRMS(10Hz~100kHz);优异的线路和负载瞬态响应; 内置限流器;短路保护;符合 IPC/JEDEC J-STD-033C MSD 3 级标准
产品型号
|
品类
|
Vin(V)
|
Vout(V)
|
lout(mA)
|
Static power Typ(uA)
|
Static power Max(uA)
|
Psrr(dB)
|
Vdrop(mV)
|
Package
|
SR75XXH
|
LDO
|
1~40
|
1.8~5
|
100
|
4.2
|
/
|
60
|
600
|
SOT-23-3L
|
选型表 - 萨瑞微电子 立即选型
芯向星辰 微光致远 | 萨瑞微电子2023年度大事盘点
芯向星辰,微光致远。本文中萨瑞微电子将为大家盘点分享2023年的重点事件,展示公司在行业的领先地位和产品优势。内容包括:获得国家级“专精特小巨人企业”荣誉、举办首次全国代理商大会、荣获省级“企业技术中心”和“赣出精品证书“等荣誉及活动。
Yint Electronics Recommends Electrostatic Protection Device ESD0524P for HDMI, VGA, DVI, Mini DP Video Data Interface
The biggest problem with laptops having only one Type-C interface is that it causes trouble for IT professionals to connect projectors. Traditional wired projectors generally need to use VGA or HDMI interfaces to connect. This is also one of the biggest driving forces for the development of docking stations.To ensure high-speed data and control signal transmission, interference factors such as static electricity need to be eliminated as much as possible.
萨瑞微电子锂电IC选型表
内置 60 mΩ MOSFET;超小型超薄DFN1x1-4封装;内置过温保护;三重过放电电流检测保护;超小静态电流(1.3uA)和睡眠电流(0.3uA);符合 ROHS 标准
产品型号
|
品类
|
OVP Voltage (V)
|
Discharge Voltage (V)
|
Over release Voltage (V)
|
Discharge Current (A)
|
Working Current (uA)
|
Rds ON(mΩ)
|
Marking
|
Package
|
SRIC3701A
|
锂电IC
|
4.3
|
2.8
|
3
|
0.8
|
1.4
|
55
|
R01 XX
|
DFN1X1-4
|
选型表 - 萨瑞微电子 立即选型
电子商城
服务
整体外形尺寸小至0.6*0.3*0.3mm (DFN0603),工作电压范围覆盖2.5V~36V,电容值低至0.2pF,浪涌能力最高可达240安培,静电等级可达空气放电、接触放电±30KV。提供免费浪涌测试仪、静电测试仪测试。
提交需求>
可定制LAMP LED、 CHIP LED、 PLCC LED、 汽车用车规级LED、COB LED的尺寸/电压/电流等参数,电压1.5-37V,电流5-150mA,波长470-940nm。
最小起订量: 30000 提交需求>
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